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          • 本發(fā)明涉及一種晶片, 該晶片由具有擇優(yōu)晶體取向的多晶SiC制成, 該晶片的特征在于在其面的每個(gè)面均滿足:(i)其織構(gòu)系數(shù)C422小于40%, 且(ii)其織構(gòu)系數(shù)C220+C200+C400大于50%, 優(yōu)選大于80%。該晶片可以通過(guò)CVD...
          • 根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的形成氮化鎵(GaN)膜的方法為一種在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的方法, 并且可以包括在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的步驟、將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氧(O2)的等離子體的步驟以及將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氫(H...
          • 本發(fā)明提供一種對(duì)主面形成有抗蝕膜的基板進(jìn)行處理的方法。本方法包含:噴嘴配置工序, 將復(fù)數(shù)流體噴嘴朝向基板的主面配置;供給工序, 向復(fù)數(shù)流體噴嘴供給水蒸氣、臭氧氣體及硫酸;及混合流體供給工序, 從復(fù)數(shù)流體噴嘴向上述基板的主面供給水蒸氣、臭氧氣...
          • 一種帶樹(shù)脂層的半導(dǎo)體芯片(20A)的制造方法, 其包括:準(zhǔn)備包含半導(dǎo)體基板(21)和層疊于半導(dǎo)體基板上的樹(shù)脂層(23)的層疊體(20)的工序;將層疊體以樹(shù)脂層露出的方式與切割帶(42)貼合的工序;在層疊體的樹(shù)脂層上形成保護(hù)層(33)的工序;...
          • 該基板處理裝置及基板處理方法一邊向旋轉(zhuǎn)的基板(W)的上表面供給處理液, 一邊利用照相機(jī)(84)拍攝基板(W)的周緣部。由此, 能夠拍攝基板(W)的周緣部的處理的狀態(tài)。照相機(jī)(84)配置于腔室(30)的外部。因此, 能夠抑制在腔室(30)內(nèi)的...
          • 提供一種基板處理方法、基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體制造裝置, 能夠通過(guò)抑制或者減少發(fā)生膜缺陷而在短時(shí)間內(nèi)高效地將致密性以及保護(hù)性能優(yōu)異的自組裝單分子膜成膜于基板的表面。本發(fā)明的基板處理方法包含:分散液生成工序S101, 生成...
          • 一種電路基板的制造方法, 其包括:制備多個(gè)復(fù)合體的工序, 其中, 復(fù)合體具備氮化硅板、銅板以及粘結(jié)氮化硅板和銅板的釬焊層;以及在一對(duì)復(fù)合體之間配置間隔物以制備層壓體的工序;以及將層壓體在370~420℃的溫度范圍內(nèi)加熱3.5小時(shí)以上, 以對(duì)...
          • 一種等離子體處理系統(tǒng), 具備:等離子體處理裝置;減壓搬送裝置, 其與所述等離子體處理裝置連接, 并且具有搬送基板的搬送機(jī)器人;以及控制裝置, 其中, 所述等離子體處理裝置具有:處理容器, 其構(gòu)成為能夠減壓;基板支承臺(tái), 其設(shè)置于所述處理容器...
          • 一種靜電吸盤(pán)(ESC), 所述靜電吸盤(pán)具有陶瓷主體, 所述陶瓷主體包括嵌入電極并且具有第一直徑。三個(gè)或更多個(gè)區(qū)域被限定在表面上并同心地布置在所述表面上, 每個(gè)區(qū)域包括布置在所述表面上并限定所述區(qū)域的外邊緣的保持環(huán)以及布置在所述表面上并在所述...
          • 公開(kāi)了光子集成電路封裝和制造方法。示例集成電路封裝包括:半導(dǎo)體管芯;封裝襯底, 其支撐所述半導(dǎo)體管芯, 所述封裝襯底包括玻璃芯, 所述玻璃芯包括在所述玻璃芯的相對(duì)的第一表面與第二表面之間延伸的貫穿玻璃過(guò)孔, 所述玻璃芯包括與所述貫穿玻璃過(guò)孔...
          • 實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有電路基板, 該電路基板具有朝向第一側(cè)的第一面以及朝向第一側(cè)的相反側(cè)的第二側(cè)的第二面。具有安裝于第一面的芯片。具有經(jīng)由第一接合層而與第二面接合的導(dǎo)熱部件。具有經(jīng)由第二接合層而與導(dǎo)熱部件的朝向第二側(cè)的面接合的散熱部件。第...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了功率模塊、逆變器以及機(jī)電裝置。所述功率模塊包括:具有電路層的基板, 其具有彼此相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè), 以及位于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)之間且包含石墨烯聚合物合金材料的至少一個(gè)中間層;半導(dǎo)體器件, 其設(shè)置在所述第一側(cè)并與所述電路層形...
          • 本發(fā)明的一個(gè)方面所涉及的蓄電元件用正極具有含有正極活性物質(zhì)和導(dǎo)電助劑的正極活性物質(zhì)層, 上述導(dǎo)電助劑包含碳納米管, 上述正極活性物質(zhì)層中的上述導(dǎo)電助劑的含量為3.0質(zhì)量%以下, 上述正極活性物質(zhì)層的BET比表面積為1.00m2/g~3.00...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N柱形二次電池和電子裝置, 包括電極組件, 所述電極組件包括負(fù)極極片, 所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體和位于所述負(fù)極集流體至少一個(gè)表面上的負(fù)極材料層, 基于所述電極組件的體積, 所述負(fù)極集流體的體積占比為D%, 所述負(fù)極材料層的體...
          • 本發(fā)明提供一種鋰二次電池, 其包括正極、負(fù)極、置于正極和負(fù)極之間的隔膜、以及非水電解質(zhì), 其中正極包括正極活性材料和第一添加劑, 非水電解質(zhì)包括鋰鹽、有機(jī)溶劑和第二添加劑, 第一添加劑包括選自由式1?1和式1?2表示的化合物組成的組中的至少...
          • 公開(kāi)的堿性干電池(10)包括:有底圓筒形的電池殼體(1);負(fù)極端子板(7)和墊片(5);以及收納于電池殼體(1)的正極(2)、負(fù)極(3)、分隔件(4)、電解液和樹(shù)脂片(11)。正極(2)具有圓筒狀的形狀, 具有負(fù)極端子板側(cè)的第一端面(2a)...
          • 根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面的分隔件的制造方法是一種包括用于產(chǎn)生電能的氣體的流路和頂部設(shè)置有襯墊的凸圈的分隔件的制造方法, 該方法包括:通過(guò)實(shí)施壓模成型在平板狀基材中形成與流路對(duì)應(yīng)的第一凸部的工序, 在形成有第一凸部的基材的表面上形成表層的工序, ...
          • 一種能量產(chǎn)生系統(tǒng)(1)包括:用于產(chǎn)生熱能的催化燃燒器(40);隔熱容器(32), 其中所述隔熱容器(32)包圍所述催化燃燒器(40);和燃料電池, 其中來(lái)自所述燃料電池的廢熱可以提供給所述催化燃燒器(40)和/或所述隔熱容器(32);其中所...
          • 本發(fā)明涉及一種用于為混合動(dòng)力電動(dòng)車(chē)輛的電動(dòng)馬達(dá)(82)供應(yīng)電力的系統(tǒng)(100), 該電力供應(yīng)系統(tǒng)(100)包括氫燃料電池單元(26)、能夠向氫燃料電池單元(26)供應(yīng)的氫罐(160)、以及在氫燃料電池單元(26)的輸出端處的升壓器(740)...
          • 本發(fā)明涉及一種用于運(yùn)行空氣系統(tǒng)(1)的方法, 所述空氣系統(tǒng)用于向至少一個(gè)燃料電池供給氧氣, 其中, 所述空氣系統(tǒng)(1)具有空氣路徑(2), 所述空氣路徑具有集成的空氣過(guò)濾器(3)和集成的空氣壓縮機(jī)(4), 并且其中, 在將環(huán)境空氣作為氧氣提...
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