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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      一種陣列基板及其制備方法。陣列基板包括襯底(30)、第一導電層、第二絕緣層、第一絕緣層以及第三導電層；第一導電層包括第一導電部(41)，第三導電層包括第三導電部(43)；第一絕緣層包括第一通孔(D1)，第二絕緣層包括第二通孔(D2)，第一通...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及信息處理裝置和信息處理方法，信息處理裝置根據(jù)來自用戶的請求，提取與在第一車輛中事后追加的第一車輛組件相關(guān)的信息，將所述提取出的與第一車輛組件相關(guān)的信息同所述第一車輛組件的銷售價格一起輸出。上述銷售價格是通過從上述第一車輛組件的定價...
								
        
							
        
							
						
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								      一種信息處理裝置和信息處理方法，根據(jù)來自用戶的請求，提取與事后追加到第一車輛中的第一車輛組件相關(guān)的信息，將所提取的與第一車輛組件相關(guān)的信息同所述第一車輛組件的銷售價格一起輸出。在所述第一車輛的所有者是租賃經(jīng)營者的情況下，將第一價格設定為所述...
								
        
							
        
							
						
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								      提供了一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)以及采用存儲器裝置進行數(shù)據(jù)計算的方法。提供了存儲器裝置，其包括存儲器單元的陣列以及耦合到存儲器單元的外圍電路。外圍電路包括：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)，該靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)被配置為獲得從存儲器...
								
        
							
        
							
						
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								      提供了一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)以及采用存儲器裝置進行數(shù)據(jù)計算的方法。提供了存儲器裝置，其包括存儲器單元的陣列以及耦合到存儲器單元的外圍電路。外圍電路包括：控制邏輯單元，其被配置為將第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)編程到存儲器單元的組中的不同組中；至少一...
								
        
							
        
							
						
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								      描述經(jīng)調(diào)適以在潔凈環(huán)境中存儲或運輸半導體晶片的晶片容器，包含含有洗凈氣體輸送裝置的容器，以及用于洗凈容器內(nèi)的環(huán)境的方法。一方面，本發(fā)明涉及一種擴散器，所述擴散器包含：細長本體，其包括：上端、下端、前壁、后壁、側(cè)壁、介于所述上端與所述下端之間...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及一種發(fā)送接收能力信息的方法、裝置及存儲介質(zhì)。所述方法包括：終端向網(wǎng)絡設備發(fā)送能力信息，所述能力信息用于指示所述終端是否支持下行信道解調(diào)參考信號DMRS的捆綁能力。本公開方法中，終端通過發(fā)送能力信息，向網(wǎng)絡設備上報是否支持對下行信道...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種鏈路故障處理方法、裝置、電子設備及介質(zhì)，涉及通信領(lǐng)域，本申請實施例的技術(shù)方案包括：第一網(wǎng)絡設備的轉(zhuǎn)發(fā)芯片接收第二網(wǎng)絡設備發(fā)送的第一報文，其中第一報文包括第三網(wǎng)絡設備的設備標識以狀態(tài)信息。若狀態(tài)信息表示第二網(wǎng)絡設備與第三...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及終端信息獲取方法及通信設備、通信系統(tǒng)、存儲介質(zhì)。終端信息獲取方法包括第一終端發(fā)送第一信息，其中，第一信息用于請求訂閱第二終端的與第一業(yè)務相關(guān)的終端信息；接收第二終端發(fā)送的終端信息。由此，實現(xiàn)有效地更新業(yè)務所需的終端信息。
								
        
							
        
							
						
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								      本公開實施例提供一種信息指示方法、終端、接入網(wǎng)設備、通信系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。所述方法由終端執(zhí)行，所述方法包括：向接入網(wǎng)設備發(fā)送第一信息；其中，所述第一信息用于請求：所述終端作為用于無源物聯(lián)網(wǎng)IoT通信的閱讀器運行。本公開實施例提供的技術(shù)方案的通...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及終端信息獲取方法及通信設備、通信系統(tǒng)、存儲介質(zhì)。方法包括第一終端基于第一模式發(fā)送與第一業(yè)務相關(guān)的終端信息，其中，第一模式是采用廣播方式發(fā)送信息的模式。由此，實現(xiàn)有效地更新業(yè)務所需的終端信息。
								
        
							
        
							
						
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								      本文的各種實施例提供了用于未許可頻譜中的側(cè)鏈通信的技術(shù)。例如，實施例涉及選擇用于SL傳輸?shù)暮蜻x資源，使得這些候選資源不阻塞由另一用戶設備(UE)預留的資源。此外，實施例提供了與如何采用多連續(xù)時隙傳輸(MCSt)以及如何相應地修改資源選擇過程...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開的各種方面整體涉及無線通信。在一些方面，用戶裝備(UE)能夠從網(wǎng)絡節(jié)點接收配置非連續(xù)接收(DRX)循環(huán)的信息，該非連續(xù)接收(DRX)循環(huán)包括DRX活動時間和DRX不活動時間。該UE能夠基于在該DRX活動時間期間預配置或接收的指示，在有...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種上行傳輸方法、裝置、基站、UE及存儲介質(zhì)，涉及移動通信技術(shù)領(lǐng)域，所述方法包括：確定針對上行傳輸?shù)呐渲眯畔ⅲ渲校雠渲眯畔⒂糜谥甘綰E進行上行傳輸?shù)目捎肧SB符號，所述可用SSB符號中配置有上行子帶；向所述UE發(fā)送所...
								
        
							
        
							
						
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								      公開了顯示基板、顯示面板及顯示裝置。顯示基板包括：襯底基板；包括：顯示區(qū)，以及在第一方向上位于顯示區(qū)一側(cè)的扇出區(qū)；多條扇出線；多條扇出線包括：多條第一扇出線；第一扇出線在其延伸方向上包括：第一子扇出線、第二子扇出線以及第三子扇出線；同一第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本文描述了一種用于血管進入的設備。該設備可以包括操縱裝置和聯(lián)接到操縱裝置的機器人臂，操縱裝置被配置成可釋放地聯(lián)接盒，盒包括相對于彼此同軸地設置的針、導管和導絲。操縱裝置或盒可以包括多個致動機構(gòu)，多個致動機構(gòu)被配置成當操縱裝置聯(lián)接到盒時選擇性...
								
        
							
        
							
						
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								      一種包含抗TIGIT抗體的藥物制劑，其包含抗TIGIT抗體、穩(wěn)定劑、緩沖液和表面活性劑。
								
        
							
        
							
						
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								      一種探測系統(tǒng)及終端設備，涉及探測技術(shù)領(lǐng)域，用以降低探測系統(tǒng)的功耗。其中，探測系統(tǒng)包括至少一個第一探測裝置與第二探測裝置，兩者通過串行解串器SerDes通信，且第二探測裝置包括集中處理單元。至少一個第一探測裝置，用于對至少一個第一視場進行探測...
								
        
							
        
							
						
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								      近紅外線發(fā)光裝置(100)構(gòu)成為滿足0.853MVIS≤MNIR＜1.147MVIS的關(guān)系，MVIS為Imax?VIS?150相對...
								
        
							
        
							
						
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								      范例處理方法可包括提供含硅前體與含碳前體至半導體處理腔室的處理區(qū)。基板可被容納在所述處理區(qū)中。所述基板可界定在所述基板內(nèi)的特征。所述方法可包括形成所述含硅前體與所述含碳前體的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上沉積含硅與碳材料。所述方...
								
        
							
        
							
						
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