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                  		信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明提供一種能降低存儲(chǔ)稀疏度較高的數(shù)據(jù)時(shí)的寫入功耗并能兼顧存儲(chǔ)穩(wěn)定性和存儲(chǔ)密度的靜態(tài)存儲(chǔ)器單元及存儲(chǔ)器架構(gòu)。所述靜態(tài)存儲(chǔ)器單元包括：輸出端電連接至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，輸入端電連接至第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，電源端電連接至第一電源的反相器電路；柵極電連接至所...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種23T4M的抗輻射TCAM存儲(chǔ)單元電路，包括預(yù)充電模塊、RH讀取電路模塊、可編程邏輯模塊、可重構(gòu)磁隧道結(jié)存儲(chǔ)模塊、放電模塊和輸出模塊；在RH讀取電路模塊中，晶體管N7的柵極連接晶體管N8的漏極，晶體管N8的柵極連接晶體管N7...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體器件包括可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列、電連接到可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列的感測放大器和電連接到感測放大器的鉗位電壓生成電路。感測放大器包括放大感測節(jié)點(diǎn)處的電壓的放大單元、具有柵極端子被電連接的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的第一鉗位...
								
        
							
        
							
						
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								      磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)利用電子的自旋進(jìn)行信息存儲(chǔ)，不需要待機(jī)耗能，是當(dāng)前取代SRAM與DRAM進(jìn)行大規(guī)模應(yīng)用的存儲(chǔ)器的最有力的候選。MRAM的存儲(chǔ)單元本身具有抗輻照性，然而其需要CMOS邏輯電路來進(jìn)行信息的讀寫等操作，所以仍然存在著被...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請案涉及一種具有選擇性可介接的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)可包含可為可配置的以將易失性存儲(chǔ)裝置、非易失性存儲(chǔ)裝置或這兩者提供到主機(jī)系統(tǒng)的所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)可包含多個(gè)端口，其各自能夠使用不同接口與所述主機(jī)系統(tǒng)通...
								
        
							
        
							
						
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								      提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：第一儲(chǔ)存邏輯，其被配置成將在參考信號(hào)的使能時(shí)段期間施加的輸入地址之中的具有不同值的“K”個(gè)地址儲(chǔ)存作為第一地址；第二儲(chǔ)存邏輯，其被配置成將輸入地址之中的與參考信號(hào)的使能時(shí)段結(jié)束的時(shí)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種回轉(zhuǎn)率控制電路，電路包括回轉(zhuǎn)率控制單元、電容延遲單元、延遲單元、第一輸出單元、第二輸出單元及第三輸出單元。回轉(zhuǎn)率控制單元用以接收多個(gè)控制信號(hào)。電容延遲單元耦接于回轉(zhuǎn)率控制單元，并接收輸入信號(hào)。延遲單元耦接于電容延遲單元。第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu)，其中該磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元具有依序串聯(lián)的三個(gè)晶體管以及四個(gè)磁隧穿結(jié)，其中第一晶體管與第三晶體管的連接處為第一結(jié)點(diǎn)，第二晶體管與第三晶體管的連接處為第二結(jié)點(diǎn)，第一晶體...
								
        
							
        
							
						
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								      一種記憶體裝置，包含多個(gè)第一解碼線。多個(gè)第一解碼線設(shè)置于第一金屬化層中并在第一方向上延伸。多個(gè)第一解碼線中的每一者各自包含分別耦接至多個(gè)第一記憶體單元及多個(gè)第二記憶體單元的至少一第一段及一第二段。多個(gè)第一解碼線中的每一者的第一段及第二段沿著...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種路徑切換的STT?MRAM讀電路和工作方法、2bit單元讀電路，通過四組開關(guān)調(diào)整電路進(jìn)入不同的等效狀態(tài)，在這個(gè)過程中部分晶體管不進(jìn)行工作，動(dòng)態(tài)功耗在一定程度上可以得到降低；通過引入路徑切換操作，兩個(gè)讀操作相互獨(dú)立，而且，該電...
								
        
							
        
							
						
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								      用于硬盤驅(qū)動(dòng)器裝置的磁盤具有基板、磁記錄層和設(shè)置于所述基板與所述磁記錄層之間的隔熱層。通過設(shè)置所述隔熱層，即使是耐熱性低的基板，也能夠用作能夠耐受熱處理(高溫退火)的磁盤的基板。
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實(shí)施例提供一種測試設(shè)備及系統(tǒng)，測試設(shè)備包括：數(shù)據(jù)庫模塊，被配置為存儲(chǔ)期望數(shù)據(jù)；比較模塊，被配置為對(duì)期望數(shù)據(jù)與測試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，以獲得比較結(jié)果，期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果對(duì)應(yīng)；數(shù)據(jù)選擇模塊，被配置為根據(jù)期望數(shù)據(jù)以及期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果的對(duì)應(yīng)關(guān)系，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明屬于機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種軸類和孔類零部件的精密軸心測量平臺(tái)。包括測量平臺(tái)底座、軸向掃描機(jī)構(gòu)、掃描框架及掃描測量機(jī)構(gòu)，其中軸向掃描機(jī)構(gòu)設(shè)置于測量平臺(tái)底座的頂部，軸向掃描機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)掃描框架沿被測零件軸向移動(dòng)；掃描框架與軸向掃描...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及隧道施工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及稱重裝置、系統(tǒng)、稱重校核方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。該稱重裝置包括活動(dòng)下料器、稱重皮帶、輸送帶和校核容器；活動(dòng)下料器包括殼體和下料嘴，殼體從接料口接收稱重皮帶輸送的土渣并從下料嘴排出，下料嘴在轉(zhuǎn)載位時(shí)，下...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明題為“存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測的分層ROM編碼器系統(tǒng)。”本發(fā)明公開了用于使用分層ROM編碼系統(tǒng)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測的各種實(shí)施方案。在一個(gè)實(shí)施方案中，分層ROM編碼系統(tǒng)包括兩級(jí)ROM編碼器，該兩級(jí)ROM編碼器用于檢測地址故...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EPS包裝成型材料多狀態(tài)尺寸檢測臺(tái)，包括基座，固定在基座兩側(cè)的安裝架，還包括：驅(qū)動(dòng)軸，轉(zhuǎn)動(dòng)連接在一側(cè)安裝架上，其端部周向固定安裝有多根連接臂，所述連接臂的末端安裝有可翻轉(zhuǎn)的放置板，所述放置板上嵌裝有轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤的兩側(cè)表面均設(shè)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及頁緩沖器及其操作方法以及電路。提供了電子裝置。一種頁緩沖器包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器、感測鎖存器和位線電壓控制器。至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)編程循環(huán)當(dāng)中的先前編程循環(huán)的編程驗(yàn)證結(jié)果以及要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的編程數(shù)據(jù)。感測鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種實(shí)心核殼結(jié)構(gòu)的銨根插層的硫化鎳/羥基氧化鎳@二硫化鉬，其化學(xué)式為Ni3S2/Ni3O2(OH)4@MoS...
								
        
							
        
							
						
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								      一種存儲(chǔ)器設(shè)備具有：開關(guān)矩陣，該開關(guān)矩陣具有電源輸入、控制輸入和電源輸出；以及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，該隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有與該開關(guān)矩陣的該電源輸出耦接的電源連接部。該開關(guān)矩陣具有能夠由電源充電的電容器，并且在通過該控制輸入接收到控制信號(hào)時(shí)，該開關(guān)矩...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種鈔袋模塊及其大額存款機(jī)，鈔袋模塊，包括鈔袋、鈔袋固定架、安全門箱、保護(hù)門架，鈔袋用于存放紙幣且其頂部開口；鈔袋的頂部套裝固定在鈔袋固定架上，安全門箱安裝在鈔袋固定架上，且安全門箱將鈔袋內(nèi)部與保護(hù)門架的鈔斗連通或關(guān)閉，保護(hù)門架...
								
        
							
        
							
						
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