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      最新專利技術
      • 片式電阻器的電阻體具有電阻值調整部。在電阻值調整部形成有蜿蜒形成部。在蜿蜒形成部中,第一修整槽與第二修整槽沿著第一方向(長邊方向)排列。第一修整槽具有從電阻值調整部的第二緣沿著第二方向(短邊方向)延伸的第一直線部。第二修整槽具有從電阻值調整...
      • 本發明涉及作為用于生產塑料的新型單體和預聚物的異氰酸酯反應性和異氰酸酯封端型磷烷基甲酰胺,其可以例如用于生產聚氨酯或聚氨酯/聚異氰脲酸酯聚合物。
      • 本發明涉及化合物DF2755A的穩定一水合物,涉及用于其制造的方法,涉及其藥物組合物和醫用用途。本發明的化合物DF2755A的一水合物在物理、化學和光學上是穩定的,因此特別有利于藥物應用。
      • 公開了用于通過增材制造生產各種制品的經燒結的硬質碳化物粉末組合物。所述粉末組合物的單獨顆粒包含與金屬粘結劑燒結在一起的金屬碳化物顆粒。經燒結的硬質碳化物顆粒包含至少雙峰粒度分布,其中第一模式包含D50為15μm至45μm的球形經燒結的硬質碳...
      • 本發明公開了一種矮塔斜拉橋換索施工方法,涉及斜拉橋換索施工技術領域,包括如下步驟:施工準備:依次進行舊索索力、索長測量、橋面標高測量、主梁病害維修加固、施工機械與材料;搭設施工操作平臺:分別搭設塔頂與梁端施工操作平臺;安裝臨時索;拆除舊索:...
      • 收集車輛數據并發送到服務器(4)的數據收集裝置(100)具備配置轉換部(110、120、130)、數據轉換部(160)以及通信部(190)。配置轉換部(110、120、130)將從數據供給裝置(30)以與通信接口對應的信號配置供給的車輛數據...
      • 根據本公開的軟包膜層疊體包括依次層疊的基底材料層、氣體阻擋層和密封劑層,其中,基底材料層包括依次層疊的第一基底材料層、第一粘合劑層和第二基底材料層,并且第一粘合劑層包括基于第一粘合劑層的總重量的大于15wt%至小于60wt%的量的金屬氧化物...
      • 根據本公開的軟包膜層疊體包括依次層疊的基底材料層、氣體阻擋層、第一密封劑層和第二密封劑層,其中,第一密封劑層的彈性模量大于第二密封劑層的彈性模量。由于第一密封劑層的彈性模量調節為比第二密封劑層的彈性模量大,所以當拉伸應力施加到由軟包膜層疊體...
      • 提供具有粘合劑層的粘合片材。粘合劑層包含聚合物、多官能單體和熱聚合引發劑。另外,粘合片材的于150℃加熱5分鐘后的剝離力降低率S150?5及于180℃加熱120分鐘后的剝離力降低率S180?120...
      • 提供具有包含聚合物、單體和熱聚合引發劑的粘合劑層的粘合片材。上述聚合物包含烯鍵式不飽和基團,上述單體也包含烯鍵式不飽和基團。另外,上述熱聚合引發劑包含過氧化物系聚合引發劑。
      • 一種乙醇的轉換方法,其包括將含有乙醇的混合原料供給至具有填充了含沸石的催化劑的固定床的反應器,獲得含有碳數3以上的烯烴與水的反應氣體的反應工序,上述含沸石的催化劑中所含的沸石具有氧十元環結構,上述含沸石的催化劑的Na/Al的摩爾比為0.00...
      • 本文公開了一種切削工具,其包括:工具柄部,具有旋轉軸線并且在其一端進一步包括工具頭部,所述工具頭部包括層,其中所述工具頭部的層包括由多晶CVD金剛石形成的切削表面,并且其中所述切削表面包括多個附屬體,其中所述切削工具的鋒利度比值β在約0.0...
      • 本發明公開了一種SOI硅片制備方法及SOI硅片,制備方法包括:提供作為襯底硅層的第一硅片;在所述第一硅片的第一表面上形成第一厚度的墊層;在所述墊層的表面上形成第二厚度的掩膜層;以所述掩膜層為掩膜,在所述第一硅片相對第一表面的第二表面上形成第...
      • 本申請涉及一種適用于雙組分聚氨酯涂料應用的丙烯酸類樹脂。本文提供了一種丙烯酸類樹脂,該丙烯酸類樹脂包含:至少一種環氧硅烷低聚物,其中環氧硅烷低聚物接枝到丙烯酸類樹脂的至少一個羥基基團上;其中丙烯酸類樹脂的至少一個羥基基團具有至少一個脲基官能...
      • 一種負極,其具有負極集電體、和配置在所述負極集電體上且包含固體電解質顆粒的負極層。所述固體電解質顆粒在將基于激光衍射散射式粒度分布測定法的累積體積10容量%、50容量%和90容量%處的體積累積粒徑分別設為D10、D
      • 一種氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物,所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物是使含羧基的環氧(甲基)丙烯酸酯化合物(C)、多元醇化合物(D)和多異氰酸酯化合物(E)反應而成的,所述含羧基的環氧(甲基)丙烯酸酯化合物(C)是使環氧(甲基)丙烯酸...
      • 公開了一種賴氨酸酮戊二酸還原酶(LKR)的表達或活性受到調節的突變型、非天然存在的或轉基因的煙草植物或其部分,所述LKR包含以下,由以下組成或基本上由以下組成:(i)多核苷酸,其包含與SEQ ID NO:1(NtLKR?S)具有至少88%序...
      • 多芯光纖(1)具備多個纖芯(10)和包層(20),包層(20)的外周面具有作為周向上的一部分的第一外周面(21)和作為周向上的另一部分的第二外周面(22),第一外周面(21)以比第二外周面(22)大的曲率半徑向外側鼓出。
      • 本發明提供一種集成反向MOS的超級結器件及制作方法,包括:提供襯底,襯底上設有外延層,于外延層中形成填充柱區;形成第一阱區和第二阱區,第一阱區由外延層上表面向下延伸入外延層內部,第二阱區位于相鄰的第一阱區之間;于第一阱區中形成第一源區,于第...
      • 一種通信方法及裝置,該方法在第一上行信號/信道占用的第一時頻資源與第一下行信號/信道占用的第二時頻資源存在重疊時,根據第一上行信號/信道的優先級和第一下行信號/信道的優先級,在第三時頻資源上發送第一上行信號/信道,取消或部分取消第二時頻資源...
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