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      • 本申請(qǐng)公開了一種磷酸氫錳前驅(qū)體、磷酸錳鐵鋰、其制備方法、以及包含其的正極極片、電池及用電裝置,本申請(qǐng)首先使可溶性錳鹽與沉淀劑一次沉淀反應(yīng)制備氫氧化錳,然后再使氫氧化錳與磷酸二次沉淀反應(yīng)制備磷酸氫錳前驅(qū)體。本申請(qǐng)通過二次沉淀反應(yīng)制備了低雜質(zhì)離...
      • 本發(fā)明公開一種分注蓋,包括一主體,其具有一形成于其內(nèi)的第一凹孔、一端口及一位于第一凹孔內(nèi)的導(dǎo)管。該分注蓋具有一蓋子,以可旋轉(zhuǎn)方式和該主體接合,并有一形成于蓋子內(nèi)的第二凹孔。該蓋子可從該蓋子的一閉合位置轉(zhuǎn)到該蓋子的一開啟位置,在該閉合位置時(shí),...
      • 一種觸控膜制造方法,適用于一玻璃熱轉(zhuǎn)印設(shè)備。玻璃熱轉(zhuǎn)印設(shè)備包含一輸送裝置、一放卷裝置以及一熱轉(zhuǎn)印滾輪。此觸控膜制造方法包含:將多個(gè)玻璃基板以一預(yù)設(shè)間隙排列于輸送裝置;將轉(zhuǎn)印薄膜設(shè)置于放卷裝置,其中,此轉(zhuǎn)印薄膜包含一基底膜、一離型層、一顏色層...
      • 本申請(qǐng)涉及一種激光刻蝕方法、太陽電池的制備方法及太陽電池。本申請(qǐng)的激光刻蝕方法包括如下步驟:提供一襯底,襯底的表面上設(shè)置有第一硅材料層,第一硅材料層的遠(yuǎn)離襯底的表面上設(shè)置有保護(hù)層,保護(hù)層遠(yuǎn)離襯底的表面上具有預(yù)設(shè)區(qū)域。沿第一方向在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)進(jìn)...
      • 本發(fā)明涉及無機(jī)物合成、催化劑載體材料制備領(lǐng)域,公開了一種氧化鋁的制備裝置以及制備方法、制備得到的氧化鋁,所述制備裝置包括碳化法反應(yīng)釜、堿性鋁酸鹽溶液原料罐、原料氣瓶、中和反應(yīng)釜、酸性鋁鹽溶液原料罐、堿性溶液原料罐、中間反應(yīng)釜、老化反應(yīng)釜、相...
      • 一種風(fēng)險(xiǎn)確定方法,包括:接收與項(xiàng)目相關(guān)聯(lián)的事件信息,事件信息包括關(guān)于在項(xiàng)目中檢測(cè)到的異常行為的信息或關(guān)于在項(xiàng)目中檢測(cè)到的漏洞的信息;至少部分地基于所接收到的事件信息,識(shí)別一條或更多條攻擊路徑的一個(gè)或更多個(gè)攻擊步驟,一條或更多條攻擊路徑中的每...
      • 提供再循環(huán)性優(yōu)異的粘合片。[1]本發(fā)明的實(shí)施方式的粘合片依次具備粘合劑層、分離層和基材,該分離層由醇溶性樹脂或水溶性樹脂構(gòu)成。[2]上述[1]所述的粘合片中,前述粘合片的錨固力A可以為1N/20mm以上。[3]上述[1]或[2]的粘合片中,...
      • 本發(fā)明提供式(1)所示的化合物的晶體及其制造方法。該晶體滿足下述中的至少一者:通過差示掃描量熱分析得到的熔融吸熱最大溫度為177℃~181℃;以及,在使用Cu?Kα射線的粉末X射線衍射圖案中,在衍射角2θ=7.6±0.2°、8.7±0.2°...
      • 本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池的空穴傳輸層及其制備方法和鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池,屬于疊層電池技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法的步驟(1)在制備隧穿層時(shí)控制氧分壓在合適范圍內(nèi),且利用步驟(2)對(duì)隧穿層進(jìn)行表面處理,兩者共同提高了隧穿層表面的...
      • 本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示基板,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光組件包括多個(gè)發(fā)光單元,驅(qū)動(dòng)單元以及色轉(zhuǎn)部。其中,發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)單元的第一電極連接,發(fā)光單元的第二半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)單元的第二電極連接,由此可以使得驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)...
      • 本申請(qǐng)涉及一種用于太陽能電池增強(qiáng)接觸的熱極化方法及裝置。一方面提供了一種熱極化方法,其包括:將導(dǎo)電漿料涂覆于一個(gè)或多個(gè)鈍化膜硅片的鈍化膜表面上,然后對(duì)所述鈍化膜硅片進(jìn)行燒結(jié)處理以形成一個(gè)或多個(gè)太陽能電板;及將所述一個(gè)或多個(gè)太陽能電板置于電場(chǎng)...
      • 本發(fā)明提供一種西格瑪溝槽及其半導(dǎo)體器件的制作方法,所述西格瑪溝槽的制作方法包括:提供襯底,襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu),柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成有源漏區(qū);進(jìn)行各向異性干法刻蝕,在源漏區(qū)內(nèi)形成第一溝槽;進(jìn)行各向同性化學(xué)反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束之后升高溫度使得反...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片及其制備方法、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,可以在不影響柵控能力的基礎(chǔ)上,利用第一柵介質(zhì)層抑制閾值電壓的正向漂移分量,從而提高晶體管的BTI。該芯片包括晶體管,晶體管包括依次層疊設(shè)置的溝道層、第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層、以...
      • 本申請(qǐng)公開了一種隨機(jī)接入方法、裝置、用戶設(shè)備UE及介質(zhì),屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的隨機(jī)接入方法方法包括:UE基于網(wǎng)絡(luò)配置的M個(gè)隨機(jī)接入資源集中的每個(gè)隨機(jī)接入資源集的可用性,從M個(gè)隨機(jī)接入資源集中確定是否存在可用的隨機(jī)接入資源集;UE具...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種路損確定方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備,方法包括:接收網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備發(fā)送的第一信息,所述第一信息包括用于指示是否基于第一路損偏移確定第一信號(hào)的路損,和/或指示第一路損偏移的信息;根據(jù)所述第一信息,執(zhí)行目標(biāo)操作,所述目標(biāo)操作包括...
      • 本申請(qǐng)公開了一種頻域位置確定方法、裝置、終端及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的頻域位置確定方法包括:第一設(shè)備確定第一規(guī)則;第一設(shè)備按照第一規(guī)則確定目標(biāo)頻域位置,該目標(biāo)頻域位置為發(fā)送傳輸信息使用的頻域位置;其中,上述第一規(guī)則包括...
      • 一種通信方法及相關(guān)裝置,該方法中,由無線接入網(wǎng)設(shè)備向終端預(yù)配置節(jié)能狀態(tài)下的公共信號(hào)參數(shù),當(dāng)無線接入網(wǎng)設(shè)備決定開啟節(jié)能時(shí),其通過第一指示信息通知終端,從而空閑態(tài)/非激活態(tài)/連接態(tài)終端可以根據(jù)該配置的公共信號(hào)快速實(shí)現(xiàn)與無線接入網(wǎng)設(shè)備的通信。
      • 一種通信方法及相關(guān)裝置,涉及通信技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:第一節(jié)點(diǎn)向第二節(jié)點(diǎn)發(fā)送第一消息,相應(yīng)的,第二節(jié)點(diǎn)接收該第一消息;以及第二節(jié)點(diǎn)向第一節(jié)點(diǎn)發(fā)送第二消息,相應(yīng)的,第一節(jié)點(diǎn)接收該第二消息;其中,該第一消息用于請(qǐng)求針對(duì)LTM將第二節(jié)點(diǎn)添加為終端...
      • 一種通信方法和通信裝置,該方法應(yīng)用于LTM切換場(chǎng)景。該方法包括:第一節(jié)點(diǎn)向第二節(jié)點(diǎn)發(fā)送第一消息,第一消息用于請(qǐng)求將第二節(jié)點(diǎn)添加為終端的候選輔節(jié)點(diǎn),第一消息包括第一標(biāo)識(shí)信息,第一標(biāo)識(shí)信息用于向第二節(jié)點(diǎn)請(qǐng)求提前同步配置;第一節(jié)點(diǎn)接收來自于第二節(jié)...
      • 本申請(qǐng)公開了一種信息上報(bào)方法、接收方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備,屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的信息上報(bào)方法包括:終端上報(bào)AIoT信息,所述AIoT信息用于輔助如下至少一項(xiàng):為所述終端配置雙連接DC或載波聚合CA;建立所述終端的DC或CA。
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