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      • 本發(fā)明公開了一種基于Mallat算法的測井曲線重構方法及裝置,涉及測井曲線重構技術領域,其技術方案要點是將GR曲線與RT曲線中的任意一種作為巖性敏感曲線,分別對巖性敏感曲線與DT曲線,基于mallat算法進行小波分解,獲得巖性敏感曲線細節(jié)部...
      • 本申請公開了一種數(shù)字化平臺的生成方法和裝置、存儲介質及電子設備。涉及數(shù)據(jù)處理技術領域,其中,該方法包括:依據(jù)待執(zhí)行的目標任務,基于目標機制構建初始數(shù)字化平臺,其中,目標機制至少包括:通信機制、路由機制、渲染機制和資源機制;依據(jù)目標任務對應的...
      • 本公開提供一種接口測試方法、裝置、電子設備及介質,涉及接口測試技術領域,包括:獲取測試請求;再通過第一版本的代碼響應測試請求,獲得第一返回結果,以及通過第二版本的代碼響應測試請求,獲得第二返回結果,其中,第一版本的代碼包括對待測試接口進行更...
      • 本說明書實施例提供文本處理方法,其中文本處理方法包括:獲取待處理文本,并確定與待處理文本關聯(lián)的指導文本;將待處理文本和指導文本輸入至摘要生成模型,獲得待處理文本對應的文本摘要和至少一個文本關鍵詞,其中,各文本關鍵詞基于指導文本在待處理文本中...
      • 本發(fā)明公開了一種搜索結果生成方法、裝置、設備及存儲介質,用于提高計算摘要的準確性。在本申請中獲得搜索詞對應的至少一個網(wǎng)頁;生成搜索詞對應的第一文本,第一文本是與搜索詞關聯(lián)的文本;對于每個網(wǎng)頁,根據(jù)搜索詞和第一文本從網(wǎng)頁的正文中抽取網(wǎng)頁的摘要...
      • 本發(fā)明公開了存儲介質、儲能裝置的充放電控制方法、裝置和設備,其中儲能裝置設有儲能變流器PCS;充放電控制裝置包括實時監(jiān)測單元和與儲能裝置對應的控制單元;實時監(jiān)測單元用于監(jiān)測新型電力系統(tǒng)的實時系統(tǒng)頻率;控制單元所包括的控制策略包括:當實時系統(tǒng)...
      • 本申請公開了一種電池均衡維護方法、裝置、電子設備及存儲介質,該方法應用于儲能系統(tǒng)的電池管理系統(tǒng),包括:基于儲能系統(tǒng)中各電池簇的電池狀態(tài)信息,確定目標均衡模式;目標均衡模式包括系統(tǒng)均衡模式和選擇均衡模式中的一種,系統(tǒng)均衡模式為對儲能系統(tǒng)中所有...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N激活/去激活PUCCH資源的方法、裝置、終端及網(wǎng)絡設備。方法應用于終端,包括:接收網(wǎng)絡設備發(fā)送的目標信令,目標信令包括第一信息域和第二信息域,第一信息域用于攜帶第一PUCCH資源的激活/去激活信息,第二信息域用于攜帶第二PU...
      • 本申請實施例提供了一種匹配設備和點位的方法,包括:當安裝于第一點位的第一設備通過信息表達功能表達自身的引導頭和設備標識時,第二設備根據(jù)該第一設備表達的信息,通過第一設備的表達方式確定該第一設備的設備標識,并建立第一設備的設備標識與第一點位之...
      • 本公開實施例提供一種視頻處理方法及設備,該方法通過根據(jù)待分割視頻,確定待分割視頻中視頻幀相對于第一視頻幀的運動向量數(shù)據(jù),該第一視頻幀為視頻幀所處畫面組中的第一個視頻幀,根據(jù)運動向量數(shù)據(jù),確定待分割視頻對應的分割位置,之后根據(jù)分割位置對待分割...
      • 一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置,涉及光通信技術領域,用以實現(xiàn)OTN設備支持接入更多數(shù)量的CPE。本申請實施例提供的方案,將未承載業(yè)務數(shù)據(jù)的時隙剔除出去,僅將時隙中承載的實際數(shù)據(jù)塊映射到第二類型的數(shù)據(jù)幀的時隙中。第二類型的數(shù)據(jù)幀的時隙用于承載業(yè)務數(shù)據(jù)...
      • 本申請公開了一種能力上報方法、裝置、終端及網(wǎng)絡側設備,屬于無線通信技術領域,本申請實施例的能力上報方法,包括:終端向網(wǎng)絡側設備上報能力信息,其中,所述能力信息包括以下至少之一:所述終端的低功耗信號接收機類型;所述終端支持的低功耗信號的調制方...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N報文傳輸方法及設備,可應用于通信技術領域。其中,報文傳輸方法包括:入口邊緣節(jié)點獲取報文集;基于報文劃分策略和報文集,獲取子任務;基于子任務對應的報文處理策略,對報文集包括的報文進行處理。其中,報文集包括一個或多個報文。本申請...
      • 一種通信方法及通信裝置,用于提高測量時間窗口內待測量符號所在的時隙或微時隙被調度的概率,保障時延緊迫型業(yè)務的傳輸時延和可靠性。該方法包括:獲得第一測量配置,第一測量配置用于指示測量時間窗口,測量時間窗口包含第一時域資源和第二時域資源;在第二...
      • 本申請公開一種活性金屬陶瓷基板的制造方法,包含將由第一金屬焊料及第一有機介質制備的第一焊膏涂布于陶瓷基板的上且將第一焊膏干燥,以形成第一子焊料層;將由第二金屬焊料及第二有機介質制備的第二焊膏涂布于第一子焊料層上且將第二焊膏干燥,以形成第二子...
      • 本公開提供了一種半導體結構及其制備方法、存儲系統(tǒng),涉及半導體芯片技術領域,旨在解決形成電容結構的形貌較差的問題。本公開提供的一種半導體結構包括晶體管結構、第一介質層、第二介質層、電容結構和導電接觸結構。其中,第一介質層和第二介質層位于晶體管...
      • 本發(fā)明提供一種超結IGBT結構,該結構包括N柱、P柱、溝槽柵結構、P型摻雜區(qū)、P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、P型接觸區(qū)與NMOS晶體管,其中,溝槽柵結構位于N柱與P柱的交界處,P型摻雜區(qū)位于P柱的上表層且摻雜濃度高于P柱的摻雜濃度,NMOS晶體管包...
      • 本申請涉及一種靜電放電防護器件及其制備方法。靜電放電防護器件包括:深N阱區(qū)域;第一N阱,第一N阱設置在深N阱區(qū)域中;第一N層,第一N層設置在第一N阱上;第一P層,第一P層設置在第一N阱上,第一P層和第一N層間隔設置,第一P層和第一N層用于連...
      • 本申請涉及光電二極管技術領域,涉及一種光電二極管及其制備方法、有源區(qū)結構和電子設備,以得到高質量的InyGa1?yAs吸收層。光電二極管包括依次堆疊設置的N型接觸層、有源區(qū)結構和P型接觸層,有源區(qū)...
      • 本申請涉及一種太陽電池的制備方法及太陽電池。太陽電池的制備方法包括如下步驟:將銀漿轉移至基片表面的預設位置,所述預設位置為所述基片表面用于供銀電極形成的位置,制備轉移產(chǎn)品,所述基片包括硅基材和摻雜于所述硅基材的P型摻雜元素。對所述轉移產(chǎn)品進...
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