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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種涂布機(jī)構(gòu)、裝置及方法，該涂布機(jī)構(gòu)包括涂布輥，具有連通涂布輥內(nèi)部和表面的涂料通路；涂料供給組件，用于向涂料通路供給涂料，使得涂料從涂布輥內(nèi)部流向涂布輥表面，并形成第一涂料層；涂布刮刀，用于使第一涂料層的厚度處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；涂料...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種壓力輥、轉(zhuǎn)印設(shè)備和太陽(yáng)能電池，壓力輥，包括：輥本體，設(shè)有空腔；加熱器件，設(shè)于空腔中，用于發(fā)熱以產(chǎn)生紅外線(xiàn)；聚光器件，設(shè)于空腔中，聚光器件用于聚合來(lái)自加熱器件的至少部分紅外線(xiàn)，并將聚合后的光束投射至部分輥本體，以對(duì)輥本體的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種氣密燒結(jié)爐排氣改良裝置，該燒結(jié)爐具有一爐膛可供燒制物置入，包括：固態(tài)電池或非固態(tài)的化學(xué)成分（如氫、鋰、酸、堿等）電池等，于爐膛外部包覆有保溫材料，內(nèi)部上、下皆設(shè)置有由多個(gè)排列且外覆保護(hù)管的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱裝置，且周?chē)诿嫔喜加?..
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種軟件測(cè)試方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一芯片參數(shù)和第二芯片參數(shù)，所述第一芯片參數(shù)是開(kāi)發(fā)完成的第一芯片的參數(shù)，第二芯片參數(shù)是待開(kāi)發(fā)的第二芯片的參數(shù)，芯片參數(shù)用于指示芯片運(yùn)行驅(qū)動(dòng)軟件時(shí)...
								
        
							
        
							
						
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								      本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例提供任務(wù)處理方法、自動(dòng)問(wèn)答方法以及圖像處理方法，其中所述任務(wù)處理方法包括：獲取目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)數(shù)據(jù)和任務(wù)描述信息；將任務(wù)數(shù)據(jù)輸入第一任務(wù)處理模型，獲得任務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵文本信息，其中，關(guān)鍵文本信息用于描述任務(wù)數(shù)據(jù)中的關(guān)鍵信息，第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N模型訓(xùn)練方法和問(wèn)題數(shù)據(jù)處理以及相關(guān)裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例可應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域。其中模型訓(xùn)練方法包括：獲取原始問(wèn)答對(duì)，原始問(wèn)答對(duì)包括原始問(wèn)題和原始回答；基于行業(yè)知識(shí)庫(kù)，檢索原始問(wèn)題的第一結(jié)果；基于搜索引擎，檢索原始問(wèn)題的第二結(jié)果；...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)，用于降低內(nèi)存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應(yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、人工智能、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域。包括：獲取搜索請(qǐng)求；根據(jù)搜索請(qǐng)求從第一詞集合中篩選目標(biāo)關(guān)鍵字索引集合，第一詞集合用于...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種知識(shí)庫(kù)構(gòu)建方法及相關(guān)裝置，該方法包括：獲取參考問(wèn)答知識(shí)庫(kù)中存儲(chǔ)的多個(gè)參考問(wèn)題和多個(gè)參考答案；將多個(gè)參考問(wèn)題劃分至多個(gè)問(wèn)題類(lèi)別；針對(duì)每個(gè)問(wèn)題類(lèi)別，通過(guò)語(yǔ)言模型，根據(jù)屬于問(wèn)題類(lèi)別的參考問(wèn)題，生成屬于問(wèn)題類(lèi)別的泛化問(wèn)題；針對(duì)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種發(fā)運(yùn)信息核準(zhǔn)方法、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：接收運(yùn)輸車(chē)輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)過(guò)程中在稱(chēng)重節(jié)點(diǎn)進(jìn)行稱(chēng)重操作觸發(fā)的稱(chēng)重讀數(shù)指令；讀取稱(chēng)重節(jié)點(diǎn)的當(dāng)前稱(chēng)重?cái)?shù)據(jù)，得到參照稱(chēng)重?cái)?shù)據(jù)，并將參照稱(chēng)重?cái)?shù)據(jù)記錄在運(yùn)輸車(chē)輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括阱區(qū)，所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片；分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于在滿(mǎn)足電子設(shè)備的元器件微縮尺寸要求的情況下，改善元器件的性能。該芯片包括多個(gè)陣列結(jié)構(gòu)，陣列結(jié)構(gòu)中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種護(hù)套安裝用輔助絕緣擋板，包括支撐組件、絕緣擋板、轉(zhuǎn)向組件、固定夾組件和定位組件；絕緣擋板安裝在支撐組件的一側(cè)；轉(zhuǎn)向組件安裝在支撐組件遠(yuǎn)離絕緣擋板的一側(cè)；固定夾組件包括第一夾體和第二夾體；第一夾體安裝在轉(zhuǎn)向組件上，第二夾體與第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有若干鰭部，所述鰭部包括若干堆疊的溝道層，其中，所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層；鰭內(nèi)溝槽，位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中；鰭內(nèi)溝道層，位于所述鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓；鰭部，分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上；隔離層，位于襯底上且圍繞鰭部的部分側(cè)壁，被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部，第一區(qū)的有效...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底；第一介質(zhì)層，位于基底上；第一柵極層，凸立于第一介質(zhì)層上，并使側(cè)部的第一介質(zhì)層被暴露；第二介質(zhì)層，位于第一柵極層的頂部和側(cè)壁、以及第一柵極層側(cè)部的第一介質(zhì)層上；第二柵極層，位于第二介質(zhì)層上，且位...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版，圖像傳感器的制作方法包括：在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層，以在第一光阻層上形成多個(gè)第一離子注入開(kāi)口；在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層，以第二光阻層上形成多個(gè)第二離子注入...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電極制備方法及其裝置和太陽(yáng)能電池，在電池片襯底的表面形成有機(jī)聚合物薄膜，對(duì)有機(jī)聚合物薄膜進(jìn)行刻蝕以形成穿透有機(jī)聚合物薄膜的凹槽，此時(shí)的凹槽寬度能夠做到更小，在凹槽中填充漿料，在去除剩余有機(jī)聚合物薄膜后完成電極的制備。本申請(qǐng)中的...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電池片優(yōu)化裝置，包括正面上電機(jī)構(gòu)、承載機(jī)構(gòu)、電源模塊及激光處理機(jī)構(gòu)。正面上電機(jī)構(gòu)包括安裝框及若干金屬絲，若干金屬絲并排間隔設(shè)置在安裝框上。承載機(jī)構(gòu)包括承載臺(tái)，承載臺(tái)上設(shè)有導(dǎo)電片，承載臺(tái)用于承載電池片，電池片背面上的柵線(xiàn)與導(dǎo)電...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了LED顯示基板和LED顯示設(shè)備，該LED顯示基板包括發(fā)光外延層、第一介質(zhì)包層、反射層和多個(gè)反射電極，發(fā)光外延層包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層形成第一主凹陷區(qū)和多個(gè)第一凸臺(tái)結(jié)構(gòu)；第一介質(zhì)包層設(shè)于第一主凹陷區(qū)內(nèi)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示面板的制備方法、顯示面板以及顯示裝置，該方法包括：在第一基板的第一側(cè)制備驅(qū)動(dòng)電路層以及發(fā)光元件，驅(qū)動(dòng)電路層設(shè)有背離第一基板的第一連接端子，發(fā)光元件設(shè)有背離第一基板的第二連接端子，發(fā)光元件朝向第一基板發(fā)光；在第二基板的第一...
								
        
							
        
							
						
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