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            拖動滑塊完成拼圖
        
      
        
      
    
      
    
      
        
      
        
      
    
      

      














      
    
    
      
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N碼本子集限制方法和裝置，涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，該方法中，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備向終端設(shè)備發(fā)送N個參考信號和N個第一碼本子集限制，該N個參考信號與該N個第一碼本子集限制一一關(guān)聯(lián)，其中，N為大于1的整數(shù)；終端設(shè)備基于該N個參考信號和該N個第一碼本...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N端子、電連接器及電連接器組件，所述端子包括：一固定部，包括一第一段、一第二段、一第三段和一第四段，所述第一段和所述第二段彼此間隔相對，所述第三段和所述第四段彼此間隔相對，且所述第一段、所述第三段、所述第二段和所述第四段依序依...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種波導天線、探測方法及相關(guān)裝置。該波導天線包括：波導腔體、饋電端口以及第一輻射端口；波導天線用于在至少兩個工作頻率范圍下工作；饋電端口輸入的信號經(jīng)由波導腔體傳輸并通過第一輻射端口輻射；第一輻射端口在不同的工作頻率范圍下的...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施方式提供一種散熱殼體、液冷裝置及車輛。散熱殼體包括冷板、第一散熱凸臺及殼體，冷板內(nèi)設(shè)有用于流通換熱工質(zhì)的流道，第一散熱凸臺凸設(shè)于冷板。殼體包括側(cè)壁與頂壁，側(cè)壁與頂壁圍成用于收容第一芯片的容置空間。頂壁設(shè)有與容置空間連通的第一開孔。...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及半導體電路設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及一種存儲器結(jié)構(gòu)、刷新方法及存儲器，其中，存儲器結(jié)構(gòu)包括：刷新存儲電路，設(shè)置于存儲控制器中，用于存儲補充刷新地址，補充刷新地址用于指示保存電荷能力存在缺陷的存儲單元；刷新寄存器，設(shè)置于多個存儲塊的每一存儲...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供一種可折疊電子設(shè)備，包括：第一主體部、第二主體部、轉(zhuǎn)軸機構(gòu)、穿軸柔性電路板以及壓緊件，第一主體部與第二主體部通過轉(zhuǎn)軸機構(gòu)實現(xiàn)相對展開和折疊，穿軸柔性電路板的中部橫跨于轉(zhuǎn)軸機構(gòu)，穿軸柔性電路板的兩端分別延伸至第一主體部和第二主...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)遷移方法、裝置、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及云計算技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：首先，從源數(shù)據(jù)倉庫獲取待遷移對象的元數(shù)據(jù)；然后，根據(jù)元數(shù)據(jù)，確定待遷移對象的實體類型和實體之間的部署依賴關(guān)系；獲取待遷移對象在源數(shù)據(jù)倉庫中的環(huán)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N數(shù)據(jù)校驗方法、裝置和系統(tǒng)，應用于通信領(lǐng)域。該方法包括：獲取運行環(huán)境信息、校驗信息和待校驗數(shù)據(jù)；根據(jù)該運行環(huán)境信息和該校驗信息，匹配目標校驗方式；該目標校驗方式為第一校驗方式、第二校驗方式和第三校驗方式中的一種；該第一校驗方式基...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N主頁狀態(tài)欄顯示方法及顯示設(shè)備，控制器響應于針對主頁狀態(tài)欄的編輯操作，調(diào)整主頁狀態(tài)欄的編輯參數(shù)。如果監(jiān)測到針對第一顯示項目的顯示狀態(tài)變更消息，獲取第一顯示項目的顯示狀態(tài)的第二參數(shù)數(shù)據(jù)。在顯示器上顯示主頁狀態(tài)欄時，基于調(diào)整后的編輯...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N圖形處理模式切換方法及電子設(shè)備，涉及終端技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：顯示第一應用的第一界面，第一界面是采用第一圖形處理模式生成的；在顯示第一界面的過程中，檢測到第一應用發(fā)生第一事件，第一事件是第一圖形處理模式觸發(fā)的異常事件；響應于第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供一種應用廣告處理方法、電子設(shè)備和計算機可讀存儲介質(zhì)，包括：電子設(shè)備在接收到對第一應用的啟動操作后，響應于這個啟動操作，創(chuàng)建第一應用啟動過程中的廣告圖層，即第一廣告圖層，為第一應用注冊第一傳感器監(jiān)聽。然后，電子...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例公開了一種折疊屏分屏的方法及裝置；該方法可包括：折疊屏全屏顯示第一用戶界面，第一屏和第二屏之間的角度當前為第一角度，所述第一角度的大小在預設(shè)角度到180°的范圍內(nèi)；監(jiān)測第一屏和第二屏之間的角度變化情況；若檢測到第一屏和第二屏之間...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N電池儲能裝置絕緣壽命的評估方法、裝置及電子設(shè)備，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取目標數(shù)據(jù)，目標數(shù)據(jù)包括電池儲能裝置的運行工況數(shù)據(jù)和與電池儲能裝置的絕緣性能相關(guān)的參數(shù)；根據(jù)目標數(shù)據(jù)，確定電池儲能裝置的絕緣壽命。上述技術(shù)方案能...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N轉(zhuǎn)軸機構(gòu)和可折疊電子設(shè)備，能夠提升轉(zhuǎn)軸機構(gòu)產(chǎn)生的阻尼效果，滿足用戶對可折疊電子設(shè)備的開合手感需求。轉(zhuǎn)軸機構(gòu)包括第一支架、第一銷軸、第二銷軸、以及套設(shè)于第一銷軸和第二銷軸的第一凸輪滑塊、第二凸輪滑塊、擋板、第一彈性件、第一阻尼擺...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種制備L?古羅糖醛酸的方法，屬于生物工程和酶工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用半乳糖氧化酶(Galactose oxidase,GOase)催化葡萄糖酸(Gluconic acid)生成L?古羅糖醛酸(L?guluronic acid)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開高產(chǎn)乙酸芐酯的大腸桿菌工程菌株及其應用。該大腸桿菌菌株高效表達了一種乙酸芐酯全新的生物合成途徑相關(guān)基因，包括苯丙氨酸裂解酶基因、肉桂酸輔酶A連接酶基因、3?羥基酰基輔酶A脫氫酶基因、3?氧酰基輔酶A酮水解酶基因、烯酰輔酶A水合酶基...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及電動工具技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種電動工具及其操作方法，該電動工具包括殼體、電機、開關(guān)組件和方向組件，其中，電機至少部分設(shè)置在殼體內(nèi)，電機包括可繞第一軸線轉(zhuǎn)動的轉(zhuǎn)動軸；開關(guān)組件用于供用戶操作以在啟動位置和停機位置切換，在開關(guān)組件處于...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及半導體器件、功率放大器、電子設(shè)備及半導體器件的制備方法，半導體器件包括襯底、外延層、源電極、柵電極和漏電極，襯底和外延層沿第三方向?qū)盈B設(shè)置，源電極、柵電極和漏電極設(shè)置于外延層的背離襯底的一側(cè)，源電極、柵電極和漏電極沿第一方向交替分...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種相變存儲單元形成方法及相變存儲單元，包括在存儲區(qū)域形成自下而上依次相連的底電極、相變單元、保護層和刻蝕阻擋層，在外圍區(qū)域形成底部接觸結(jié)構(gòu)，使底部接觸結(jié)構(gòu)和底電極上方覆蓋有刻蝕停止層，并使相變單元位于刻蝕停止層上方；在刻蝕停止...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種相變存儲單元及制備方法，方法包括：在第一介質(zhì)層中形成加熱電極；在第一介質(zhì)層的表面上形成凸臺結(jié)構(gòu)，使加熱電極的頂部位于凸臺結(jié)構(gòu)中；在第一介質(zhì)層的表面上形成黏附層，將凸臺結(jié)構(gòu)覆蓋，并通過平坦化，使加熱電極的頂部露出；在黏附層的表...
								
        
							
        
							
						
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