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最新專利技術(shù)

一種用于電池極片或固態(tài)電池的氣體等靜壓方法和裝置

本發(fā)明公開了一種用于電池極片或固態(tài)電池的氣體等靜壓方法和裝置。所述等靜壓方法包括以下步驟：將極片或固態(tài)電池電芯裝入鋁塑袋內(nèi)，并對鋁塑袋進行抽真空和密封處理；將密封后的鋁塑袋放入施壓倉組件中，設(shè)定施壓壓力和維持時間；啟動施壓功能，壓縮氣源供給...

2025-09-14
一種摻雜C₃N₄的銅金屬有機骨架電催化材料及其制備方法

本發(fā)明提供了一種摻雜C₃N₄的銅金屬有機骨架電催化材料及其制備方法。步驟如下：首先將銅金屬有機骨架（Cu?MOF）與三聚氰胺反應(yīng)，保證在水熱前提下，干燥之后生成前驅(qū)體。然后在氮氣氣氛中設(shè)置溫度為6...

2025-09-14
一種硅碳顆粒負極材料及其制備方法與應(yīng)用

本發(fā)明涉及一種硅碳顆粒負極材料及其制備方法與應(yīng)用，一種硅碳顆粒負極材料，硅碳顆粒負極材料包括：多孔碳基體，包覆于多孔碳基體的孔隙中和外表面的含硅包覆層，以及包覆于硅包覆層的外表面的碳包覆層；含硅包覆層為硅和/或硅的氧化物；硅的氧化物的化學(xué)通...

2025-09-14
一種鉛酸蓄電池極板浸泡設(shè)備

本發(fā)明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設(shè)備，屬于鉛酸蓄電池的制造技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉛酸蓄電池使用壽命短的問題。本發(fā)明包括浸泡池和輸送機構(gòu)，所述輸送機構(gòu)的至少一部分位于所述浸泡池內(nèi)，且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端；還包括吸附機構(gòu)，所述吸...

2025-09-14
一種增韌納米涂層集流體的制備方法

本發(fā)明涉及集流體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1：(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑；(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體，然后嵌段硬單體，得到嵌段彈性體；步驟2：將導(dǎo)電劑、嵌...

2025-09-14
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置

本申請公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置，包括基底和位于所述基底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中設(shè)有多個焊墊；所述焊墊的至少一個轉(zhuǎn)角為弧形墊角，所述弧形墊角具有能夠分散應(yīng)力的曲面。本申請在介質(zhì)層中設(shè)置多個焊墊，該焊墊的至少一個轉(zhuǎn)角...

2025-09-14
積層結(jié)構(gòu)

本發(fā)明提供一種積層結(jié)構(gòu)，包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上，且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開口圖案。第二金屬圖...

2025-09-14
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，旨在簡化半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程，減小晶圓被污染的風(fēng)險。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質(zhì)層。在介質(zhì)層遠離襯底的表面形成凹槽。利用反應(yīng)氣體，至少在凹...

2025-09-14
一種原位去除銅氧化物的方法、晶圓鍵合方法及鍵合結(jié)構(gòu)

本申請?zhí)峁┝艘环N原位去除銅氧化物的方法，包括以下步驟：將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面，所述次磷酸與所述銅氧化物反應(yīng)生成氫化亞銅；加熱分解所述氫化亞銅，原位形成銅單質(zhì)。本申請利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應(yīng)生成固體氫化亞銅，生成的氫化亞銅...

2025-09-14
具有不同儲存框架的晶圓盒

一種具有不同儲存框架的晶圓盒，所述晶圓盒包括一底座、一第一儲存框架、一第二儲存框架及一蓋體；所述第一儲存框架配置為儲存至少一第一晶圓片，所述第二儲存框架配置為儲存至少一第二晶圓片，所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓，所...

2025-09-14
半導(dǎo)體器件檢測方法、計算機設(shè)備、可讀存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的檢測方法、計算機設(shè)備、計算機可讀存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品，半導(dǎo)體器件的檢測方法包括：獲取晶圓的晶圓殘差圖，所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個檢測區(qū)域的灰度成像；獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段，所述灰度曲線段...

2025-09-14
激光輔助鍵合方法

一種激光輔助鍵合方法包括：將半導(dǎo)體芯片放置于基板上，其中所述半導(dǎo)體芯片在其前表面具有針對紅外光線的抗反射層，并且在所述基板與所述半導(dǎo)體芯片之間形成有焊料凸塊；以及將紅外激光束通過所述抗反射層照射到所述半導(dǎo)體芯片，以通過被所述半導(dǎo)體芯片吸收的...

2025-09-14
旋鈕模組、旋鈕模組的狀態(tài)確定方法、裝置及電子設(shè)備

本申請涉及一種旋鈕模組、旋鈕模組的狀態(tài)確定方法、裝置及電子設(shè)備，旋鈕模組包括：控制器、旋鈕、凸輪、第一機械開關(guān)和第二機械開關(guān)；旋鈕與凸輪連接，凸輪包括層疊設(shè)置的第一區(qū)間和第二區(qū)間，第一區(qū)間包括多個第一凸起點，第二區(qū)間包括多個第二凸起點；其中...

2025-09-14
一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法及其用途

本發(fā)明提供了一種多孔碳納米纖維/多孔泡沫石墨烯/聚吡咯三元電極材料的制備方法，其包括如下步驟：1)多孔碳納米纖維的制備；2)多孔泡沫石墨烯的制備；3)將多孔碳納米纖維、多孔泡沫石墨烯、聚吡咯、乙炔黑和PTFE混合在無水乙醇中，超聲分散40m...

2025-09-14
電磁鐵組件及具有其的制動鎖止裝置

本發(fā)明公開了一種電磁鐵組件及具有其的制動鎖止裝置，其電磁鐵組件包括電磁鐵殼體、推桿軸以及設(shè)在電磁鐵殼體內(nèi)的靜鐵芯、動鐵芯和磁體線圈繞組結(jié)構(gòu)，所述推桿軸貫穿靜鐵芯的芯孔布置并與動鐵芯固定相連，所述推桿軸和靜鐵芯的芯孔之間和/或所述靜鐵芯和動鐵...

2025-09-14
配體信息生成模型的訓(xùn)練、配體信息的生成方法及裝置

本申請公開了一種配體信息生成模型的訓(xùn)練、配體信息的生成方法及裝置，屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：獲取樣本受體信息和樣本配體信息，樣本配體信息描述的配體與樣本受體信息描述的受體之間的結(jié)合親和力不小于設(shè)定親和力；通過待訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型基于樣...

2025-09-14
分子結(jié)合預(yù)測模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)

本申請公開了一種分子結(jié)合預(yù)測模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：通過分子結(jié)合預(yù)測模型對第一生物分子樣本的序列進行特征提取，得到第一特征；通過分子結(jié)合預(yù)測模型對第二生物分子樣本的序列進行特征提取，得到第二特...

2025-09-14
一種內(nèi)存的編解碼方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

本申請公開了一種內(nèi)存的編解碼方法方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，編碼方法包括：獲取待寫入的數(shù)據(jù)塊和與數(shù)據(jù)塊對應(yīng)的已知字串；對數(shù)據(jù)塊和已知字串進行糾錯編碼得到糾錯信息；將數(shù)據(jù)塊和糾錯信息進行拼接得到糾錯碼碼字并存入內(nèi)存。通過引入已知字串與數(shù)據(jù)...

2025-09-14
存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、存儲器控制器及操作方法

本申請實施例提供一種存儲器裝置、存儲器系統(tǒng)、存儲器控制器及操作方法。其中，存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元，預(yù)設(shè)個數(shù)的存儲單元形成一個碼字；外圍電路，與存儲單元陣列耦接且被配置為：獲取至少一個碼字在目標(biāo)讀取電壓下對應(yīng)的第一結(jié)果...

2025-09-14
相變存儲器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲介質(zhì)

本申請實施例提供一種相變存儲器的數(shù)據(jù)訪問方法、相關(guān)設(shè)備及存儲介質(zhì)。在本申請實施例中，在PCM的控制器中增加少量的SRAM資源，在寫階段，利用SRAM提供的位圖可以對各個粗粒度單位時間是否發(fā)生寫操作進行記錄；利用SRAM提供的布隆過濾器可以對...

2025-09-14

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