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      首頁(yè) 專(zhuān)利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服務(wù) 國(guó)際服務(wù) 商標(biāo)交易 會(huì)員權(quán)益 需求市場(chǎng) 關(guān)于龍圖騰
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      • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種數(shù)字化平臺(tái)的生成方法和裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,其中,該方法包括:依據(jù)待執(zhí)行的目標(biāo)任務(wù),基于目標(biāo)機(jī)制構(gòu)建初始數(shù)字化平臺(tái),其中,目標(biāo)機(jī)制至少包括:通信機(jī)制、路由機(jī)制、渲染機(jī)制和資源機(jī)制;依據(jù)目標(biāo)任務(wù)對(duì)應(yīng)的...
      • 本公開(kāi)提供一種接口測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì),涉及接口測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,包括:獲取測(cè)試請(qǐng)求;再通過(guò)第一版本的代碼響應(yīng)測(cè)試請(qǐng)求,獲得第一返回結(jié)果,以及通過(guò)第二版本的代碼響應(yīng)測(cè)試請(qǐng)求,獲得第二返回結(jié)果,其中,第一版本的代碼包括對(duì)待測(cè)試接口進(jìn)行更...
      • 本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供文本處理方法,其中文本處理方法包括:獲取待處理文本,并確定與待處理文本關(guān)聯(lián)的指導(dǎo)文本;將待處理文本和指導(dǎo)文本輸入至摘要生成模型,獲得待處理文本對(duì)應(yīng)的文本摘要和至少一個(gè)文本關(guān)鍵詞,其中,各文本關(guān)鍵詞基于指導(dǎo)文本在待處理文本中...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種搜索結(jié)果生成方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),用于提高計(jì)算摘要的準(zhǔn)確性。在本申請(qǐng)中獲得搜索詞對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)網(wǎng)頁(yè);生成搜索詞對(duì)應(yīng)的第一文本,第一文本是與搜索詞關(guān)聯(lián)的文本;對(duì)于每個(gè)網(wǎng)頁(yè),根據(jù)搜索詞和第一文本從網(wǎng)頁(yè)的正文中抽取網(wǎng)頁(yè)的摘要...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了存儲(chǔ)介質(zhì)、儲(chǔ)能裝置的充放電控制方法、裝置和設(shè)備,其中儲(chǔ)能裝置設(shè)有儲(chǔ)能變流器PCS;充放電控制裝置包括實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單元和與儲(chǔ)能裝置對(duì)應(yīng)的控制單元;實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單元用于監(jiān)測(cè)新型電力系統(tǒng)的實(shí)時(shí)系統(tǒng)頻率;控制單元所包括的控制策略包括:當(dāng)實(shí)時(shí)系統(tǒng)...
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電池均衡維護(hù)方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的電池管理系統(tǒng),包括:基于儲(chǔ)能系統(tǒng)中各電池簇的電池狀態(tài)信息,確定目標(biāo)均衡模式;目標(biāo)均衡模式包括系統(tǒng)均衡模式和選擇均衡模式中的一種,系統(tǒng)均衡模式為對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)中所有...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N激活/去激活PUCCH資源的方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。方法應(yīng)用于終端,包括:接收網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送的目標(biāo)信令,目標(biāo)信令包括第一信息域和第二信息域,第一信息域用于攜帶第一PUCCH資源的激活/去激活信息,第二信息域用于攜帶第二PU...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種匹配設(shè)備和點(diǎn)位的方法,包括:當(dāng)安裝于第一點(diǎn)位的第一設(shè)備通過(guò)信息表達(dá)功能表達(dá)自身的引導(dǎo)頭和設(shè)備標(biāo)識(shí)時(shí),第二設(shè)備根據(jù)該第一設(shè)備表達(dá)的信息,通過(guò)第一設(shè)備的表達(dá)方式確定該第一設(shè)備的設(shè)備標(biāo)識(shí),并建立第一設(shè)備的設(shè)備標(biāo)識(shí)與第一點(diǎn)位之...
      • 本公開(kāi)實(shí)施例提供一種視頻處理方法及設(shè)備,該方法通過(guò)根據(jù)待分割視頻,確定待分割視頻中視頻幀相對(duì)于第一視頻幀的運(yùn)動(dòng)向量數(shù)據(jù),該第一視頻幀為視頻幀所處畫(huà)面組中的第一個(gè)視頻幀,根據(jù)運(yùn)動(dòng)向量數(shù)據(jù),確定待分割視頻對(duì)應(yīng)的分割位置,之后根據(jù)分割位置對(duì)待分割...
      • 一種數(shù)據(jù)處理方法及裝置,涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域,用以實(shí)現(xiàn)OTN設(shè)備支持接入更多數(shù)量的CPE。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方案,將未承載業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)的時(shí)隙剔除出去,僅將時(shí)隙中承載的實(shí)際數(shù)據(jù)塊映射到第二類(lèi)型的數(shù)據(jù)幀的時(shí)隙中。第二類(lèi)型的數(shù)據(jù)幀的時(shí)隙用于承載業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)...
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種能力上報(bào)方法、裝置、終端及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備,屬于無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的能力上報(bào)方法,包括:終端向網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備上報(bào)能力信息,其中,所述能力信息包括以下至少之一:所述終端的低功耗信號(hào)接收機(jī)類(lèi)型;所述終端支持的低功耗信號(hào)的調(diào)制方...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N報(bào)文傳輸方法及設(shè)備,可應(yīng)用于通信技術(shù)領(lǐng)域。其中,報(bào)文傳輸方法包括:入口邊緣節(jié)點(diǎn)獲取報(bào)文集;基于報(bào)文劃分策略和報(bào)文集,獲取子任務(wù);基于子任務(wù)對(duì)應(yīng)的報(bào)文處理策略,對(duì)報(bào)文集包括的報(bào)文進(jìn)行處理。其中,報(bào)文集包括一個(gè)或多個(gè)報(bào)文。本申請(qǐng)...
      • 一種通信方法及通信裝置,用于提高測(cè)量時(shí)間窗口內(nèi)待測(cè)量符號(hào)所在的時(shí)隙或微時(shí)隙被調(diào)度的概率,保障時(shí)延緊迫型業(yè)務(wù)的傳輸時(shí)延和可靠性。該方法包括:獲得第一測(cè)量配置,第一測(cè)量配置用于指示測(cè)量時(shí)間窗口,測(cè)量時(shí)間窗口包含第一時(shí)域資源和第二時(shí)域資源;在第二...
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種活性金屬陶瓷基板的制造方法,包含將由第一金屬焊料及第一有機(jī)介質(zhì)制備的第一焊膏涂布于陶瓷基板的上且將第一焊膏干燥,以形成第一子焊料層;將由第二金屬焊料及第二有機(jī)介質(zhì)制備的第二焊膏涂布于第一子焊料層上且將第二焊膏干燥,以形成第二子...
      • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決形成電容結(jié)構(gòu)的形貌較差的問(wèn)題。本公開(kāi)提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括晶體管結(jié)構(gòu)、第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、電容結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)。其中,第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層位于晶體管...
      • 本發(fā)明提供一種超結(jié)IGBT結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括N柱、P柱、溝槽柵結(jié)構(gòu)、P型摻雜區(qū)、P型基區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、P型接觸區(qū)與NMOS晶體管,其中,溝槽柵結(jié)構(gòu)位于N柱與P柱的交界處,P型摻雜區(qū)位于P柱的上表層且摻雜濃度高于P柱的摻雜濃度,NMOS晶體管包...
      • 本申請(qǐng)涉及一種靜電放電防護(hù)器件及其制備方法。靜電放電防護(hù)器件包括:深N阱區(qū)域;第一N阱,第一N阱設(shè)置在深N阱區(qū)域中;第一N層,第一N層設(shè)置在第一N阱上;第一P層,第一P層設(shè)置在第一N阱上,第一P層和第一N層間隔設(shè)置,第一P層和第一N層用于連...
      • 本申請(qǐng)涉及光電二極管技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種光電二極管及其制備方法、有源區(qū)結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備,以得到高質(zhì)量的InyGa1?yAs吸收層。光電二極管包括依次堆疊設(shè)置的N型接觸層、有源區(qū)結(jié)構(gòu)和P型接觸層,有源區(qū)...
      • 本申請(qǐng)涉及一種太陽(yáng)電池的制備方法及太陽(yáng)電池。太陽(yáng)電池的制備方法包括如下步驟:將銀漿轉(zhuǎn)移至基片表面的預(yù)設(shè)位置,所述預(yù)設(shè)位置為所述基片表面用于供銀電極形成的位置,制備轉(zhuǎn)移產(chǎn)品,所述基片包括硅基材和摻雜于所述硅基材的P型摻雜元素。對(duì)所述轉(zhuǎn)移產(chǎn)品進(jìn)...
      • 本發(fā)明提供一種加工設(shè)備,包括供給單元、接收單元以及移動(dòng)單元。供給單元具有多個(gè)供給序列。每個(gè)供給序列內(nèi)至少設(shè)有第一供給子集與第二供給子集。接收單元具有多個(gè)接收序列。第一接收子集的至少一部分分布于一接收序列中。第二接收子集的至少一部分分布于另一...
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