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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法和存儲(chǔ)系統(tǒng)，該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層、柵極結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體層的一側(cè)，接觸結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體層靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，且位于柵極結(jié)構(gòu)沿第一方向的一側(cè)，第一方向平行于半導(dǎo)體層。連接結(jié)構(gòu)沿...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板。該驅(qū)動(dòng)背板包括基底和多個(gè)像素電路，多個(gè)像素電路位于基底一側(cè)，多個(gè)像素電路排布呈陣列，像素電路包括多個(gè)晶體管；至少一個(gè)所述晶體管包括第一晶體管，第一晶體管包括至少三個(gè)柵極和至少兩個(gè)有源層，柵極和有源層依次交替...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及LED顯示領(lǐng)域，特別涉及一種LED顯示屏及拼接屏。一種LED顯示屏包括顯示模組和框架，所述框架的第一側(cè)壁設(shè)有模組安裝槽，所述顯示模組設(shè)于所述模組安裝槽中，且所述模組安裝槽至少部分包裹所述顯示模組的周圍側(cè)壁。讓顯示模組的周圍側(cè)壁不會(huì)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種涂布機(jī)構(gòu)、裝置及方法，該涂布機(jī)構(gòu)包括涂布輥，具有連通涂布輥內(nèi)部和表面的涂料通路；涂料供給組件，用于向涂料通路供給涂料，使得涂料從涂布輥內(nèi)部流向涂布輥表面，并形成第一涂料層；涂布刮刀，用于使第一涂料層的厚度處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；涂料...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種壓力輥、轉(zhuǎn)印設(shè)備和太陽(yáng)能電池，壓力輥，包括：輥本體，設(shè)有空腔；加熱器件，設(shè)于空腔中，用于發(fā)熱以產(chǎn)生紅外線；聚光器件，設(shè)于空腔中，聚光器件用于聚合來(lái)自加熱器件的至少部分紅外線，并將聚合后的光束投射至部分輥本體，以對(duì)輥本體的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種氣密燒結(jié)爐排氣改良裝置，該燒結(jié)爐具有一爐膛可供燒制物置入，包括：固態(tài)電池或非固態(tài)的化學(xué)成分（如氫、鋰、酸、堿等）電池等，于爐膛外部包覆有保溫材料，內(nèi)部上、下皆設(shè)置有由多個(gè)排列且外覆保護(hù)管的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱裝置，且周圍壁面上布有...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種軟件測(cè)試方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一芯片參數(shù)和第二芯片參數(shù)，所述第一芯片參數(shù)是開發(fā)完成的第一芯片的參數(shù)，第二芯片參數(shù)是待開發(fā)的第二芯片的參數(shù)，芯片參數(shù)用于指示芯片運(yùn)行驅(qū)動(dòng)軟件時(shí)...
								
        
							
        
							
						
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								      本說(shuō)明書實(shí)施例提供任務(wù)處理方法、自動(dòng)問(wèn)答方法以及圖像處理方法，其中所述任務(wù)處理方法包括：獲取目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)數(shù)據(jù)和任務(wù)描述信息；將任務(wù)數(shù)據(jù)輸入第一任務(wù)處理模型，獲得任務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵文本信息，其中，關(guān)鍵文本信息用于描述任務(wù)數(shù)據(jù)中的關(guān)鍵信息，第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N模型訓(xùn)練方法和問(wèn)題數(shù)據(jù)處理以及相關(guān)裝置。本申請(qǐng)實(shí)施例可應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域。其中模型訓(xùn)練方法包括：獲取原始問(wèn)答對(duì)，原始問(wèn)答對(duì)包括原始問(wèn)題和原始回答；基于行業(yè)知識(shí)庫(kù)，檢索原始問(wèn)題的第一結(jié)果；基于搜索引擎，檢索原始問(wèn)題的第二結(jié)果；...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)，用于降低內(nèi)存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應(yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、人工智能、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域。包括：獲取搜索請(qǐng)求；根據(jù)搜索請(qǐng)求從第一詞集合中篩選目標(biāo)關(guān)鍵字索引集合，第一詞集合用于...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種知識(shí)庫(kù)構(gòu)建方法及相關(guān)裝置，該方法包括：獲取參考問(wèn)答知識(shí)庫(kù)中存儲(chǔ)的多個(gè)參考問(wèn)題和多個(gè)參考答案；將多個(gè)參考問(wèn)題劃分至多個(gè)問(wèn)題類別；針對(duì)每個(gè)問(wèn)題類別，通過(guò)語(yǔ)言模型，根據(jù)屬于問(wèn)題類別的參考問(wèn)題，生成屬于問(wèn)題類別的泛化問(wèn)題；針對(duì)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種發(fā)運(yùn)信息核準(zhǔn)方法、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：接收運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)過(guò)程中在稱重節(jié)點(diǎn)進(jìn)行稱重操作觸發(fā)的稱重讀數(shù)指令；讀取稱重節(jié)點(diǎn)的當(dāng)前稱重?cái)?shù)據(jù)，得到參照稱重?cái)?shù)據(jù)，并將參照稱重?cái)?shù)據(jù)記錄在運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括阱區(qū)，所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片；分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于在滿足電子設(shè)備的元器件微縮尺寸要求的情況下，改善元器件的性能。該芯片包括多個(gè)陣列結(jié)構(gòu)，陣列結(jié)構(gòu)中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種護(hù)套安裝用輔助絕緣擋板，包括支撐組件、絕緣擋板、轉(zhuǎn)向組件、固定夾組件和定位組件；絕緣擋板安裝在支撐組件的一側(cè)；轉(zhuǎn)向組件安裝在支撐組件遠(yuǎn)離絕緣擋板的一側(cè)；固定夾組件包括第一夾體和第二夾體；第一夾體安裝在轉(zhuǎn)向組件上，第二夾體與第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有若干鰭部，所述鰭部包括若干堆疊的溝道層，其中，所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層；鰭內(nèi)溝槽，位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中；鰭內(nèi)溝道層，位于所述鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓；鰭部，分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上；隔離層，位于襯底上且圍繞鰭部的部分側(cè)壁，被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部，第一區(qū)的有效...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底；第一介質(zhì)層，位于基底上；第一柵極層，凸立于第一介質(zhì)層上，并使側(cè)部的第一介質(zhì)層被暴露；第二介質(zhì)層，位于第一柵極層的頂部和側(cè)壁、以及第一柵極層側(cè)部的第一介質(zhì)層上；第二柵極層，位于第二介質(zhì)層上，且位...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版，圖像傳感器的制作方法包括：在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層，以在第一光阻層上形成多個(gè)第一離子注入開口；在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層，以第二光阻層上形成多個(gè)第二離子注入...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電極制備方法及其裝置和太陽(yáng)能電池，在電池片襯底的表面形成有機(jī)聚合物薄膜，對(duì)有機(jī)聚合物薄膜進(jìn)行刻蝕以形成穿透有機(jī)聚合物薄膜的凹槽，此時(shí)的凹槽寬度能夠做到更小，在凹槽中填充漿料，在去除剩余有機(jī)聚合物薄膜后完成電極的制備。本申請(qǐng)中的...
								
        
							
        
							
						
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