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正極極片、二次電池和用電裝置

本申請?zhí)峁┮环N正極極片、二次電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層，所述正極膜層包括正極活性材料和添加劑，所述添加劑包括至少一種式(I)表示的化合物；在所述式(I)中，R₁

2025-09-13
一種半干法電極及其制備方法

本發(fā)明公開了一種半干法電極及其制備方法。本發(fā)明半干法電極制備方法，有別于現(xiàn)有濕法、干法電極制備技術，本發(fā)明一方面通過粘結劑與導電劑的混合后霧化分散形成霧化分散后的導電膠液，另一方面將電極材料在氣相介質內分散成懸浮顆粒，然后將所得的霧化分散后...

2025-09-13
半導體器件及其切割方法、半導體芯片

本公開提供了一種半導體器件及其切割方法、半導體芯片，涉及半導體芯片的技術領域，旨在解決半導體芯片的封裝良率低的技術問題。所述半導體器件包括：襯底，以及位于襯底一側的多個半導體單元和多個測試結構。多個半導體單元陣列分布，多個測試結構中的至少部...

2025-09-13
TSV結構的制備方法

本發(fā)明提供一種TSV結構的制備方法，通過第一光刻膠層先對硅襯底進行刻蝕，以在硅襯底中形成開口寬度較大的第一凹槽，在進行去膠和清洗工藝后，在第一凹槽內沉積第二光刻膠層，并以第二光刻膠層作為硅襯底的側壁的保護層，以刻蝕復合膜層制備貫穿第二光刻膠...

2025-09-13
TSV結構的制備方法

本發(fā)明提供一種TSV結構的制備方法，通過在硅襯底中先形成開口寬度較大的凹槽，而后在凹槽內沉積氧化硅層，之后通過一步刻蝕形成貫穿氧化硅層、復合膜層且顯露金屬布線的TSV孔，使得位于硅襯底中的凹槽的側壁可具有覆蓋良好的氧化硅層，無需進行關于TS...

2025-09-13
封裝結構與其形成方法

一種封裝結構與其形成方法，封裝結構的形成方法包含以下步驟：形成多個開槽于一導線架的一表面，其中導線架包含多個引腳，且開槽設置于每一引腳的一側；設置一金屬膏體于開槽中；加熱金屬膏體以形成一可焊部于每一開槽中；以及切割導線架的多個切割道以形成一...

2025-09-13
接觸器及實現(xiàn)切換電池組串并聯(lián)的裝置

本發(fā)明公開了一種接觸器及實現(xiàn)切換電池組串并聯(lián)的裝置，該接觸器包括轉換機構和驅動機構，轉換機構設有具有靜觸頭的靜觸件和具有動觸頭的動觸件，靜觸件和動觸件的總數(shù)量為四個或五個，動觸件的數(shù)量不少于兩個且相互連接，動觸件中的至少一個動觸件配置為至少...

2025-09-13
稀土摻雜的鐵氧體磁粉及制備方法、注射鐵氧體及應用

本發(fā)明提供了稀土摻雜的鐵氧體磁粉及制備方法、注射鐵氧體及應用，所述鐵氧體磁粉的化學式為Sr_1?xLa_xFe_12?yCo_yO₁₉，其...

2025-09-13
一種在鋁線蝕刻機臺蝕刻薄膜電阻的方法

本發(fā)明公開了一種在鋁線蝕刻機臺蝕刻薄膜電阻的方法，其包括以下步驟：在半導體襯底上依次形成SiON介質層、TiN掩膜和SiCr介電層；根據(jù)要形成的柵極圖案對半導體襯底上的各層進行蝕刻；在對硅鉻介電層進行蝕刻時，增加偏置射頻功率源并調整通入氣體...

2025-09-13
電纜芯拉擠設備及應用該設備制作的電纜芯

本發(fā)明公開了一種電纜芯拉擠設備及應用該設備制作的電纜芯，該拉擠設備至少包括：第一固化模具，其將經(jīng)浸膠后沿軸向延伸的碳纖維紗線進行預固化，形成電纜芯內層；第二固化模具，其將經(jīng)浸膠且導紗后沿軸向延伸的玻纖紗線覆蓋在所述電纜芯內層外部，并對內、外...

2025-09-13
一種在役核電站模擬堆芯裝置及方法

本發(fā)明具體提供了一種在役核電站模擬堆芯裝置及方法，該模擬裝置包括：底板和組件，所述底板上表面安裝有下定位銷，用于定位、安裝組件；所述組件底部開設有導向孔，能夠與所述下定位銷相適配，所述組件頂部開設有定位孔和導向孔，分別與裝卸料機抓具的定位銷...

2025-09-13
疾病風險信息監(jiān)控方法、裝置、電子設備及存儲介質

本申請?zhí)岢鲆环N疾病風險信息監(jiān)控方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及醫(yī)療健康及大數(shù)據(jù)技術領域，其中，方法包括：獲取用戶的體檢指標，體檢指標中包括異常體檢指標；基于體檢指標，在預設題目集合中選取與異常體檢指標對應的目標題目，其中，預設題目集合中...

2025-09-13
疾病風險定位模組及方法

本發(fā)明提供一種疾病風險定位模組與方法，且疾病風險定位模組主要是透過分群算法針對搜集到的復數(shù)個用戶的生理資料所形成的樣本資料集進行多次分群與迭代，并在分群結果符合收斂條件時，生成疾病風險分級表，其中此疾病風險分級表可以用于后續(xù)的用戶的疾病風險...

2025-09-13
多相體系的化學形態(tài)和化學反應的預測方法及裝置

本申請?zhí)峁┝艘环N多相體系的化學形態(tài)和化學反應的預測方法及裝置，其中，該方法包括：獲取多相體系對應的關鍵條件，所述關鍵條件包括：溫度、壓強、多種元素類型及其各自的含量；通過吉布斯自由能最小化方法，預測得到所述關鍵條件下的化學形態(tài)信息，該化學形...

2025-09-13
一種基于甲基化組測序的年齡估算方法

本發(fā)明涉及一種基于甲基化芯片測序的年齡估算方法，具體地，本發(fā)明涉及一種DNA甲基化水平數(shù)據(jù)集、建立數(shù)據(jù)集的方法、年齡估算模型的訓練方法、年齡估算方法、年齡估算模型或裝置、電子設備、非易失性計算機可讀存儲介質及其用途。通過篩選與時序年齡和/或...

2025-09-13
一種存儲器的編程方法、存儲器及存儲系統(tǒng)

本公開提供了一種存儲器的編程方法、存儲器及存儲系統(tǒng)，應用于芯片存儲技術領域。該存儲器的編程方法包括：接收寫入指令，寫入指令用于指示向多個存儲單元中的目標存儲單元寫入待寫入數(shù)據(jù)。待寫入數(shù)據(jù)包括N個比特位。根據(jù)寫入指令，在第一編程階段：對待寫入...

2025-09-13
相變存儲器的電壓控制與數(shù)據(jù)讀取方法、設備、存儲介質及程序產品

本申請實施例提供一種相變存儲器的電壓控制與數(shù)據(jù)讀取方法、設備、存儲介質及程序產品。在該方法中，可獲取應用對PCM進行數(shù)據(jù)先寫后讀操作時的寫讀間隔描述信息，根據(jù)該描述信息確定從PCM的存儲單元中讀數(shù)據(jù)時所需的初始電壓檔位和檔位切換策略，基于初...

2025-09-13
存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)、電子設備

本公開實施例公開了一種存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)和電子設備，該存儲器包括存儲單元陣列，存儲單元陣列包括多個存儲單元；外圍電路，耦接存儲單元陣列，外圍電路被配置為：在編程驗證之前，將選定的字線從第一電壓放電至第二電壓；其中，選定的字線耦接...

2025-09-13
音頻數(shù)據(jù)處理方法、裝置、設備及可讀介質

本申請的實施例公開了音頻數(shù)據(jù)處理方法、裝置、設備及可讀介質，該方法包括：在語音會話過程中，獲取所產生的會話音頻數(shù)據(jù)；針對會話音頻數(shù)據(jù)中的每一個音頻幀，對音頻幀進行音頻分析得到分析結果；若分析結果表征音頻幀中未含有聲音信息，則對音頻幀進行丟棄...

2025-09-13
一種語音交互方法、系統(tǒng)及相關裝置

本申請公開了一種語音交互方法、系統(tǒng)及相關裝置，方法應用于穿戴設備，穿戴設備包括信號發(fā)射器；當用戶佩戴穿戴設備時，信號發(fā)射器的朝向為第一方向，第一方向與第二方向之間的夾角為第一值，第二方向為用戶的面部朝向；方法包括：檢測到用戶佩戴穿戴設備，且...

2025-09-13

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