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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)

壓電振動(dòng)器件及其制造方法

本發(fā)明由于與形成在壓電振動(dòng)板的夾著振動(dòng)部的兩端部的第一、第二安裝端子用金屬膜連接的第一、第二安裝端子形成在與壓電振動(dòng)板接合的薄膜的外表面上，因此即使為了增大振動(dòng)部，將振動(dòng)部的兩側(cè)的第一、第二安裝端子用金屬膜的尺寸減小，也能夠確保用于安裝待形...

2025-09-05
表面聲波濾波器及其制備方法、射頻模組

本發(fā)明提供一種表面聲波濾波器及其制備方法、射頻模組。其中，本發(fā)明是在晶圓切割分粒的過(guò)程中，增加一道制備膠材的工藝，以至少使得每個(gè)分割開(kāi)的所述SAW晶粒的周向側(cè)壁上附著有所述膠材，進(jìn)而在回流焊過(guò)程中，所述膠材受熱呈熔融狀態(tài)，并在重力作用下流淌...

2025-09-05
一種零衰減多諧振回路帶內(nèi)紋波可調(diào)諧均衡器及調(diào)節(jié)方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種零衰減多諧振回路帶內(nèi)紋波可調(diào)諧均衡器及調(diào)節(jié)方法，具體涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域；要點(diǎn)為：均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個(gè)電可調(diào)諧振單元以及輸出隔離單元；相鄰兩個(gè)電可調(diào)諧振單元之間均連接有諧振隔離單元；多個(gè)電可調(diào)諧振...

2025-09-05
一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器

本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)...

2025-09-05
薄膜表面聲波諧振器和濾波器

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件，包括：具有第一面和第二面的薄膜壓電層；設(shè)置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結(jié)構(gòu)；具有第一面和第二面的支撐晶圓；在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結(jié)構(gòu)，其配置包括：形成于...

2025-09-05
具有不同厚度IDT配置的體聲學(xué)諧振器

提供了一種體聲學(xué)諧振器、包括該體聲學(xué)諧振器的濾波器設(shè)備、以及包括該濾波器設(shè)備的射頻模塊。體聲學(xué)諧振器包括：壓電層；以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個(gè)交錯(cuò)指狀物和第二多個(gè)交錯(cuò)指狀物。第二多個(gè)交錯(cuò)指狀物的一對(duì)子部分在IDT的長(zhǎng)度...

2025-09-05
一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器

本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及凹陷，活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)更大的聲速...

2025-09-05
一種TF-SAW諧振器及其制備方法、濾波器

本發(fā)明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。叉指電極包括活塞結(jié)構(gòu)、子匯流條以及金屬凸塊，活塞結(jié)構(gòu)位于聲學(xué)部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學(xué)部分的末端區(qū)域設(shè)置有活塞結(jié)構(gòu)，通過(guò)改變?cè)撃┒藚^(qū)域的聲速來(lái)實(shí)現(xiàn)更大的...

2025-09-05
聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、及相關(guān)設(shè)備

本發(fā)明提供了一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、及相關(guān)設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在第一方向上叉指電極與承載基板之間具有的間隔區(qū)域即聲表面波濾波器的空腔區(qū)域；焊盤結(jié)構(gòu)在第一方向上分別與襯底以及承載基板接觸，叉指電極以及焊盤主體結(jié)構(gòu)位于第一...

2025-09-05
一種新結(jié)構(gòu)的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器及其制備方法

本發(fā)明涉及體聲波濾波器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新結(jié)構(gòu)的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器及其制備方法，橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器包括：基片以及依次設(shè)置于基片上的介質(zhì)層、壓電薄膜、電極、調(diào)頻層；橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器還設(shè)置有背腔，背腔穿透基片和部分介質(zhì)層...

2025-09-05
一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號(hào)發(fā)生裝置及方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號(hào)發(fā)生裝置及方法，屬于信息技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方法采用帶巴倫反饋的放大器，輸出通路從巴倫端口輸出，將功率放大器的前后用巴倫隔開(kāi)，這樣降低信號(hào)反射對(duì)前級(jí)通路的影響，而且巴倫是一種幾乎沒(méi)有功率損耗的耦...

2025-09-05
模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電量檢測(cè)電路以及電池管理系統(tǒng)

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器、電量檢測(cè)電路以及電池管理系統(tǒng)，模數(shù)轉(zhuǎn)換器包括調(diào)制器、數(shù)字濾波模塊、信號(hào)檢測(cè)器以及選擇電路；調(diào)制器用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行量化，以輸出量化信號(hào)；數(shù)字濾波模塊連接于調(diào)制器，且用于對(duì)量化信號(hào)進(jìn)行濾波；其中數(shù)字濾波模塊包...

2025-09-05
一種MCU芯片的智能復(fù)位電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種MCU芯片的智能復(fù)位電路，涉及復(fù)位技術(shù)領(lǐng)域，包括信號(hào)產(chǎn)生模塊，用于產(chǎn)生偏置電流和電壓檢測(cè)；整形處理模塊，用于信號(hào)整形和反相處理；信號(hào)鎖存模塊，用于產(chǎn)生上電復(fù)位信號(hào)；手動(dòng)復(fù)位模塊，用于手動(dòng)復(fù)位控制；RC濾波模塊，用于信號(hào)濾波和...

2025-09-05
應(yīng)用于大規(guī)模MIMO獨(dú)立本振配置的本振功分電路

本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于大規(guī)模MIMO獨(dú)立本振配置的本振功分電路，包括參考低頻本振源、多個(gè)鎖相環(huán)模塊、功率分配模塊、多個(gè)IQ混頻器和射頻處理模塊，參考低頻本振源的輸出端輸出多路低頻參考信號(hào)，參考低頻本振源的輸出端分別與多個(gè)鎖相環(huán)模塊相連，每個(gè)鎖...

2025-09-05
基于NMOS管的高壓電子開(kāi)關(guān)電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于NMOS管的高壓電子開(kāi)關(guān)電路，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，包括：低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路用于將來(lái)自外部的第一開(kāi)關(guān)控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二開(kāi)關(guān)控制信號(hào)和第三開(kāi)關(guān)控制信號(hào)；高壓側(cè)基本驅(qū)動(dòng)電路用于在第二開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的控制下，為低邊電子開(kāi)關(guān)電路中所有NM...

2025-09-05
一種功率放大器開(kāi)關(guān)及電子設(shè)備

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種功率放大器開(kāi)關(guān)及電子設(shè)備，通過(guò)合理的模塊化和復(fù)用策略，能夠有效解決現(xiàn)有功率放大器開(kāi)關(guān)存在的輸出功率和功率附加效率下降、以及尺寸大和生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。該分布式功效開(kāi)關(guān)中，N個(gè)具有放大功能的晶體管的復(fù)用，使得M個(gè)晶體管不僅用...

2025-09-05
一種基于Marchand巴倫的負(fù)載調(diào)制推挽式功率放大器及其設(shè)計(jì)方法

本發(fā)明提供了一種基于Marchand巴倫的負(fù)載調(diào)制推挽式功率放大器及其設(shè)計(jì)方法，包括正交耦合器、輔功放電路和推挽式主功放電路。其中正交耦合器負(fù)責(zé)將射頻輸入信號(hào)分為幅度相同，相位相差90°的兩路信號(hào)，分別輸入輔功放電路和推挽式主功放電路。輔功...

2025-09-05
集成電路裝置和振蕩器

集成電路裝置和振蕩器。提供能夠降低所輸入的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)與輸出時(shí)鐘信號(hào)經(jīng)由端子而發(fā)生干擾的可能性的集成電路裝置。集成電路裝置具備：時(shí)鐘輸入端子，其沿所述第1邊配置，用于輸入基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)；第1電源電壓輸入端子，其沿所述第1邊配置，用于輸入第1電...

2025-09-05
一種基于聲音掩蔽效應(yīng)的音頻功放開(kāi)機(jī)爆音抑制方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于聲音掩蔽效應(yīng)的音頻功放開(kāi)機(jī)爆音抑制方法，屬于功放技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：步驟S1：預(yù)設(shè)用于音頻檢測(cè)的電壓參考基準(zhǔn)值；步驟S2：根據(jù)輸入電壓值與電壓參考基準(zhǔn)值的對(duì)比，對(duì)應(yīng)輸出抑制信號(hào)或工作信號(hào)；步驟S3：生成PWM信號(hào)，通過(guò)...

2025-09-05
一種溫度補(bǔ)償聲表面波器件及其制造方法

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)領(lǐng)域，特別是涉及一種溫度補(bǔ)償聲表面波器件及其制造方法，通過(guò)第一電極光刻在壓電襯底的第一表面上設(shè)置圖形化的第一電極層；所述第一電極層包括電極連接層；在所述第一電極層上設(shè)置第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層上沉積鈍化層；在所述...

2025-09-05

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