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      最新專利技術(shù)
      • 本公開提供了一種用于A/B實(shí)驗(yàn)的方法、裝置、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括根據(jù)預(yù)設(shè)埋點(diǎn)配置信息,攔截多個(gè)用戶的服務(wù)請求,確定各個(gè)服務(wù)請求的路由信息;根據(jù)路由信息修改對(duì)應(yīng)的服務(wù)請求,將修改后的服務(wù)請求路由至主程序容器,...
      • 本申請?zhí)峁┮环N處理器調(diào)試方法、裝置、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:獲取調(diào)試命令,調(diào)試命令包括:調(diào)試對(duì)象名和操作指令;從配置文件中查找調(diào)試對(duì)象名對(duì)應(yīng)的地址信息,配置文件中存儲(chǔ)有調(diào)試對(duì)象名以及調(diào)試對(duì)象名對(duì)應(yīng)在待調(diào)試處理器中的地址信息;根...
      • 本申請公開了一種基于多級(jí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)讀寫方法、裝置以及多級(jí)存儲(chǔ),屬于計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法中,多級(jí)存儲(chǔ)中第k+1級(jí)存儲(chǔ)響應(yīng)于第k級(jí)存儲(chǔ)發(fā)送的寫回請求,能夠?qū)⒌趉級(jí)存儲(chǔ)中與第一地址對(duì)應(yīng)的多個(gè)緩存線中的數(shù)據(jù)先進(jìn)行歸約操作,再將該歸約操作的結(jié)果寫入...
      • 本申請涉及人工智能領(lǐng)域,提供了一種內(nèi)容展示方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括:響應(yīng)于目標(biāo)對(duì)象針對(duì)默認(rèn)內(nèi)容展示頁面觸發(fā)的頁面跳轉(zhuǎn)操作,快速跳轉(zhuǎn)至目標(biāo)對(duì)象關(guān)聯(lián)的選擇頁面,在該頁面的內(nèi)容展示區(qū)域中,展示了目標(biāo)對(duì)象可能感興趣的各興趣主題及各主題...
      • 本申請?zhí)岢隽艘环N薄膜噴涂控制優(yōu)化方法及裝置,涉及薄膜噴涂技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取目標(biāo)噴槍的噴涂基本參數(shù)和噴涂控制參數(shù),以及獲取待噴涂溶液的待噴涂溶液參數(shù);將噴涂基本參數(shù)和待噴涂溶液參數(shù)輸入噴槍?基板距離對(duì)照表進(jìn)行匹配,得到第一噴涂距離;以...
      • 一種陣列基板,包括:第一襯底、多個(gè)子像素、第一絕緣層和第二絕緣層。多個(gè)子像素位于第一有效區(qū)域,至少一個(gè)子像素包括:連接電極和第一電極。第一絕緣層位于第一電極靠近第一襯底的一側(cè),且在第一有效區(qū)域設(shè)置有第一過孔。第二絕緣層位于連接電極遠(yuǎn)離第一襯...
      • 本發(fā)明提供了一種顯示裝置,其包括自發(fā)光顯示面板以及依序堆疊于自發(fā)光顯示面板的顯示面上的第三偏光片、第二電控視角切換器、第二偏光片、第一電控視角切換器與第一偏光片。第一電控視角切換器包括第一液晶層、第一配向?qū)优c第二配向?qū)印5谝慌湎驅(qū)游挥诘谝灰?..
      • 本公開涉及電器設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域,公開一種溫控裝置及其控制方法、控制裝置、電器設(shè)備。溫控裝置包括外殼、第一風(fēng)門、第二風(fēng)門、送風(fēng)模塊、蒸發(fā)器、與第二風(fēng)門連通的導(dǎo)風(fēng)筒;外殼內(nèi)部形成有風(fēng)道,外殼設(shè)置有風(fēng)道的出風(fēng)口、兩個(gè)第一進(jìn)風(fēng)口和兩個(gè)第二進(jìn)風(fēng)口,沿著...
      • 本發(fā)明涉及催化能源領(lǐng)域,提供了一種三維有序孔結(jié)構(gòu)一體化電極及其制備方法,將窄帶隙半導(dǎo)體置于光電極上層以吸收能量較低的光,而寬帶隙半導(dǎo)體置于光電極下層以吸收能量較高的光,旨在增大光催化反應(yīng)面積和反應(yīng)活性位點(diǎn),提高光生電子?空穴對(duì)的分離和太陽能...
      • 本申請公開了一種多元素?fù)诫s共生氧化鋅晶須高電導(dǎo)高密度濺射靶材的制備方法及其產(chǎn)品,涉及光電材料技術(shù)領(lǐng)域。多元素?fù)诫s共生氧化鋅晶須高電導(dǎo)高密度濺射靶材的制備方法,包括以下步驟:制備摻雜共生氧化鋅晶須粉末;在摻雜氧化鋅晶須粉末中加入潤濕劑和分散劑...
      • 本申請涉及靶向MUC18的嵌合抗原受體,其包括:特異性識(shí)別MUC18的抗體片段、IgG4鉸鏈區(qū)、CD8跨膜區(qū)或CD28跨膜區(qū)、CD28共刺激信號(hào)域或4?1BB共刺激信號(hào)域、CD3ζ信號(hào)域;所述抗體片段包含重鏈可變區(qū)VH和輕鏈可變區(qū)VL,所述...
      • 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光化合物及其應(yīng)用。本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光化合物,具有如下式(1)所示的結(jié)構(gòu): 2025-09-09
      • 本申請公開了一種手性羥基環(huán)丁烯酮的制備方法,包括:在手性催化劑和轉(zhuǎn)移氫化試劑的存在下,由環(huán)丁烯二酮通過選擇性轉(zhuǎn)移氫化反應(yīng),生成所述手性羥基環(huán)丁烯酮。采用本申請所提供的方法,其原料和催化劑廉價(jià)易得,反應(yīng)條件溫和,操作簡單,反應(yīng)高效;通過對(duì)環(huán)丁...
      • 本發(fā)明公開了一種電梯緩沖器,其包括基座構(gòu)件,其限定于接納可壓縮能量吸收器的一部分;帽,其在使用中位于基座構(gòu)件之上,帽限定于可彈性變形構(gòu)件的一個(gè)或多個(gè)反作用表面以及用于接納可壓縮能量吸收器的一部分的另外的向下延伸的帽凹部;可壓縮能量吸收器,其...
      • 本公開的實(shí)施例提供了一種車輛控制方法、裝置、設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:獲取車輛采集到的預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的當(dāng)前環(huán)境信息;若所述當(dāng)前環(huán)境信息為預(yù)設(shè)環(huán)境信息,則獲取所述車輛的當(dāng)前位置;獲取所述當(dāng)前位置的當(dāng)前天氣信息;若所述當(dāng)前天氣信息符合...
      • 本申請適用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,提供一種加工方法、裝置、器件、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),所述加工方法用于加工具有裂紋層的工件,所述裂紋層位于所述工件的厚度方向的指定厚度位置,所述裂紋層具有裂紋;所述加工方法包括:超聲波聚焦于所述工件的裂紋層,使得所述裂紋...
      • 本發(fā)明提供一種換能裝置,包含:基板;以及多個(gè)換能組件,設(shè)置在該基板上,且每個(gè)換能組件包含:下電極;振蕩組件,設(shè)置在該下電極上且具有開孔,其中,該下電極與該振蕩組件之間具有空腔;上電極,設(shè)置在該振蕩組件上,其中,在俯視方向上,該上電極與該下電...
      • 本公開實(shí)施例公開了一種基因測序芯片及其制備方法。該制備方法包括:提供基因測序芯片主體結(jié)構(gòu),基因測序芯片主體結(jié)構(gòu)內(nèi)包括流體室,流體室具有入口和出口,流體室內(nèi)有多個(gè)微坑,微坑的外表面具有疏水修飾;向流體室中通入反應(yīng)液,使反應(yīng)液流入各微坑內(nèi),反應(yīng)...
      • 一種基因芯片的重復(fù)使用方法,包括:(1)重置基因芯片;(2)對(duì)重置后的基因芯片進(jìn)行整體疏水處理;(3)使用氣體封或油封的方式在基因芯片微坑內(nèi)生成RNA或DNA載體。本發(fā)明用油或氣將流道內(nèi)的液體獨(dú)立分割在疏水芯片各微坑內(nèi),使其能快速地僅在微坑...
      • 本發(fā)明公開一種榨汁機(jī),其中,榨汁機(jī)包括機(jī)架、承壓件、滾碾盤和驅(qū)動(dòng)裝置,承壓件安裝于所述機(jī)架,用以放置壓榨物,滾碾盤在周向上相對(duì)固定地安裝于所述機(jī)架,所述滾碾盤間隔設(shè)于所述承壓件的上方,所述滾碾盤具有第一軸線,所述滾碾盤的下表面設(shè)有滾壓面,所...
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