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          • 本發明涉及燃料電池系統。燃料電池系統在啟動系統時, 供給氧化劑氣體, 并且執行燃料預先投入工序, 在燃料預先投入工序中, 通過燃燒部的燃料濃度相對于氧化劑氣體的供給流量成為爆炸下限以下的燃料氣體的供給流量供給燃料氣體, 直到從燃料供給系統直...
          • 本發明涉及一種用于運行空氣系統(1)的方法, 所述空氣系統用于向至少一個燃料電池供給氧氣, 其中, 所述空氣系統(1)具有空氣路徑(2), 所述空氣路徑具有集成的空氣過濾器(3)和集成的空氣壓縮機(4), 并且其中, 在將環境空氣作為氧氣提...
          • 本發明涉及一種用于為混合動力電動車輛的電動馬達(82)供應電力的系統(100), 該電力供應系統(100)包括氫燃料電池單元(26)、能夠向氫燃料電池單元(26)供應的氫罐(160)、以及在氫燃料電池單元(26)的輸出端處的升壓器(740)...
          • 一種能量產生系統(1)包括:用于產生熱能的催化燃燒器(40);隔熱容器(32), 其中所述隔熱容器(32)包圍所述催化燃燒器(40);和燃料電池, 其中來自所述燃料電池的廢熱可以提供給所述催化燃燒器(40)和/或所述隔熱容器(32);其中所...
          • 根據本公開的一個方面的分隔件的制造方法是一種包括用于產生電能的氣體的流路和頂部設置有襯墊的凸圈的分隔件的制造方法, 該方法包括:通過實施壓模成型在平板狀基材中形成與流路對應的第一凸部的工序, 在形成有第一凸部的基材的表面上形成表層的工序, ...
          • 公開的堿性干電池(10)包括:有底圓筒形的電池殼體(1);負極端子板(7)和墊片(5);以及收納于電池殼體(1)的正極(2)、負極(3)、分隔件(4)、電解液和樹脂片(11)。正極(2)具有圓筒狀的形狀, 具有負極端子板側的第一端面(2a)...
          • 本發明提供一種鋰二次電池, 其包括正極、負極、置于正極和負極之間的隔膜、以及非水電解質, 其中正極包括正極活性材料和第一添加劑, 非水電解質包括鋰鹽、有機溶劑和第二添加劑, 第一添加劑包括選自由式1?1和式1?2表示的化合物組成的組中的至少...
          • 本申請提供了一種柱形二次電池和電子裝置, 包括電極組件, 所述電極組件包括負極極片, 所述負極極片包括負極集流體和位于所述負極集流體至少一個表面上的負極材料層, 基于所述電極組件的體積, 所述負極集流體的體積占比為D%, 所述負極材料層的體...
          • 本發明的一個方面所涉及的蓄電元件用正極具有含有正極活性物質和導電助劑的正極活性物質層, 上述導電助劑包含碳納米管, 上述正極活性物質層中的上述導電助劑的含量為3.0質量%以下, 上述正極活性物質層的BET比表面積為1.00m2/g~3.00...
          • 本發明公開了功率模塊、逆變器以及機電裝置。所述功率模塊包括:具有電路層的基板, 其具有彼此相對的第一側和第二側, 以及位于所述第一側和所述第二側之間且包含石墨烯聚合物合金材料的至少一個中間層;半導體器件, 其設置在所述第一側并與所述電路層形...
          • 實施方式的半導體裝置具有電路基板, 該電路基板具有朝向第一側的第一面以及朝向第一側的相反側的第二側的第二面。具有安裝于第一面的芯片。具有經由第一接合層而與第二面接合的導熱部件。具有經由第二接合層而與導熱部件的朝向第二側的面接合的散熱部件。第...
          • 公開了光子集成電路封裝和制造方法。示例集成電路封裝包括:半導體管芯;封裝襯底, 其支撐所述半導體管芯, 所述封裝襯底包括玻璃芯, 所述玻璃芯包括在所述玻璃芯的相對的第一表面與第二表面之間延伸的貫穿玻璃過孔, 所述玻璃芯包括與所述貫穿玻璃過孔...
          • 一種靜電吸盤(ESC), 所述靜電吸盤具有陶瓷主體, 所述陶瓷主體包括嵌入電極并且具有第一直徑。三個或更多個區域被限定在表面上并同心地布置在所述表面上, 每個區域包括布置在所述表面上并限定所述區域的外邊緣的保持環以及布置在所述表面上并在所述...
          • 一種等離子體處理系統, 具備:等離子體處理裝置;減壓搬送裝置, 其與所述等離子體處理裝置連接, 并且具有搬送基板的搬送機器人;以及控制裝置, 其中, 所述等離子體處理裝置具有:處理容器, 其構成為能夠減壓;基板支承臺, 其設置于所述處理容器...
          • 一種電路基板的制造方法, 其包括:制備多個復合體的工序, 其中, 復合體具備氮化硅板、銅板以及粘結氮化硅板和銅板的釬焊層;以及在一對復合體之間配置間隔物以制備層壓體的工序;以及將層壓體在370~420℃的溫度范圍內加熱3.5小時以上, 以對...
          • 提供一種基板處理方法、基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及半導體制造裝置, 能夠通過抑制或者減少發生膜缺陷而在短時間內高效地將致密性以及保護性能優異的自組裝單分子膜成膜于基板的表面。本發明的基板處理方法包含:分散液生成工序S101, 生成...
          • 該基板處理裝置及基板處理方法一邊向旋轉的基板(W)的上表面供給處理液, 一邊利用照相機(84)拍攝基板(W)的周緣部。由此, 能夠拍攝基板(W)的周緣部的處理的狀態。照相機(84)配置于腔室(30)的外部。因此, 能夠抑制在腔室(30)內的...
          • 一種帶樹脂層的半導體芯片(20A)的制造方法, 其包括:準備包含半導體基板(21)和層疊于半導體基板上的樹脂層(23)的層疊體(20)的工序;將層疊體以樹脂層露出的方式與切割帶(42)貼合的工序;在層疊體的樹脂層上形成保護層(33)的工序;...
          • 本發明提供一種對主面形成有抗蝕膜的基板進行處理的方法。本方法包含:噴嘴配置工序, 將復數流體噴嘴朝向基板的主面配置;供給工序, 向復數流體噴嘴供給水蒸氣、臭氧氣體及硫酸;及混合流體供給工序, 從復數流體噴嘴向上述基板的主面供給水蒸氣、臭氧氣...
          • 根據本公開的實施例的形成氮化鎵(GaN)膜的方法為一種在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的方法, 并且可以包括在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的步驟、將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氧(O2)的等離子體的步驟以及將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氫(H...
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