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      • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種幀率提升方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及顯示處理技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:當(dāng)確定需要提升游戲畫面的幀率時(shí),創(chuàng)建插幀渲染線程;根據(jù)幀渲染數(shù)據(jù),在插幀渲染線程中生成插幀圖像;將插幀圖像插入主渲染線程根據(jù)幀渲染數(shù)據(jù)生成的原始圖像之...
      • 本申請(qǐng)公開了一種儲(chǔ)液組件及香薰裝置,屬于香薰設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。儲(chǔ)液組件設(shè)有儲(chǔ)液腔,用于存儲(chǔ)精油;儲(chǔ)液組件包括下殼體,下殼體圍設(shè)形成至少部分儲(chǔ)液腔,下殼體包括導(dǎo)液部以及支撐部,導(dǎo)液部?jī)?nèi)設(shè)有微孔結(jié)構(gòu)并與儲(chǔ)液腔連通,支撐部為致密結(jié)構(gòu)且與導(dǎo)液部一體成型...
      • 本發(fā)明公開一種口腔溶解膜制劑、其制備方法及其用途。所述口腔溶解膜制劑包含活性成分、矯味劑、任選存在的額外的活性成分、成膜劑,其中所述矯味劑包覆所述活性成分以及任選存在的額外的活性成分,所述口腔溶解膜制劑通過噴霧干燥工藝與熱熔擠出工藝相結(jié)合的...
      • 本發(fā)明制造一種具備處理對(duì)象氣體還容易到達(dá)內(nèi)部的吸附材料的VOC吸附裝置。VOC吸附裝置的制造方法包含:工序(S1),對(duì)能夠吸附VOC的吸附材料、溶劑、粘合劑以及樹脂珠進(jìn)行混合從而制作漿料;工序(S2),將所述漿料涂敷于基體;以及工序(S3)...
      • 提供一種包含未被化學(xué)改性的萊賽爾纖維的用于吸煙制品的過濾嘴及包括其的吸煙制品。上述包含未被化學(xué)改性的萊賽爾纖維的用于吸煙制品的過濾嘴包括:萊賽爾絲束,包含多根萊賽爾纖維,及功能性添加劑,分散在上述萊賽爾絲束;上述多根萊賽爾纖維中的至少一部分...
      • 本申請(qǐng)公開了一種顯示面板的制備方法、顯示面板以及顯示裝置,該方法包括:在第一基板的第一側(cè)制備驅(qū)動(dòng)電路層以及發(fā)光元件,驅(qū)動(dòng)電路層設(shè)有背離第一基板的第一連接端子,發(fā)光元件設(shè)有背離第一基板的第二連接端子,發(fā)光元件朝向第一基板發(fā)光;在第二基板的第一...
      • 本申請(qǐng)公開了LED顯示基板和LED顯示設(shè)備,該LED顯示基板包括發(fā)光外延層、第一介質(zhì)包層、反射層和多個(gè)反射電極,發(fā)光外延層包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層,第一半導(dǎo)體層形成第一主凹陷區(qū)和多個(gè)第一凸臺(tái)結(jié)構(gòu);第一介質(zhì)包層設(shè)于第一主凹陷區(qū)內(nèi)...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電池片優(yōu)化裝置,包括正面上電機(jī)構(gòu)、承載機(jī)構(gòu)、電源模塊及激光處理機(jī)構(gòu)。正面上電機(jī)構(gòu)包括安裝框及若干金屬絲,若干金屬絲并排間隔設(shè)置在安裝框上。承載機(jī)構(gòu)包括承載臺(tái),承載臺(tái)上設(shè)有導(dǎo)電片,承載臺(tái)用于承載電池片,電池片背面上的柵線與導(dǎo)電...
      • 本申請(qǐng)涉及一種電極制備方法及其裝置和太陽能電池,在電池片襯底的表面形成有機(jī)聚合物薄膜,對(duì)有機(jī)聚合物薄膜進(jìn)行刻蝕以形成穿透有機(jī)聚合物薄膜的凹槽,此時(shí)的凹槽寬度能夠做到更小,在凹槽中填充漿料,在去除剩余有機(jī)聚合物薄膜后完成電極的制備。本申請(qǐng)中的...
      • 本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版,圖像傳感器的制作方法包括:在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層,以在第一光阻層上形成多個(gè)第一離子注入開口;在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層,以第二光阻層上形成多個(gè)第二離子注入...
      • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底;第一介質(zhì)層,位于基底上;第一柵極層,凸立于第一介質(zhì)層上,并使側(cè)部的第一介質(zhì)層被暴露;第二介質(zhì)層,位于第一柵極層的頂部和側(cè)壁、以及第一柵極層側(cè)部的第一介質(zhì)層上;第二柵極層,位于第二介質(zhì)層上,且位...
      • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底,襯底包括第一區(qū)和第二區(qū),第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓;鰭部,分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上;隔離層,位于襯底上且圍繞鰭部的部分側(cè)壁,被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部,第一區(qū)的有效...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底表面形成有若干鰭部,所述鰭部包括若干堆疊的溝道層,其中,所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層;鰭內(nèi)溝槽,位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中;鰭內(nèi)溝道層,位于所述鰭...
      • 本發(fā)明公開一種護(hù)套安裝用輔助絕緣擋板,包括支撐組件、絕緣擋板、轉(zhuǎn)向組件、固定夾組件和定位組件;絕緣擋板安裝在支撐組件的一側(cè);轉(zhuǎn)向組件安裝在支撐組件遠(yuǎn)離絕緣擋板的一側(cè);固定夾組件包括第一夾體和第二夾體;第一夾體安裝在轉(zhuǎn)向組件上,第二夾體與第一...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片及其制作方法、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于在滿足電子設(shè)備的元器件微縮尺寸要求的情況下,改善元器件的性能。該芯片包括多個(gè)陣列結(jié)構(gòu),陣列結(jié)構(gòu)中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括阱區(qū),所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域;分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片;分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
      • 本申請(qǐng)涉及一種發(fā)運(yùn)信息核準(zhǔn)方法、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:接收運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)過程中在稱重節(jié)點(diǎn)進(jìn)行稱重操作觸發(fā)的稱重讀數(shù)指令;讀取稱重節(jié)點(diǎn)的當(dāng)前稱重?cái)?shù)據(jù),得到參照稱重?cái)?shù)據(jù),并將參照稱重?cái)?shù)據(jù)記錄在運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種知識(shí)庫構(gòu)建方法及相關(guān)裝置,該方法包括:獲取參考問答知識(shí)庫中存儲(chǔ)的多個(gè)參考問題和多個(gè)參考答案;將多個(gè)參考問題劃分至多個(gè)問題類別;針對(duì)每個(gè)問題類別,通過語言模型,根據(jù)屬于問題類別的參考問題,生成屬于問題類別的泛化問題;針對(duì)...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì),用于降低內(nèi)存占用且不減少搜索詞條推薦性能??蓱?yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、人工智能、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域。包括:獲取搜索請(qǐng)求;根據(jù)搜索請(qǐng)求從第一詞集合中篩選目標(biāo)關(guān)鍵字索引集合,第一詞集合用于...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N模型訓(xùn)練方法和問題數(shù)據(jù)處理以及相關(guān)裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例可應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域。其中模型訓(xùn)練方法包括:獲取原始問答對(duì),原始問答對(duì)包括原始問題和原始回答;基于行業(yè)知識(shí)庫,檢索原始問題的第一結(jié)果;基于搜索引擎,檢索原始問題的第二結(jié)果;...
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