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      • 本發明涉及催化能源領域,提供了一種三維有序孔結構一體化電極及其制備方法,將窄帶隙半導體置于光電極上層以吸收能量較低的光,而寬帶隙半導體置于光電極下層以吸收能量較高的光,旨在增大光催化反應面積和反應活性位點,提高光生電子?空穴對的分離和太陽能...
      • 本申請公開了一種多元素摻雜共生氧化鋅晶須高電導高密度濺射靶材的制備方法及其產品,涉及光電材料技術領域。多元素摻雜共生氧化鋅晶須高電導高密度濺射靶材的制備方法,包括以下步驟:制備摻雜共生氧化鋅晶須粉末;在摻雜氧化鋅晶須粉末中加入潤濕劑和分散劑...
      • 本申請涉及靶向MUC18的嵌合抗原受體,其包括:特異性識別MUC18的抗體片段、IgG4鉸鏈區、CD8跨膜區或CD28跨膜區、CD28共刺激信號域或4?1BB共刺激信號域、CD3ζ信號域;所述抗體片段包含重鏈可變區VH和輕鏈可變區VL,所述...
      • 本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種有機電致發光化合物及其應用。本發明提供的一種有機電致發光化合物,具有如下式(1)所示的結構: 2025-09-05
      • 本申請公開了一種手性羥基環丁烯酮的制備方法,包括:在手性催化劑和轉移氫化試劑的存在下,由環丁烯二酮通過選擇性轉移氫化反應,生成所述手性羥基環丁烯酮。采用本申請所提供的方法,其原料和催化劑廉價易得,反應條件溫和,操作簡單,反應高效;通過對環丁...
      • 本發明公開了一種電梯緩沖器,其包括基座構件,其限定于接納可壓縮能量吸收器的一部分;帽,其在使用中位于基座構件之上,帽限定于可彈性變形構件的一個或多個反作用表面以及用于接納可壓縮能量吸收器的一部分的另外的向下延伸的帽凹部;可壓縮能量吸收器,其...
      • 本公開的實施例提供了一種車輛控制方法、裝置、設備及計算機可讀存儲介質。所述方法包括:獲取車輛采集到的預設范圍內的當前環境信息;若所述當前環境信息為預設環境信息,則獲取所述車輛的當前位置;獲取所述當前位置的當前天氣信息;若所述當前天氣信息符合...
      • 本申請適用于半導體技術領域,提供一種加工方法、裝置、器件、設備及存儲介質,所述加工方法用于加工具有裂紋層的工件,所述裂紋層位于所述工件的厚度方向的指定厚度位置,所述裂紋層具有裂紋;所述加工方法包括:超聲波聚焦于所述工件的裂紋層,使得所述裂紋...
      • 本發明提供一種換能裝置,包含:基板;以及多個換能組件,設置在該基板上,且每個換能組件包含:下電極;振蕩組件,設置在該下電極上且具有開孔,其中,該下電極與該振蕩組件之間具有空腔;上電極,設置在該振蕩組件上,其中,在俯視方向上,該上電極與該下電...
      • 本公開實施例公開了一種基因測序芯片及其制備方法。該制備方法包括:提供基因測序芯片主體結構,基因測序芯片主體結構內包括流體室,流體室具有入口和出口,流體室內有多個微坑,微坑的外表面具有疏水修飾;向流體室中通入反應液,使反應液流入各微坑內,反應...
      • 一種基因芯片的重復使用方法,包括:(1)重置基因芯片;(2)對重置后的基因芯片進行整體疏水處理;(3)使用氣體封或油封的方式在基因芯片微坑內生成RNA或DNA載體。本發明用油或氣將流道內的液體獨立分割在疏水芯片各微坑內,使其能快速地僅在微坑...
      • 本發明公開一種榨汁機,其中,榨汁機包括機架、承壓件、滾碾盤和驅動裝置,承壓件安裝于所述機架,用以放置壓榨物,滾碾盤在周向上相對固定地安裝于所述機架,所述滾碾盤間隔設于所述承壓件的上方,所述滾碾盤具有第一軸線,所述滾碾盤的下表面設有滾壓面,所...
      • 本發明公開了長雙歧桿菌嬰兒亞種YLGB?1496菌劑、制備方法及其腸道健康應用,涉及益生菌技術領域。本發明提供的長雙歧桿菌嬰兒亞種的活菌劑具有抗炎、有效提升腸道免疫力、調節腸道菌群和緩解腸道脹氣的功效,可用于制備發酵食品、藥物或飼料,具有非...
      • 本公開提供了用于訓練神經輻射場并從新視點利用視圖相關效果產生3D場景的渲染的方法和設備。使用與多個未掩蔽區域相關聯的第一損失來初始訓練神經輻射場,多個未掩蔽區域與參考圖像和多個目標圖像相關聯。還可使用與參考圖像中的掩蔽區域的深度估計相關聯的...
      • 一種導電玻璃、太陽能電池、疊層太陽能電池、光伏組件、光伏發電系統和用電設備,屬于太陽能電池技術領域;導電玻璃包括玻璃基底、光轉換層和導電層,玻璃基底和光轉換層均設于導電層的入光側,光轉換層的材料包括上轉換發光材料和下轉換發光材料中的至少一種...
      • 本發明提供了一種半導體結構及薄膜晶體管。所述半導體結構中包括疊層設置的第一氧化物層和第二氧化物層。其中,所述第一氧化物層中銦元素的含量大于或等于所述第二氧化物層中銦元素的含量,所述第二氧化物層中鎵元素的含量大于或等于所述第一氧化物層中鎵元素...
      • 一種半導體結構及其形成方法,其中結構包括:各柵溝道結構包括柵極、位于柵極內相互分立的若干第一溝道層和若干第二溝道層,若干第二溝道層位于若干第一溝道層上,若干第一溝道層平行于第一方向,且在第一方向上貫穿柵極,柵極暴露出各第一溝道層相對的兩個第...
      • 一種半導體結構及其形成方法,方法包括:提供襯底;在所述襯底上形成介電墻結構;形成所述介電墻結構之后,在所述襯底上形成鰭部組,所述鰭部組包括至少2個鰭部,垂直鰭部延伸方向,所述介電墻結構位于相鄰2個所述鰭部之間。在形成所述鰭部之前,在所述襯底...
      • 一種半導體結構及其形成方法,其中形成方法包括:形成襯底、位于襯底上的鰭部、以及位于鰭部上的蓋層;采用具有氧等離子增強原子層沉積工藝對鰭部和蓋層進行處理,形成具有第一柵氧部和第二柵氧部的柵氧化層,第一柵氧部的厚度大于第二柵氧部的厚度。具有氧等...
      • 本申請實施例提供一種殼體、殼體的制備方法以及電子設備,用于改善電子設備的殼體的厚度較大的技術問題。殼體包括柔性皮、玻纖結構和標識結構。柔性皮具有避讓孔,避讓孔沿第一方向貫穿柔性皮。玻纖結構與柔性皮沿第一方向層疊設置,且玻纖結構與柔性皮接觸且...
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