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信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其多比特乘單比特計(jì)算方法、設(shè)備

本申請(qǐng)涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其多比特乘單比特計(jì)算方法、設(shè)備，包括：權(quán)重存儲(chǔ)電路和輸入輸出電路，權(quán)重存儲(chǔ)電路中的多個(gè)權(quán)重存儲(chǔ)單元的控制端均與對(duì)應(yīng)的字線端相連，多個(gè)權(quán)重存儲(chǔ)單元的第一端與第一位線相連，多個(gè)權(quán)重存儲(chǔ)單元的第二端與第二位線相連...

2025-08-18
適用于高并行計(jì)算的SRAM存內(nèi)計(jì)算電路、方法及存儲(chǔ)器

本申請(qǐng)?zhí)貏e涉及一種適用于高并行計(jì)算的SRAM存內(nèi)計(jì)算電路、方法及存儲(chǔ)器，包括：第一反相器的輸入端分別與第一晶體管的源極、第二晶體管的源極和第二反相器的輸出端相連；第一反相器的輸出端分別與第三晶體管的源極、第四晶體管的源極和第二反相器的輸入端...

2025-08-18
占空比校正電路校準(zhǔn)方法、系統(tǒng)和存儲(chǔ)器

本公開(kāi)實(shí)施例提供的占空比校正電路校準(zhǔn)方法、系統(tǒng)和存儲(chǔ)器，包括：獲取DLL電路輸出的內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)以及DCC電路輸出的反饋時(shí)鐘信號(hào)，并根據(jù)內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)和反饋時(shí)鐘信號(hào)，確定占空比差值信號(hào)；獲取目標(biāo)采樣時(shí)刻DCC電路的第一實(shí)際溫度信息和第一實(shí)際電壓...

2025-08-18
靜態(tài)存儲(chǔ)器單元及存儲(chǔ)器架構(gòu)

本發(fā)明提供一種能降低存儲(chǔ)稀疏度較高的數(shù)據(jù)時(shí)的寫入功耗并能兼顧存儲(chǔ)穩(wěn)定性和存儲(chǔ)密度的靜態(tài)存儲(chǔ)器單元及存儲(chǔ)器架構(gòu)。所述靜態(tài)存儲(chǔ)器單元包括：輸出端電連接至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，輸入端電連接至第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，電源端電連接至第一電源的反相器電路；柵極電連接至所...

2025-08-18
一種23T4M的抗輻射TCAM存儲(chǔ)單元電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種23T4M的抗輻射TCAM存儲(chǔ)單元電路，包括預(yù)充電模塊、RH讀取電路模塊、可編程邏輯模塊、可重構(gòu)磁隧道結(jié)存儲(chǔ)模塊、放電模塊和輸出模塊；在RH讀取電路模塊中，晶體管N7的柵極連接晶體管N8的漏極，晶體管N8的柵極連接晶體管N7...

2025-08-18
半導(dǎo)體器件

一種半導(dǎo)體器件包括可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列、電連接到可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列的感測(cè)放大器和電連接到感測(cè)放大器的鉗位電壓生成電路。感測(cè)放大器包括放大感測(cè)節(jié)點(diǎn)處的電壓的放大單元、具有柵極端子被電連接的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的第一鉗位...

2025-08-18
磁存儲(chǔ)器芯片的防輻照電路

磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)利用電子的自旋進(jìn)行信息存儲(chǔ)，不需要待機(jī)耗能，是當(dāng)前取代SRAM與DRAM進(jìn)行大規(guī)模應(yīng)用的存儲(chǔ)器的最有力的候選。MRAM的存儲(chǔ)單元本身具有抗輻照性，然而其需要CMOS邏輯電路來(lái)進(jìn)行信息的讀寫等操作，所以仍然存在著被...

2025-08-18
具有選擇性可介接的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)

本申請(qǐng)案涉及一種具有選擇性可介接的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)可包含可為可配置的以將易失性存儲(chǔ)裝置、非易失性存儲(chǔ)裝置或這兩者提供到主機(jī)系統(tǒng)的所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)可包含多個(gè)端口，其各自能夠使用不同接口與所述主機(jī)系統(tǒng)通...

2025-08-18
磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)

本發(fā)明公開(kāi)一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)，其中該磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元具有依序串聯(lián)的三個(gè)晶體管以及四個(gè)磁隧穿結(jié)，其中第一晶體管與第三晶體管的連接處為第一結(jié)點(diǎn)，第二晶體管與第三晶體管的連接處為第二結(jié)點(diǎn)，第一晶體...

2025-08-18
用于執(zhí)行目標(biāo)刷新操作的裝置和方法

提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：第一儲(chǔ)存邏輯，其被配置成將在參考信號(hào)的使能時(shí)段期間施加的輸入地址之中的具有不同值的“K”個(gè)地址儲(chǔ)存作為第一地址；第二儲(chǔ)存邏輯，其被配置成將輸入地址之中的與參考信號(hào)的使能時(shí)段結(jié)束的時(shí)...

2025-08-18
稱重裝置、系統(tǒng)、稱重校核方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)

本申請(qǐng)涉及隧道施工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及稱重裝置、系統(tǒng)、稱重校核方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。該稱重裝置包括活動(dòng)下料器、稱重皮帶、輸送帶和校核容器；活動(dòng)下料器包括殼體和下料嘴，殼體從接料口接收稱重皮帶輸送的土渣并從下料嘴排出，下料嘴在轉(zhuǎn)載位時(shí)，下...

2025-08-18
回轉(zhuǎn)率控制電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種回轉(zhuǎn)率控制電路，電路包括回轉(zhuǎn)率控制單元、電容延遲單元、延遲單元、第一輸出單元、第二輸出單元及第三輸出單元。回轉(zhuǎn)率控制單元用以接收多個(gè)控制信號(hào)。電容延遲單元耦接于回轉(zhuǎn)率控制單元，并接收輸入信號(hào)。延遲單元耦接于電容延遲單元。第一...

2025-08-18
一種路徑切換的STT-MRAM讀電路和工作方法、2bit單元讀電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種路徑切換的STT?MRAM讀電路和工作方法、2bit單元讀電路，通過(guò)四組開(kāi)關(guān)調(diào)整電路進(jìn)入不同的等效狀態(tài)，在這個(gè)過(guò)程中部分晶體管不進(jìn)行工作，動(dòng)態(tài)功耗在一定程度上可以得到降低；通過(guò)引入路徑切換操作，兩個(gè)讀操作相互獨(dú)立，而且，該電...

2025-08-18
記憶體裝置

一種記憶體裝置，包含多個(gè)第一解碼線。多個(gè)第一解碼線設(shè)置于第一金屬化層中并在第一方向上延伸。多個(gè)第一解碼線中的每一者各自包含分別耦接至多個(gè)第一記憶體單元及多個(gè)第二記憶體單元的至少一第一段及一第二段。多個(gè)第一解碼線中的每一者的第一段及第二段沿著...

2025-08-18
一種測(cè)試設(shè)備及系統(tǒng)

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種測(cè)試設(shè)備及系統(tǒng)，測(cè)試設(shè)備包括：數(shù)據(jù)庫(kù)模塊，被配置為存儲(chǔ)期望數(shù)據(jù)；比較模塊，被配置為對(duì)期望數(shù)據(jù)與測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以獲得比較結(jié)果，期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果對(duì)應(yīng)；數(shù)據(jù)選擇模塊，被配置為根據(jù)期望數(shù)據(jù)以及期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果的對(duì)應(yīng)關(guān)系，...

2025-08-18
磁盤的制造方法、磁盤及磁盤前驅(qū)體

用于硬盤驅(qū)動(dòng)器裝置的磁盤具有基板、磁記錄層和設(shè)置于所述基板與所述磁記錄層之間的隔熱層。通過(guò)設(shè)置所述隔熱層，即使是耐熱性低的基板，也能夠用作能夠耐受熱處理(高溫退火)的磁盤的基板。

2025-08-18
一種軸類和孔類零部件的精密軸心測(cè)量平臺(tái)

本發(fā)明屬于機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種軸類和孔類零部件的精密軸心測(cè)量平臺(tái)。包括測(cè)量平臺(tái)底座、軸向掃描機(jī)構(gòu)、掃描框架及掃描測(cè)量機(jī)構(gòu)，其中軸向掃描機(jī)構(gòu)設(shè)置于測(cè)量平臺(tái)底座的頂部，軸向掃描機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)掃描框架沿被測(cè)零件軸向移動(dòng)；掃描框架與軸向掃描...

2025-08-18
存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測(cè)的分層ROM編碼器系統(tǒng)

本發(fā)明題為“存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測(cè)的分層ROM編碼器系統(tǒng)。”本發(fā)明公開(kāi)了用于使用分層ROM編碼系統(tǒng)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測(cè)的各種實(shí)施方案。在一個(gè)實(shí)施方案中，分層ROM編碼系統(tǒng)包括兩級(jí)ROM編碼器，該兩級(jí)ROM編碼器用于檢測(cè)地址故...

2025-08-18
一種EPS包裝成型材料多狀態(tài)尺寸檢測(cè)臺(tái)

本發(fā)明提供一種EPS包裝成型材料多狀態(tài)尺寸檢測(cè)臺(tái)，包括基座，固定在基座兩側(cè)的安裝架，還包括：驅(qū)動(dòng)軸，轉(zhuǎn)動(dòng)連接在一側(cè)安裝架上，其端部周向固定安裝有多根連接臂，所述連接臂的末端安裝有可翻轉(zhuǎn)的放置板，所述放置板上嵌裝有轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤的兩側(cè)表面均設(shè)...

2025-08-18
頁(yè)緩沖器及其操作方法以及電路

本申請(qǐng)涉及頁(yè)緩沖器及其操作方法以及電路。提供了電子裝置。一種頁(yè)緩沖器包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器、感測(cè)鎖存器和位線電壓控制器。至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)編程循環(huán)當(dāng)中的先前編程循環(huán)的編程驗(yàn)證結(jié)果以及要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的編程數(shù)據(jù)。感測(cè)鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)...

2025-08-18

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