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      • 芯部材料的圖案形成在晶片上,以包含具有關鍵尺寸的芯部特征。修整量指示待從芯部特征的豎直定向表面移除的平均厚度量。修整輪廓指示,從芯部特征的豎直定向表面的厚度移除的變化的多少被應用作為晶片上的徑向位置的函數。第一組數據將修整量與一或多個等離子...
      • 本發明涉及使用氣隙私鑰簽署交易的系統和方法。一種用于簽署交易的系統,該系統包括第一模塊,該第一模塊具有:與公共網絡的通信接口;控制器,其被配置為處理與區塊鏈網絡或在所述公共網絡可訪問的交易服務器的交易。所述系統還包括第二模塊,該第二模塊具有...
      • 本發明涉及一種烤面包機,其包含:殼體;一對相對的食物防護件,其位于所述殼體內并且限定用于收納待烘烤食品的烘烤腔;一對加熱元件,其位于所述殼體內,每個加熱元件位于所述一對食物防護件的相應側上;以及頂蓋,其形成所述殼體的上表面,所述上表面提供具...
      • 提供了顯示面板和包括顯示面板的顯示裝置。所述顯示面板包括基底,所述基底具有開口區域和至少部分地圍繞開口區域的顯示區域。顯示元件布置在顯示區域中。顯示元件包括像素電極、對電極和置于像素電極與對電極之間的中間層。多層膜包括在基底與像素電極之間的...
      • 本發明涉及組合梯、梯子部件和相關方法。本文描述了梯子和梯子部件,包括多用途的和可調的梯子。在一個實施例中,梯子包括:第一組件,該第一組件具有梯框和梯級;第二組件,該第二組件具有梯框和梯級;以及一個或多個鉸鏈,該一個或多個鉸鏈將第一組件和第二...
      • 一種方法包括:在電介質層上沉積阻擋層,以防止由于所述電介質層中存在氧化物而導致待通過電鍍而沉積的金屬層氧化;以及在所述阻擋層上沉積摻雜的襯里層,以與待通過所述電鍍而沉積在所述襯里層上的所述金屬層結合。當在所述電鍍之前所述襯里層的表面暴露于空...
      • 公開了式(I)的化合物,以及制備此類化合物的方法:
      • 使靜電卡盤RF濾波器箱與基座升降器電耦合的設備與方法。該RF濾波器箱具有接觸塊以及位于該RF濾波器箱的外配合表面上的至少一對準特征。該接觸塊包含自對準電連接器,以及該對準特征被設置成將自對準電連接器與該基座升降器的架上的對應電連接器對準,使...
      • 一種用于液體分配器(1)的導管,其包括用于承載液體的管道(20)和用于加熱至少一段管道(20)的加熱裝置(19)。加熱裝置包括用于將加熱裝置(19)固定到管道(20)的部件(31)。部件(31)是沿著管道(20)的至少一段長度在管道(20)...
      • 本發明涉及一種烹飪意式面食(2)的方法。該意式面食(2)具有相對于所述意式面食(2)的重量為至少20重量%的含水量;含水量百分比與在實施該方法之前的意式面食(2)有關;所述方法包括:水供給步驟,在所述水供給步驟期間,將給定量的液態水供給到裝...
      • 使用機器學習模型預測熱蝕刻反應中的蝕刻。使用量子力學模擬來識別給定熱蝕刻反應的一或多個反應路徑中的蝕刻工藝的化學特性和相關能量。指示蝕刻特性的標簽可與給定熱蝕刻反應的化學特性和相關能量相關聯。機器學習模型可使用化學特性和相關能量作為自變量以...
      • 本發明涉及抗趨化因子樣受體1抗體及其治療應用。本發明提供了對消退素E1和CMKLR1之間的相互作用具有激動劑能力的抗CMKLR1化合物,及其在治療或預防疾病(特別是炎癥消退被延遲或破壞的疾病)中的用途。
      • 本申請實施例公開了一種部署虛擬機和容器的方法及裝置,用于實現在MEC系統中既可以容器部署又可以VM部署。所述方法包括:統一編排功能實體接收部署請求,根據部署請求,確定應用程序的部署方式為容器部署或者VM部署;進一步的,若應用程序的部署方式為...
      • 使用具有鋁?碳鍵的含鋁反應物(例如三烷基鋁)與具有碳?鹵素鍵的含碳反應物(例如碳氟化合物,例如,CF4或CH2F2)之間的反應,通過原子層沉積將碳膜沉積在半導體襯底上。該方法...
      • 本發明提供一種能夠降低高頻信號的介電損耗且能夠在寬溫度區域穩定地使用的基板。本發明涉及一種基板,20℃、10GHz下的介電損耗角正切(A)為0.1以下,20℃、35GHz下的介電損耗角正切(B)為0.1以下,并且由{?40~150℃的任意溫...
      • 披露了用于控制玉米植物有害生物的組合物和方法。具體地,提供了針對鞘翅目和/或鱗翅目昆蟲有害生物具有毒性的新型殺昆蟲蛋白。還提供了編碼所述新型殺昆蟲蛋白的核酸分子。還披露了制造所述殺昆蟲蛋白的方法和使用所述殺昆蟲蛋白以及編碼本發明的殺昆蟲蛋白...
      • 本發明提供了使用信任域支持虛擬化系統中的存儲器分頁。本公開的實施例提供了用來支持計算系統中的不同信任域(TD)之間的全存儲器分頁而不丟失任何安全屬性的技術,所述安全屬性諸如基于每TD的防篡改/檢測和機密性。在一個實施例中,提供了一種處理設備...
      • 本發明公開了用于高對流連續旋轉鍍覆的流輔助動態密封件。一種用于電鍍半導體晶片的設備包含被配置成圍繞處理區域的嵌入構件。所述嵌入構件具有頂表面。所述嵌入構件的所述頂表面的一部分具有向上斜坡,其從所述嵌入構件的所述頂表面的周邊區域朝所述處理區域...
      • 提供了一種用于等離子體輔助的半導體處理的方法和裝置。該方法包括:a)在所述多個站中的每個站處提供襯底;b)將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站,從而在所述站內產生等離子體,其中,根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述RF...
      • 提供了一種用于等離子體輔助的半導體處理的方法和裝置。該方法包括:a)在所述多個站中的每個站處提供襯底;b)將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站,從而在所述站內產生等離子體,其中,根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述RF...
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