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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
      
        
      
    
      
    
      
        
      
        
      
    
      

      














      
    
    
      
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                  		五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明涉及靶材技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種離子注入摻雜IGZO薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟：(1)通過高溫固相反應(yīng)法制備IGZO靶材；(2)利用磁控濺射技術(shù)在氬氣氣氛下制備IGZO薄膜；(3)采用離子注入技術(shù)，利用錫離子和鎵離子對(duì)薄膜進(jìn)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種耐高溫氧化MCrAlY涂層的制備方法，涉及熱障涂層技術(shù)領(lǐng)域；該制備方法包括以下步驟向MCrAlY粉末中按1％～50％的比例添加摻雜粉末形成摻雜粉，將摻雜粉置入球磨機(jī)進(jìn)行5～24h的濕磨或干磨，進(jìn)行混粉，使MCrAlY粉末與摻...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種超耐磨光學(xué)復(fù)合膜層及制備方法，光學(xué)復(fù)合膜層包括：依次疊設(shè)于基底的第一表面上的保護(hù)膜層和AF膜層；所述保護(hù)膜層包括第一非晶碳膜層，所述保護(hù)膜層具有用于提高所述第一非晶碳膜層硬度和耐磨度的第一膜層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明克服了傳統(tǒng)采用AR膜...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種分氣裝置及薄膜沉積設(shè)備，分氣裝置安裝在薄膜沉積設(shè)備反應(yīng)腔室的底部，分氣裝置包括主體，主體設(shè)有進(jìn)氣通道和與進(jìn)氣通道連通的第一出氣孔，進(jìn)氣通道由主體下表面貫通至上表面，第一出氣孔設(shè)于主體的側(cè)壁且開口朝向反應(yīng)腔室的底部；其中，吹掃氣...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型屬于光伏焊帶加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種不停機(jī)清理錫灰風(fēng)刀開門裝置，包括風(fēng)刀座本體，所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開設(shè)有高壓氮?dú)獬鰵饪冢鲲L(fēng)刀座本體的內(nèi)部開設(shè)有內(nèi)腔，所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開設(shè)有兩個(gè)氣體通道，所述風(fēng)刀座本體的頂端固定連接有兩個(gè)噴...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于橋索鋼絲的熱浸鍍液，其化學(xué)成分組成及wt%為：Al：5~20%，RE：0.05~1.0%，Si：0.05~3.0%；制備方法：將鋅錠、鋁塊預(yù)熱；預(yù)熱熔煉爐；將鋅錠放入并加熱融化；分三批次加入鋁塊；加入RE及硅；將熱浸鍍液溫度自然冷卻...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種鈣鈦礦氣態(tài)分子真空噴繪沉積成膜設(shè)備，包括真空腔，配合門板形成密閉空間，真空腔內(nèi)設(shè)置三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置和基底承載臺(tái)，三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置置于真空腔底部，三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置上設(shè)置至少一噴繪裝置，底承載臺(tái)置于噴繪裝置上方，噴繪裝置通過...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種基于模板印刷的預(yù)圖案化材料激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移方法，將模板印刷和激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移相結(jié)合，包括：步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料；步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶，與受體板形成可調(diào)節(jié)間隙；步驟3、調(diào)整Z軸位移平臺(tái)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法及裝置，屬于半導(dǎo)體氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法，通過實(shí)時(shí)采集對(duì)MOCVD反應(yīng)時(shí)反應(yīng)腔室外的運(yùn)行參數(shù)，并與更新后的對(duì)照表進(jìn)行對(duì)比，可以避免這些間接參數(shù)存在的延時(shí)性影響，可...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明屬于電子元器件的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用、含鉿薄膜及其形成方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供了含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用，該所述含鉿前驅(qū)體包括式(1)所示的化合物，通過環(huán)戊烯基以及二烷基膦基在結(jié)構(gòu)中的引入，賦予其...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種高親水性的DLC膜的制備方法，包括：制備原始DLC膜；在真空環(huán)境下，將氮?dú)饣蛘哐鯕庾⑷胨鲈糄LC膜的表面，并維持第一預(yù)設(shè)時(shí)間，獲得第一DLC膜；在水蒸氣環(huán)境下，保持預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)相對(duì)濕度，將所述第一DLC膜放置第二預(yù)設(shè)時(shí)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了控制生產(chǎn)熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設(shè)備及方法，移動(dòng)載具通過第一導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在主支架上，框架固定在移動(dòng)載具上，在框架上設(shè)有第二導(dǎo)軌；風(fēng)箱結(jié)構(gòu)分為的左側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu)和右側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu)，風(fēng)箱結(jié)構(gòu)通過第二導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在框架上，在左、右風(fēng)箱結(jié)構(gòu)之間...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供了一種刮刀裝置及真空鍍膜系統(tǒng)；刮刀裝置用于真空鍍膜，包括：操作平臺(tái)，操作平臺(tái)配置為裝配集流體薄膜；刮輪，刮輪設(shè)于操作平臺(tái)，刮輪配置為刮除集流體薄膜超出預(yù)設(shè)高度的部分；其中，刮輪朝向操作平臺(tái)的一面為第一面，第一面為曲面，所述第一面為...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域，且公開了連通式管狀件熱鍍鋅裝置及其工作方法，包括鍋體、精置箱、活動(dòng)軌道、活動(dòng)夾持裝置、母鋅鍋、子鋅鍋、伸縮氣缸裝置和連接槽，母鋅鍋的兩側(cè)內(nèi)壁交錯(cuò)開設(shè)有安裝槽，在母鋅鍋的內(nèi)部對(duì)應(yīng)安裝槽位置設(shè)置有約束板，在約束板的兩側(cè)交...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種用于多MOCVD反應(yīng)室的同步控制方法及裝置，在串聯(lián)式MOCVD反應(yīng)室中，通過在當(dāng)前反應(yīng)室已完成其對(duì)應(yīng)的外延層生長的工序，但負(fù)責(zé)下一工序的反應(yīng)室尚未結(jié)束時(shí)，基于當(dāng)前反應(yīng)室的生長溫度及下一反應(yīng)室的生長溫度，利用托盤徑向上的溫度差異...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于磁控濺射的異型腔體內(nèi)壁鍍膜裝置，包括工作臺(tái)、真空腔體、第一磁體線圈、第二磁體線圈、第一支架、第二支架和濺射靶體，通過真空腔體提供鍍膜所需的高真空環(huán)境，真空腔體內(nèi)部設(shè)有異型腔體支撐結(jié)構(gòu)，確保異型腔體在鍍膜過程中保持穩(wěn)定，通...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層，屬于銑刀涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層，具體制備方法為，將銑刀超聲波清洗，吹干，干燥，離子刻蝕，得到處理后的刀具，進(jìn)行第一HiPIMS沉積得到第一涂層后，...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)外復(fù)合陶瓷環(huán)及石墨舟，屬于石墨舟技術(shù)領(lǐng)域，包括內(nèi)陶瓷環(huán)、外陶瓷環(huán)以及連接環(huán)，同軸套裝于內(nèi)陶瓷環(huán)的外面，外陶瓷環(huán)與內(nèi)陶瓷環(huán)之間形成環(huán)形空腔；內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向長度大于外陶瓷環(huán)的軸向長度，且內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向兩端均凸伸于外陶瓷環(huán)的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種環(huán)境自適應(yīng)潤滑同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜的可控制備方法，包括以下步驟：⑴將硅片基底用不同類型的溶劑超聲清洗、烘干后即得干燥硅片；⑵采用由MoS2靶材、WS2靶材和Ti靶材三個(gè)磁控濺射源組成的多...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種PGTVD真空鍍膜用供氣裝置，涉及供氣裝置技術(shù)領(lǐng)域，其技術(shù)方案是：包括殼體，殼體上設(shè)有圓槽和方槽，殼體內(nèi)部設(shè)有過濾機(jī)構(gòu)和吸附機(jī)構(gòu)，殼體一側(cè)設(shè)有控制組件；過濾機(jī)構(gòu)包括圓板，圓板設(shè)于殼體一側(cè)，圓板兩側(cè)均固定設(shè)有滑板，圓板頂部和底...
								
        
							
        
							
						
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