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      信息存儲(chǔ)應(yīng)用技術(shù)
      • 一種半導(dǎo)體器件包括可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列、電連接到可變電阻存儲(chǔ)器單元陣列的感測(cè)放大器和電連接到感測(cè)放大器的鉗位電壓生成電路。感測(cè)放大器包括放大感測(cè)節(jié)點(diǎn)處的電壓的放大單元、具有柵極端子被電連接的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的第一鉗位...
      • 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)利用電子的自旋進(jìn)行信息存儲(chǔ),不需要待機(jī)耗能,是當(dāng)前取代SRAM與DRAM進(jìn)行大規(guī)模應(yīng)用的存儲(chǔ)器的最有力的候選。MRAM的存儲(chǔ)單元本身具有抗輻照性,然而其需要CMOS邏輯電路來進(jìn)行信息的讀寫等操作,所以仍然存在著被...
      • 本申請(qǐng)案涉及一種具有選擇性可介接的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)可包含可為可配置的以將易失性存儲(chǔ)裝置、非易失性存儲(chǔ)裝置或這兩者提供到主機(jī)系統(tǒng)的所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。所述存儲(chǔ)器子系統(tǒng)可包含多個(gè)端口,其各自能夠使用不同接口與所述主機(jī)系統(tǒng)通...
      • 本發(fā)明公開一種磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與布局結(jié)構(gòu),其中該磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電路結(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元具有依序串聯(lián)的三個(gè)晶體管以及四個(gè)磁隧穿結(jié),其中第一晶體管與第三晶體管的連接處為第一結(jié)點(diǎn),第二晶體管與第三晶體管的連接處為第二結(jié)點(diǎn),第一晶體...
      • 提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法。一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括:第一儲(chǔ)存邏輯,其被配置成將在參考信號(hào)的使能時(shí)段期間施加的輸入地址之中的具有不同值的“K”個(gè)地址儲(chǔ)存作為第一地址;第二儲(chǔ)存邏輯,其被配置成將輸入地址之中的與參考信號(hào)的使能時(shí)段結(jié)束的時(shí)...
      • 本申請(qǐng)涉及隧道施工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及稱重裝置、系統(tǒng)、稱重校核方法、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。該稱重裝置包括活動(dòng)下料器、稱重皮帶、輸送帶和校核容器;活動(dòng)下料器包括殼體和下料嘴,殼體從接料口接收稱重皮帶輸送的土渣并從下料嘴排出,下料嘴在轉(zhuǎn)載位時(shí),下...
      • 本發(fā)明公開了一種回轉(zhuǎn)率控制電路,電路包括回轉(zhuǎn)率控制單元、電容延遲單元、延遲單元、第一輸出單元、第二輸出單元及第三輸出單元。回轉(zhuǎn)率控制單元用以接收多個(gè)控制信號(hào)。電容延遲單元耦接于回轉(zhuǎn)率控制單元,并接收輸入信號(hào)。延遲單元耦接于電容延遲單元。第一...
      • 一種記憶體裝置,包含多個(gè)第一解碼線。多個(gè)第一解碼線設(shè)置于第一金屬化層中并在第一方向上延伸。多個(gè)第一解碼線中的每一者各自包含分別耦接至多個(gè)第一記憶體單元及多個(gè)第二記憶體單元的至少一第一段及一第二段。多個(gè)第一解碼線中的每一者的第一段及第二段沿著...
      • 本發(fā)明公開了一種路徑切換的STT?MRAM讀電路和工作方法、2bit單元讀電路,通過四組開關(guān)調(diào)整電路進(jìn)入不同的等效狀態(tài),在這個(gè)過程中部分晶體管不進(jìn)行工作,動(dòng)態(tài)功耗在一定程度上可以得到降低;通過引入路徑切換操作,兩個(gè)讀操作相互獨(dú)立,而且,該電...
      • 用于硬盤驅(qū)動(dòng)器裝置的磁盤具有基板、磁記錄層和設(shè)置于所述基板與所述磁記錄層之間的隔熱層。通過設(shè)置所述隔熱層,即使是耐熱性低的基板,也能夠用作能夠耐受熱處理(高溫退火)的磁盤的基板。
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種測(cè)試設(shè)備及系統(tǒng),測(cè)試設(shè)備包括:數(shù)據(jù)庫模塊,被配置為存儲(chǔ)期望數(shù)據(jù);比較模塊,被配置為對(duì)期望數(shù)據(jù)與測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,以獲得比較結(jié)果,期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果對(duì)應(yīng);數(shù)據(jù)選擇模塊,被配置為根據(jù)期望數(shù)據(jù)以及期望數(shù)據(jù)與比較結(jié)果的對(duì)應(yīng)關(guān)系,...
      • 本發(fā)明屬于機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種軸類和孔類零部件的精密軸心測(cè)量平臺(tái)。包括測(cè)量平臺(tái)底座、軸向掃描機(jī)構(gòu)、掃描框架及掃描測(cè)量機(jī)構(gòu),其中軸向掃描機(jī)構(gòu)設(shè)置于測(cè)量平臺(tái)底座的頂部,軸向掃描機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)掃描框架沿被測(cè)零件軸向移動(dòng);掃描框架與軸向掃描...
      • 本發(fā)明題為“存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測(cè)的分層ROM編碼器系統(tǒng)。”本發(fā)明公開了用于使用分層ROM編碼系統(tǒng)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中執(zhí)行地址故障檢測(cè)的各種實(shí)施方案。在一個(gè)實(shí)施方案中,分層ROM編碼系統(tǒng)包括兩級(jí)ROM編碼器,該兩級(jí)ROM編碼器用于檢測(cè)地址故...
      • 本發(fā)明提供一種EPS包裝成型材料多狀態(tài)尺寸檢測(cè)臺(tái),包括基座,固定在基座兩側(cè)的安裝架,還包括:驅(qū)動(dòng)軸,轉(zhuǎn)動(dòng)連接在一側(cè)安裝架上,其端部周向固定安裝有多根連接臂,所述連接臂的末端安裝有可翻轉(zhuǎn)的放置板,所述放置板上嵌裝有轉(zhuǎn)盤,所述轉(zhuǎn)盤的兩側(cè)表面均設(shè)...
      • 本申請(qǐng)涉及頁緩沖器及其操作方法以及電路。提供了電子裝置。一種頁緩沖器包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器、感測(cè)鎖存器和位線電壓控制器。至少一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)編程循環(huán)當(dāng)中的先前編程循環(huán)的編程驗(yàn)證結(jié)果以及要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的編程數(shù)據(jù)。感測(cè)鎖存器存儲(chǔ)多個(gè)...
      • 本發(fā)明公開了一種實(shí)心核殼結(jié)構(gòu)的銨根插層的硫化鎳/羥基氧化鎳@二硫化鉬,其化學(xué)式為Ni3S2/Ni3O2(OH)4@MoS...
      • 一種存儲(chǔ)器設(shè)備具有:開關(guān)矩陣,該開關(guān)矩陣具有電源輸入、控制輸入和電源輸出;以及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,該隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有與該開關(guān)矩陣的該電源輸出耦接的電源連接部。該開關(guān)矩陣具有能夠由電源充電的電容器,并且在通過該控制輸入接收到控制信號(hào)時(shí),該開關(guān)矩...
      • 本發(fā)明公開了一種鈔袋模塊及其大額存款機(jī),鈔袋模塊,包括鈔袋、鈔袋固定架、安全門箱、保護(hù)門架,鈔袋用于存放紙幣且其頂部開口;鈔袋的頂部套裝固定在鈔袋固定架上,安全門箱安裝在鈔袋固定架上,且安全門箱將鈔袋內(nèi)部與保護(hù)門架的鈔斗連通或關(guān)閉,保護(hù)門架...
      • 本發(fā)明公開了一種測(cè)量機(jī)匣內(nèi)部旋轉(zhuǎn)葉片穩(wěn)態(tài)變形的裝置,包括數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)、光纖陣列、光纖探頭組,所述光纖探頭組包括至少兩個(gè)光纖探頭,所述光纖探頭沿弦向安裝在機(jī)匣上,每一個(gè)所述光纖探頭相對(duì)于轉(zhuǎn)軸的軸向位置各不相同,所述光纖陣列具有與所述光纖探...
      • 本發(fā)明提供一種基于虛擬化技術(shù)的筆記本預(yù)裝環(huán)境模擬測(cè)試方法及系統(tǒng),首先創(chuàng)建與目標(biāo)筆記本硬件架構(gòu)匹配的虛擬化環(huán)境實(shí)例,包含預(yù)裝操作系統(tǒng)及預(yù)置軟件集合,隨后,根據(jù)預(yù)定義的環(huán)境配置策略注入模擬用戶操作行為序列,生成動(dòng)態(tài)測(cè)試用例集合,并在虛擬化環(huán)境實(shí)...
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