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      • 本發明公開了一種四氧化三鈷催化劑的制備方法及其在電磁感應加熱降解VOCs中的應用。該催化劑通過將鈷鹽與堿性試劑經水熱反應,所得產物經高溫煅燒制備得到。本發明通過調控鈷鹽與堿性試劑的摩爾比,可以制備得到不同粒徑的Co3O...
      • 本申請提供了一種車輛的控制方法、車輛的控制裝置、車輛和存儲介質,涉及車輛安全技術領域。該方法包括:若檢測到車輛中尾門的門鎖處于閉鎖狀態,且接收到對門鎖的解鎖指令,控制門鎖進入解鎖狀態,以及監測尾門的當前狀態;若尾門的當前狀態在第一預設時長內...
      • 本申請提供了一種控制車輛的方法、裝置及車輛,該方法應用于車輛控制領域,該方法包括:在車輛中的天窗進行初始化的過程中,若檢測到天窗初始化失敗,獲取天窗的故障參數;在故障參數指示可通過再次初始化消除天窗初始化失敗的情況下,顯示第一提示消息,第一...
      • 本發明涉及抗污染反滲透膜材料領域,公開了一種抗污染反滲透膜及其制備方法和應用。制備抗污染反滲透膜的方法包括:(1)將多孔支撐膜與水相溶液進行第一接觸處理,得到中間體I;(2)將所述中間體I與油相溶液中進行第二接觸處理,得到具有聚酰胺分離層的...
      • 本發明提供了一種具有互穿網絡結構的自支撐脫細胞基質羊膜復合材料及其制備方法和用途,屬于生物醫用材料技術領域。本發明復合材料是將脫細胞基質羊膜浸入多官能團聚合物溶液后,再浸入交聯劑溶液中交聯得到凝膠,將凝膠干燥后而得。本發明得到的復合材料具有...
      • 一種適用于雙通道內鏡下的導絲介入裝置,包括導絲位姿調整裝置和導絲入口固定裝置,導絲位姿調整裝置用于調整導絲的位置與姿態,使導絲的尖端與導絲入口進行配準,導絲入口固定裝置用于對導絲入口進行夾持固定;導絲位姿調整裝置包括基于三根彈性骨架的三軸柔...
      • 本發明提供的醫用X射線設備及其成像方法,在需要對病人的檢查部位進行檢查時,投影出電離室標識圖,從而提示用戶電離室中的多個電離室野以及每個電離室野的位置信息。然后可以檢測用戶的肢體動作或者發出的語音,在檢測的肢體動作或者語音中包含有用于選定電...
      • 本發明屬于廚房電器技術領域,具體涉及一種空氣炸鍋,包括機體和設置在所述機體內的反射罩,所述反射罩下方形成烹飪腔,所述反射罩內設有風扇,所述風扇為離心風扇,電機能夠帶動風扇正向旋轉和反向旋轉,反射罩包括罩頂壁和從罩頂壁的邊緣向下延伸的罩側壁,...
      • 加熱裝置包括:加熱室;電阻器,該電阻器位于加熱室內部以用于加熱冷卻劑,電阻器包括穿過加熱室的壁(402A)的端子,該壁(402A)設置有突出到加熱室外部的定位銷(902);印刷電路板;引線框,其連接到印刷電路板和電阻器的端子;圍繞引線框架的...
      • 一種耳夾式耳機(10),其包括:發聲部(11)、抵接部(12)以及耳掛(13),耳掛(13)被配置為繞過用戶的對耳輪(105)和耳輪(107),并連接發聲部(11)和抵接部(12)。耳掛(13)具有第一對稱面(S1),殼體在第一對稱面(S1...
      • 本說明書一些實施例提供一種耳夾式耳機,包括:發聲部,被配置為佩戴時插入佩戴者的耳甲腔,發聲部包括:殼體,具有容置腔;第一聲音驅動器和第二聲音驅動器,共同容納在容置腔內,第一聲音驅動器的第一振膜和第二聲音驅動器的第二振膜之間形成第一傳聲通道;...
      • 提供耐還原粉化性優異的直接還原制鐵用原料。上述直接還原制鐵用原料具有:包含氧化鐵的原料;和附著于上述原料的表面的包含粒子的被覆層,上述粒子含有選自由金屬氧化物、金屬氫氧化物及水泥組成的組中的至少1種,上述被覆層的被覆率為50%以上,上述被覆...
      • 本發明提供一種活性射線固化型噴墨印刷用油墨組合物,其能夠降低低打印率部與高打印率部之間的光澤差,不僅固化性優異,而且在所得到的涂膜上涂布清漆組合物時的重涂性優異。本發明的活性射線固化型噴墨印刷用油墨組合物包含聚合性化合物、聚合引發劑以及膠凝...
      • 本申請公開了一種鈣鈦礦電池及其制備方法、疊層電池、光伏組件、發電裝置及用電設備,鈣鈦礦電池包括鈣鈦礦層和設于鈣鈦礦層至少一側的鈍化層,鈍化層包括式1或式2所示物質中的至少一種:R2An?1M
      • 本發明提供一種加工設備,包括供給單元、接收單元以及移動單元。供給單元具有多個供給序列。每個供給序列內至少設有第一供給子集與第二供給子集。接收單元具有多個接收序列。第一接收子集的至少一部分分布于一接收序列中。第二接收子集的至少一部分分布于另一...
      • 本申請涉及一種太陽電池的制備方法及太陽電池。太陽電池的制備方法包括如下步驟:將銀漿轉移至基片表面的預設位置,所述預設位置為所述基片表面用于供銀電極形成的位置,制備轉移產品,所述基片包括硅基材和摻雜于所述硅基材的P型摻雜元素。對所述轉移產品進...
      • 本申請涉及光電二極管技術領域,涉及一種光電二極管及其制備方法、有源區結構和電子設備,以得到高質量的InyGa1?yAs吸收層。光電二極管包括依次堆疊設置的N型接觸層、有源區結構和P型接觸層,有源區...
      • 本申請涉及一種靜電放電防護器件及其制備方法。靜電放電防護器件包括:深N阱區域;第一N阱,第一N阱設置在深N阱區域中;第一N層,第一N層設置在第一N阱上;第一P層,第一P層設置在第一N阱上,第一P層和第一N層間隔設置,第一P層和第一N層用于連...
      • 本發明提供一種超結IGBT結構,該結構包括N柱、P柱、溝槽柵結構、P型摻雜區、P型基區、N型發射區、P型接觸區與NMOS晶體管,其中,溝槽柵結構位于N柱與P柱的交界處,P型摻雜區位于P柱的上表層且摻雜濃度高于P柱的摻雜濃度,NMOS晶體管包...
      • 本公開提供了一種半導體結構及其制備方法、存儲系統,涉及半導體芯片技術領域,旨在解決形成電容結構的形貌較差的問題。本公開提供的一種半導體結構包括晶體管結構、第一介質層、第二介質層、電容結構和導電接觸結構。其中,第一介質層和第二介質層位于晶體管...
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