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								      本發(fā)明提供了一種制冷設(shè)備及其安裝方法。其中制冷設(shè)備的注水管穿過冷凍/變溫內(nèi)膽壁的第一開口、預(yù)埋架的連接孔、發(fā)泡空間、冷藏內(nèi)膽壁的第二開口，注水管出水端置于冷凍/變溫室內(nèi)的制冰室內(nèi)并用于向制冰機(jī)注水，注水管進(jìn)水端置于冷藏室內(nèi)并連接于供水組件，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于Mallat算法的測井曲線重構(gòu)方法及裝置，涉及測井曲線重構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，其技術(shù)方案要點是將GR曲線與RT曲線中的任意一種作為巖性敏感曲線，分別對巖性敏感曲線與DT曲線，基于mallat算法進(jìn)行小波分解，獲得巖性敏感曲線細(xì)節(jié)部...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種數(shù)字化平臺的生成方法和裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備。涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，其中，該方法包括：依據(jù)待執(zhí)行的目標(biāo)任務(wù)，基于目標(biāo)機(jī)制構(gòu)建初始數(shù)字化平臺，其中，目標(biāo)機(jī)制至少包括：通信機(jī)制、路由機(jī)制、渲染機(jī)制和資源機(jī)制；依據(jù)目標(biāo)任務(wù)對應(yīng)的...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供一種接口測試方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)，涉及接口測試技術(shù)領(lǐng)域，包括：獲取測試請求；再通過第一版本的代碼響應(yīng)測試請求，獲得第一返回結(jié)果，以及通過第二版本的代碼響應(yīng)測試請求，獲得第二返回結(jié)果，其中，第一版本的代碼包括對待測試接口進(jìn)行更...
								
        
							
        
							
						
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								      本說明書實施例提供文本處理方法，其中文本處理方法包括：獲取待處理文本，并確定與待處理文本關(guān)聯(lián)的指導(dǎo)文本；將待處理文本和指導(dǎo)文本輸入至摘要生成模型，獲得待處理文本對應(yīng)的文本摘要和至少一個文本關(guān)鍵詞，其中，各文本關(guān)鍵詞基于指導(dǎo)文本在待處理文本中...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種搜索結(jié)果生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，用于提高計算摘要的準(zhǔn)確性。在本申請中獲得搜索詞對應(yīng)的至少一個網(wǎng)頁；生成搜索詞對應(yīng)的第一文本，第一文本是與搜索詞關(guān)聯(lián)的文本；對于每個網(wǎng)頁，根據(jù)搜索詞和第一文本從網(wǎng)頁的正文中抽取網(wǎng)頁的摘要...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了存儲介質(zhì)、儲能裝置的充放電控制方法、裝置和設(shè)備，其中儲能裝置設(shè)有儲能變流器PCS；充放電控制裝置包括實時監(jiān)測單元和與儲能裝置對應(yīng)的控制單元；實時監(jiān)測單元用于監(jiān)測新型電力系統(tǒng)的實時系統(tǒng)頻率；控制單元所包括的控制策略包括：當(dāng)實時系統(tǒng)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種電池均衡維護(hù)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，該方法應(yīng)用于儲能系統(tǒng)的電池管理系統(tǒng)，包括：基于儲能系統(tǒng)中各電池簇的電池狀態(tài)信息，確定目標(biāo)均衡模式；目標(biāo)均衡模式包括系統(tǒng)均衡模式和選擇均衡模式中的一種，系統(tǒng)均衡模式為對儲能系統(tǒng)中所有...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N激活/去激活PUCCH資源的方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。方法應(yīng)用于終端，包括：接收網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送的目標(biāo)信令，目標(biāo)信令包括第一信息域和第二信息域，第一信息域用于攜帶第一PUCCH資源的激活/去激活信息，第二信息域用于攜帶第二PU...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種匹配設(shè)備和點位的方法，包括：當(dāng)安裝于第一點位的第一設(shè)備通過信息表達(dá)功能表達(dá)自身的引導(dǎo)頭和設(shè)備標(biāo)識時，第二設(shè)備根據(jù)該第一設(shè)備表達(dá)的信息，通過第一設(shè)備的表達(dá)方式確定該第一設(shè)備的設(shè)備標(biāo)識，并建立第一設(shè)備的設(shè)備標(biāo)識與第一點位之...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開實施例提供一種視頻處理方法及設(shè)備，該方法通過根據(jù)待分割視頻，確定待分割視頻中視頻幀相對于第一視頻幀的運動向量數(shù)據(jù)，該第一視頻幀為視頻幀所處畫面組中的第一個視頻幀，根據(jù)運動向量數(shù)據(jù)，確定待分割視頻對應(yīng)的分割位置，之后根據(jù)分割位置對待分割...
								
        
							
        
							
						
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								      一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置，涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，用以實現(xiàn)OTN設(shè)備支持接入更多數(shù)量的CPE。本申請實施例提供的方案，將未承載業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的時隙剔除出去，僅將時隙中承載的實際數(shù)據(jù)塊映射到第二類型的數(shù)據(jù)幀的時隙中。第二類型的數(shù)據(jù)幀的時隙用于承載業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種能力上報方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備，屬于無線通信技術(shù)領(lǐng)域，本申請實施例的能力上報方法，包括：終端向網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備上報能力信息，其中，所述能力信息包括以下至少之一：所述終端的低功耗信號接收機(jī)類型；所述終端支持的低功耗信號的調(diào)制方...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N報文傳輸方法及設(shè)備，可應(yīng)用于通信技術(shù)領(lǐng)域。其中，報文傳輸方法包括：入口邊緣節(jié)點獲取報文集；基于報文劃分策略和報文集，獲取子任務(wù)；基于子任務(wù)對應(yīng)的報文處理策略，對報文集包括的報文進(jìn)行處理。其中，報文集包括一個或多個報文。本申請...
								
        
							
        
							
						
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								      一種通信方法及通信裝置，用于提高測量時間窗口內(nèi)待測量符號所在的時隙或微時隙被調(diào)度的概率，保障時延緊迫型業(yè)務(wù)的傳輸時延和可靠性。該方法包括：獲得第一測量配置，第一測量配置用于指示測量時間窗口，測量時間窗口包含第一時域資源和第二時域資源；在第二...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開一種活性金屬陶瓷基板的制造方法，包含將由第一金屬焊料及第一有機(jī)介質(zhì)制備的第一焊膏涂布于陶瓷基板的上且將第一焊膏干燥，以形成第一子焊料層；將由第二金屬焊料及第二有機(jī)介質(zhì)制備的第二焊膏涂布于第一子焊料層上且將第二焊膏干燥，以形成第二子...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決形成電容結(jié)構(gòu)的形貌較差的問題。本公開提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括晶體管結(jié)構(gòu)、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、電容結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)。其中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層位于晶體管...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種超結(jié)IGBT結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括N柱、P柱、溝槽柵結(jié)構(gòu)、P型摻雜區(qū)、P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、P型接觸區(qū)與NMOS晶體管，其中，溝槽柵結(jié)構(gòu)位于N柱與P柱的交界處，P型摻雜區(qū)位于P柱的上表層且摻雜濃度高于P柱的摻雜濃度，NMOS晶體管包...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種靜電放電防護(hù)器件及其制備方法。靜電放電防護(hù)器件包括：深N阱區(qū)域；第一N阱，第一N阱設(shè)置在深N阱區(qū)域中；第一N層，第一N層設(shè)置在第一N阱上；第一P層，第一P層設(shè)置在第一N阱上，第一P層和第一N層間隔設(shè)置，第一P層和第一N層用于連...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及光電二極管技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種光電二極管及其制備方法、有源區(qū)結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備，以得到高質(zhì)量的InyGa1?yAs吸收層。光電二極管包括依次堆疊設(shè)置的N型接觸層、有源區(qū)結(jié)構(gòu)和P型接觸層，有源區(qū)...
								
        
							
        
							
						
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