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								      本申請涉及制冷設備技術領域，公開一種冰箱，冰箱包括：箱體；內膽，設于箱體內，限定出儲物腔室；制冷組件，設于箱體與內膽之間，設置在儲物腔室的左側和右側；風道，設置在儲物腔室的左側和右側，包括進風部和出風部，進風部與制冷組件相連通，出風部與儲物...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種彈性固定裝置，包括一基座及一定位件。該基座用以固定于主板上。該定位件設置于該基座上，并相對該基座在一第一方向與一第二方向旋轉，該第一方向與該第二方向相反。其中，當該定位件往該第一方向旋轉時，該定位件產生彈力。其中，該定位件的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種鋼用復合鍍層，該復合鍍層包括沿鍍層厚度方向依次設置的第一鍍層與第二鍍層，第一鍍層與鋼基板直接接觸，且第一鍍層包括Mo和/或Cr，第二鍍層為鋅基鍍層。本發明還公開了該復合鍍層的涂鍍方法，以及包含該鍍層的鋼板，和包含鋼板的點焊接...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種有機長余輝材料及其制備方法和應用，所述有機長余輝材料，其包括給體分子、受體分子和多重共振分子；所述多重共振分子為N7,N7,N13,N13
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種磷酸氫錳前驅體、磷酸錳鐵鋰、其制備方法、以及包含其的正極極片、電池及用電裝置，本申請首先使可溶性錳鹽與沉淀劑一次沉淀反應制備氫氧化錳，然后再使氫氧化錳與磷酸二次沉淀反應制備磷酸氫錳前驅體。本申請通過二次沉淀反應制備了低雜質離...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開一種分注蓋，包括一主體，其具有一形成于其內的第一凹孔、一端口及一位于第一凹孔內的導管。該分注蓋具有一蓋子，以可旋轉方式和該主體接合，并有一形成于蓋子內的第二凹孔。該蓋子可從該蓋子的一閉合位置轉到該蓋子的一開啟位置，在該閉合位置時，...
								
        
							
        
							
						
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								      一種觸控膜制造方法，適用于一玻璃熱轉印設備。玻璃熱轉印設備包含一輸送裝置、一放卷裝置以及一熱轉印滾輪。此觸控膜制造方法包含：將多個玻璃基板以一預設間隙排列于輸送裝置；將轉印薄膜設置于放卷裝置，其中，此轉印薄膜包含一基底膜、一離型層、一顏色層...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種激光刻蝕方法、太陽電池的制備方法及太陽電池。本申請的激光刻蝕方法包括如下步驟：提供一襯底，襯底的表面上設置有第一硅材料層，第一硅材料層的遠離襯底的表面上設置有保護層，保護層遠離襯底的表面上具有預設區域。沿第一方向在預設區域內進...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及無機物合成、催化劑載體材料制備領域，公開了一種氧化鋁的制備裝置以及制備方法、制備得到的氧化鋁，所述制備裝置包括碳化法反應釜、堿性鋁酸鹽溶液原料罐、原料氣瓶、中和反應釜、酸性鋁鹽溶液原料罐、堿性溶液原料罐、中間反應釜、老化反應釜、相...
								
        
							
        
							
						
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								      一種風險確定方法，包括：接收與項目相關聯的事件信息，事件信息包括關于在項目中檢測到的異常行為的信息或關于在項目中檢測到的漏洞的信息；至少部分地基于所接收到的事件信息，識別一條或更多條攻擊路徑的一個或更多個攻擊步驟，一條或更多條攻擊路徑中的每...
								
        
							
        
							
						
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								      提供再循環性優異的粘合片。[1]本發明的實施方式的粘合片依次具備粘合劑層、分離層和基材，該分離層由醇溶性樹脂或水溶性樹脂構成。[2]上述[1]所述的粘合片中，前述粘合片的錨固力A可以為1N/20mm以上。[3]上述[1]或[2]的粘合片中，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供式(1)所示的化合物的晶體及其制造方法。該晶體滿足下述中的至少一者：通過差示掃描量熱分析得到的熔融吸熱最大溫度為177℃~181℃；以及，在使用Cu?Kα射線的粉末X射線衍射圖案中，在衍射角2θ=7.6±0.2°、8.7±0.2°...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池的空穴傳輸層及其制備方法和鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池，屬于疊層電池技術領域。所述制備方法的步驟(1)在制備隧穿層時控制氧分壓在合適范圍內，且利用步驟(2)對隧穿層進行表面處理，兩者共同提高了隧穿層表面的...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種發光組件及其制備方法、顯示基板，涉及顯示技術領域。該發光組件包括多個發光單元，驅動單元以及色轉部。其中，發光單元的第一半導體層和驅動單元的第一電極連接，發光單元的第二半導體層和驅動單元的第二電極連接，由此可以使得驅動單元驅動...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種用于太陽能電池增強接觸的熱極化方法及裝置。一方面提供了一種熱極化方法，其包括：將導電漿料涂覆于一個或多個鈍化膜硅片的鈍化膜表面上，然后對所述鈍化膜硅片進行燒結處理以形成一個或多個太陽能電板；及將所述一個或多個太陽能電板置于電場...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種西格瑪溝槽及其半導體器件的制作方法，所述西格瑪溝槽的制作方法包括：提供襯底，襯底上形成有柵極結構，柵極結構兩側的襯底內形成有源漏區；進行各向異性干法刻蝕，在源漏區內形成第一溝槽；進行各向同性化學反應，反應結束之后升高溫度使得反...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種芯片及其制備方法、電子設備，涉及半導體技術領域，可以在不影響柵控能力的基礎上，利用第一柵介質層抑制閾值電壓的正向漂移分量，從而提高晶體管的BTI。該芯片包括晶體管，晶體管包括依次層疊設置的溝道層、第一柵介質層、第二柵介質層、以...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種隨機接入方法、裝置、用戶設備UE及介質，屬于通信技術領域，本申請實施例的隨機接入方法方法包括：UE基于網絡配置的M個隨機接入資源集中的每個隨機接入資源集的可用性，從M個隨機接入資源集中確定是否存在可用的隨機接入資源集；UE具...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供一種路損確定方法、裝置、終端及網絡側設備，方法包括：接收網絡側設備發送的第一信息，所述第一信息包括用于指示是否基于第一路損偏移確定第一信號的路損，和/或指示第一路損偏移的信息；根據所述第一信息，執行目標操作，所述目標操作包括...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種頻域位置確定方法、裝置、終端及可讀存儲介質，屬于通信技術領域，本申請實施例的頻域位置確定方法包括：第一設備確定第一規則；第一設備按照第一規則確定目標頻域位置，該目標頻域位置為發送傳輸信息使用的頻域位置；其中，上述第一規則包括...
								
        
							
        
							
						
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