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								      本申請公開了一種信令風暴的分析方法、控制方法、裝置及通信設備，屬于無線通信技術領域，本申請實施例的信令風暴的分析方法包括：第一網(wǎng)元獲取目標數(shù)據(jù)；所述第一網(wǎng)元根據(jù)所述目標數(shù)據(jù)進行分析，得到信令風暴分析結(jié)果，所述信令風暴分析結(jié)果包括遭受或者即將...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法及裝置。該方法包括第一通信裝置接收第一信息，其中，第一信息可以用于確定第一QoS參數(shù)，第一QoS參數(shù)可以用于發(fā)送第一數(shù)據(jù)流，第一數(shù)據(jù)流與第一QoS參數(shù)對應，之后，第一網(wǎng)元可以根據(jù)第一QoS參數(shù)，發(fā)送第一數(shù)據(jù)流。第一通...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種通信方法及裝置，該方法包括：無線接入網(wǎng)RAN設備接收來自第一網(wǎng)元的第一消息，第一消息包括授時服務的目標區(qū)域信息，目標區(qū)域信息包括授時服務的目標區(qū)域內(nèi)的小區(qū)和/或基站的標識；RAN設備接收來自終端設備的位置更新信息，位置更新信...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種信息上報方法、接收方法、裝置、終端及網(wǎng)絡側(cè)設備，屬于通信技術領域，本申請實施例的信息上報方法包括：終端上報AIoT信息，所述AIoT信息用于輔助如下至少一項：為所述終端配置雙連接DC或載波聚合CA；建立所述終端的DC或CA。
								
        
							
        
							
						
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								      一種通信方法和通信裝置，該方法應用于LTM切換場景。該方法包括：第一節(jié)點向第二節(jié)點發(fā)送第一消息，第一消息用于請求將第二節(jié)點添加為終端的候選輔節(jié)點，第一消息包括第一標識信息，第一標識信息用于向第二節(jié)點請求提前同步配置；第一節(jié)點接收來自于第二節(jié)...
								
        
							
        
							
						
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								      一種通信方法及相關裝置，涉及通信技術領域。該方法包括：第一節(jié)點向第二節(jié)點發(fā)送第一消息，相應的，第二節(jié)點接收該第一消息；以及第二節(jié)點向第一節(jié)點發(fā)送第二消息，相應的，第一節(jié)點接收該第二消息；其中，該第一消息用于請求針對LTM將第二節(jié)點添加為終端...
								
        
							
        
							
						
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								      一種通信方法及相關裝置，該方法中，由無線接入網(wǎng)設備向終端預配置節(jié)能狀態(tài)下的公共信號參數(shù)，當無線接入網(wǎng)設備決定開啟節(jié)能時，其通過第一指示信息通知終端，從而空閑態(tài)/非激活態(tài)/連接態(tài)終端可以根據(jù)該配置的公共信號快速實現(xiàn)與無線接入網(wǎng)設備的通信。
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種頻域位置確定方法、裝置、終端及可讀存儲介質(zhì)，屬于通信技術領域，本申請實施例的頻域位置確定方法包括：第一設備確定第一規(guī)則；第一設備按照第一規(guī)則確定目標頻域位置，該目標頻域位置為發(fā)送傳輸信息使用的頻域位置；其中，上述第一規(guī)則包括...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供一種路損確定方法、裝置、終端及網(wǎng)絡側(cè)設備，方法包括：接收網(wǎng)絡側(cè)設備發(fā)送的第一信息，所述第一信息包括用于指示是否基于第一路損偏移確定第一信號的路損，和/或指示第一路損偏移的信息；根據(jù)所述第一信息，執(zhí)行目標操作，所述目標操作包括...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種隨機接入方法、裝置、用戶設備UE及介質(zhì)，屬于通信技術領域，本申請實施例的隨機接入方法方法包括：UE基于網(wǎng)絡配置的M個隨機接入資源集中的每個隨機接入資源集的可用性，從M個隨機接入資源集中確定是否存在可用的隨機接入資源集；UE具...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N芯片及其制備方法、電子設備，涉及半導體技術領域，可以在不影響柵控能力的基礎上，利用第一柵介質(zhì)層抑制閾值電壓的正向漂移分量，從而提高晶體管的BTI。該芯片包括晶體管，晶體管包括依次層疊設置的溝道層、第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層、以...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種西格瑪溝槽及其半導體器件的制作方法，所述西格瑪溝槽的制作方法包括：提供襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成有源漏區(qū)；進行各向異性干法刻蝕，在源漏區(qū)內(nèi)形成第一溝槽；進行各向同性化學反應，反應結(jié)束之后升高溫度使得反...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種用于太陽能電池增強接觸的熱極化方法及裝置。一方面提供了一種熱極化方法，其包括：將導電漿料涂覆于一個或多個鈍化膜硅片的鈍化膜表面上，然后對所述鈍化膜硅片進行燒結(jié)處理以形成一個或多個太陽能電板；及將所述一個或多個太陽能電板置于電場...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示基板，涉及顯示技術領域。該發(fā)光組件包括多個發(fā)光單元，驅(qū)動單元以及色轉(zhuǎn)部。其中，發(fā)光單元的第一半導體層和驅(qū)動單元的第一電極連接，發(fā)光單元的第二半導體層和驅(qū)動單元的第二電極連接，由此可以使得驅(qū)動單元驅(qū)動...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池的空穴傳輸層及其制備方法和鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池，屬于疊層電池技術領域。所述制備方法的步驟(1)在制備隧穿層時控制氧分壓在合適范圍內(nèi)，且利用步驟(2)對隧穿層進行表面處理，兩者共同提高了隧穿層表面的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供式(1)所示的化合物的晶體及其制造方法。該晶體滿足下述中的至少一者：通過差示掃描量熱分析得到的熔融吸熱最大溫度為177℃~181℃；以及，在使用Cu?Kα射線的粉末X射線衍射圖案中，在衍射角2θ=7.6±0.2°、8.7±0.2°...
								
        
							
        
							
						
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								      提供再循環(huán)性優(yōu)異的粘合片。[1]本發(fā)明的實施方式的粘合片依次具備粘合劑層、分離層和基材，該分離層由醇溶性樹脂或水溶性樹脂構(gòu)成。[2]上述[1]所述的粘合片中，前述粘合片的錨固力A可以為1N/20mm以上。[3]上述[1]或[2]的粘合片中，...
								
        
							
        
							
						
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								      一種風險確定方法，包括：接收與項目相關聯(lián)的事件信息，事件信息包括關于在項目中檢測到的異常行為的信息或關于在項目中檢測到的漏洞的信息；至少部分地基于所接收到的事件信息，識別一條或更多條攻擊路徑的一個或更多個攻擊步驟，一條或更多條攻擊路徑中的每...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及無機物合成、催化劑載體材料制備領域，公開了一種氧化鋁的制備裝置以及制備方法、制備得到的氧化鋁，所述制備裝置包括碳化法反應釜、堿性鋁酸鹽溶液原料罐、原料氣瓶、中和反應釜、酸性鋁鹽溶液原料罐、堿性溶液原料罐、中間反應釜、老化反應釜、相...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種激光刻蝕方法、太陽電池的制備方法及太陽電池。本申請的激光刻蝕方法包括如下步驟：提供一襯底，襯底的表面上設置有第一硅材料層，第一硅材料層的遠離襯底的表面上設置有保護層，保護層遠離襯底的表面上具有預設區(qū)域。沿第一方向在預設區(qū)域內(nèi)進...
								
        
							
        
							
						
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