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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明提供了一種化合物作為PRMT5?MTA抑制劑，其為式(I)所示化合物或其藥學上可接受的鹽、同位素變體、互變異構(gòu)體或立體異構(gòu)體。本發(fā)明還提供了包含所述化合物的藥物組合物，及其在治療癌癥中的用途。
							  2025-09-12
							
        
						
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								      一種用于包裝產(chǎn)品的包裝裝置(1)，包括：?容器(2)，?封閉蓋(3)，?密封件(70)，所述蓋(3)包括：○罩(10)，○固定在所述罩內(nèi)的帽(20)，所述帽包括：■安裝裙部(21)，■穿孔的上壁(22)，所述上壁包括：·連接到所述安裝裙部(...
								
        
							
        
							
						
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								      模板組件包括至少一個設置在熔體入口側(cè)，用于輸入熔體的入口；以及多個設置在熔體出口側(cè)，用于分配熔體的出口。此外，模板組件還包括一個熔體輸送區(qū)，該區(qū)具有至少一個、優(yōu)選有多個從熔體入口側(cè)延伸至熔體出口側(cè)的熔體流道。此外，該組件還包括以下情況，即熔...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于提供一種通過紫外線光束切割包含基板、保護層和基板與保護層之間的粘接劑層的層疊結(jié)構(gòu)時，可抑制污跡產(chǎn)生和層間剝離的器件等。本發(fā)明涉及一種具有基板14、保護層11以及在基板14與保護層11之間且設于保護層11的粘接劑層15的器件1...
								
        
							
        
							
						
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								      提供一種可以實現(xiàn)微型化或高集成化的半導體裝置。半導體裝置包括第一及第二晶體管、第一至第三導電體。第一晶體管包括夾持第一晶體管的半導體層的第一及第二柵電極，第二柵電極以與第一柵電極重疊的方式設置在第一晶體管的半導體層上。第二晶體管包括第二晶體...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明的半導體裝置包括：具有第一主面以及第二主面的SiC芯片；形成于第一主面的元件結(jié)構(gòu)；以及形成于第二主面且與元件結(jié)構(gòu)電連接的電極，第二主面的算術(shù)平均粗糙度(Ra)為30nm以上。由此，能夠在與元件結(jié)構(gòu)相反側(cè)的第二主面形成低電阻的歐姆接觸。
								
        
							
        
							
						
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								      系統(tǒng)、方法和設備可以利用發(fā)起器和響應器之間的無線局域網(wǎng)感測的應用或場景相關(guān)的粒度來處理報告信息，例如信道狀態(tài)信息、接收信號強度指示、信噪比、信號與干擾和/或噪聲比、和/或類似信息。
								
        
							
        
							
						
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								      輸送裝置(1)具備第1輥(2)和第2輥(4)，第1輥(2)和第2輥(4)通過將干式電極合劑(8)的合劑片(6)夾在彼此之間并旋轉(zhuǎn)來輸送合劑片(6)。第1輥(2)的第1周面(2a)具有第1表面粗糙度。第2輥(4)的第2周面(4a)具有比第1表...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于通過以下過程處置數(shù)據(jù)的處理器和方法：從存儲裝置獲得操作，分析這些操作中的每個操作以確定相關(guān)聯(lián)的操作空間，并生成至少一個操作集，其中該操作集的操作具有基本類似的操作空間。接收張量形式的輸入數(shù)據(jù)；以及將該輸入數(shù)據(jù)作為輸入分配給該操作集中...
								
        
							
        
							
						
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								      一種被配置為附接到陣列板(8)的框架構(gòu)件(1)包括：堤部件(2)，所述堤部件被布置成圍繞在所述陣列板(8)的一個表面上的預定區(qū)域(81)，并且具有用于容納液體的開口(21)；密封部件(3)，所述密封部件被布置在所述陣列板(8)的所述一個表面...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明是一種自熔合金皮膜的制造方法，其特征在于，該制造方法具有：在基材上噴涂將第一粉末、第二粉末和第三粉末混合而成的粉末材料，在所述基材上形成噴涂皮膜的工序；以及對所述噴涂皮膜進行熔融處理，形成自熔合金皮膜的工序。
								
        
							
        
							
						
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								      由氨生產(chǎn)氫的方法包括：氨裂解，其中氨分解為氫和氮，其中氨裂解按裂解步驟(13、36、17、20)的序列進行，并且最終裂解流(21)在最后的裂解步驟(20)之后獲得，其中，所述最后的氨裂解步驟(20)以絕熱方式進行和/或在所述最后的裂解步驟之...
								
        
							
        
							
						
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								      本技術(shù)涉及一種適當?shù)匚搅鞒龅酵寥赖拳h(huán)境中的以PFOA/PFOS為代表的有機氟化合物(PFAS)、諸如BTEX的有害有機化學物質(zhì)、農(nóng)用化學品物質(zhì)、重金屬等的技術(shù)，本技術(shù)的主要目的在于提供一種能夠使作為吸附材料的多孔碳材料有效地分散在液體中的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及N?(3?氯?5?(三氟甲基)苯基)?3?((6?(4?羥基哌啶?1?基)咪唑并[1,2?b]噠嗪?3?基)乙炔基)?2?甲基苯甲酰胺(在本發(fā)明中也稱為化合物1)或其藥學上可接受的鹽在治療或預防特應性皮炎中的應用。
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及N?(3?氯?5?(三氟甲基)苯基)?3?((6?(4?羥基哌啶?1?基)咪唑并[1,2?b]噠嗪?3?基)乙炔基)?2?甲基苯甲酰胺(在本發(fā)明中也稱為化合物1)或其藥學上可接受的鹽在治療或預防腎纖維化等疾病中的應用。
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種共享停車管理方法、系統(tǒng)、設備及可讀存儲介質(zhì)，涉及共享車位管理技術(shù)領域；其中，方法包括：獲取入口車牌數(shù)據(jù)并業(yè)主驗證，驗證通過后使用狀態(tài)為空閑時，下發(fā)車輛放行指令；在未通過或在車位使用狀態(tài)不為空閑時，車輛訂單數(shù)據(jù)為可用狀態(tài)時，下...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于操作車輛(1)的多個輔助系統(tǒng)(A)的方法，該車輛在數(shù)據(jù)技術(shù)上與中央計算機單元(2)耦合或者根據(jù)情況進行耦合。根據(jù)本發(fā)明，?輔助系統(tǒng)(A)被分為若干類別，其中：?根據(jù)所檢測的該車輛(1)的瞬時地理位置停用一種類別的輔助系統(tǒng)(...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明具備：第1放大電路，從第1偏置電路被供給第1偏置，將第1信號放大并將輸出信號輸出到第1輸出端子；第1觸發(fā)電路，包含陽極與所述第1輸出端子電連接的至少一個二極管，其中，在所述第1輸出端子的電壓超過給定的閾值的情況下，所述第1觸發(fā)電路輸出...
								
        
							
        
							
						
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								      多芯電纜（3）的處理裝置（1）具備：保持部件（41），其對護套（5）的非前端部（5B）進行保持；把持裝置（50），其對護套（5）的前端部（5A）或從護套（5）露出的電線（4、6）進行把持；拔出裝置（60），其拔出護套（5）的前端部（5A）；...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于確定圖案化過程的性能的方法，該方法包括：接收襯底的一部分的圖像，襯底的該部分包括第一區(qū)域和至少第二區(qū)域，第一區(qū)域包括與第一圖案化過程相關(guān)聯(lián)的第一特征，第二區(qū)域包括與第二圖案化過程相關(guān)聯(lián)的第二特征，其中，第一特征和第二特征在被輻射照射...
								
        
							
        
							
						
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