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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)

一種具備抗干擾和欠壓的光MOS點(diǎn)火模塊的電路、結(jié)構(gòu)、制備方法

本發(fā)明公開(kāi)的一種具備抗干擾和欠壓的光MOS點(diǎn)火模塊，其特征在于：包括延時(shí)電路、隔離電路、輸出電路；通過(guò)延時(shí)電路抑制尖峰干擾，光隔離切斷共模干擾，輸入端可承受3～5ms(5V)尖峰及欠壓，確保點(diǎn)火信號(hào)穩(wěn)定；在封裝時(shí)采用陶瓷外殼、全裸芯片裝配及...

2025-08-29
一種基于跨導(dǎo)調(diào)制的增益誤差抑制電路

一種基于跨導(dǎo)調(diào)制的增益誤差抑制電路，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括跨導(dǎo)調(diào)制電路、輸入級(jí)電路、輸出級(jí)電路，其中輸入級(jí)電路包括跨導(dǎo)器G_m11和跨導(dǎo)器G_m12，用于將輸入信號(hào)V_IN和反...

2025-08-29
振動(dòng)元件、振子以及電子器件

振動(dòng)元件、振子以及電子器件。提供振蕩特性不易產(chǎn)生偏差的振動(dòng)元件。振動(dòng)元件具有配置在振動(dòng)片的第1面上的第1激勵(lì)電極、第1焊盤(pán)電極和第1引出布線；配置在振動(dòng)片的第2面上的第2激勵(lì)電極、第2焊盤(pán)電極和第2引出布線；以及配置在振動(dòng)片的第1面上的螺旋...

2025-08-29
基于陶瓷貼片的低通濾波器

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于陶瓷貼片的低通濾波器，包括主體結(jié)構(gòu)、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組、電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組；焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組設(shè)置于主體結(jié)構(gòu)；電容結(jié)構(gòu)和電感結(jié)構(gòu)設(shè)置于主體結(jié)構(gòu)內(nèi)側(cè)；焊盤(pán)結(jié)構(gòu)組分別和電容結(jié)構(gòu)組、電感結(jié)構(gòu)組電連接；電容結(jié)構(gòu)組和電感結(jié)構(gòu)組包括諧振控制結(jié)構(gòu)...

2025-08-29
功放電路和電子設(shè)備

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種功放電路和電子設(shè)備，涉及射頻領(lǐng)域，用于載波支路和峰值支路通過(guò)耦合器相耦合時(shí)，降低載波支路的插損。功放電路包括：第一功率放大器、第二功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)、第二移相網(wǎng)絡(luò)、耦合器、匹配負(fù)載，第一功率放大器的輸入端用于輸入射頻信號(hào)，...

2025-08-29
信號(hào)產(chǎn)生電路、鎖頻回路電路及鎖相回路系統(tǒng)

一種信號(hào)產(chǎn)生電路、鎖頻回路電路及鎖相回路系統(tǒng)。信號(hào)產(chǎn)生電路包含第一斬波器、第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器、第二斬波器及漣波消除器。第一轉(zhuǎn)導(dǎo)放大器包含差動(dòng)輸入電路、電流鏡電路及放大電路。差動(dòng)輸入電路用以接收差動(dòng)輸入信號(hào)，且差動(dòng)輸入信號(hào)通過(guò)電流鏡電路、放大電路...

2025-08-29
濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級(jí)封裝方法

本發(fā)明公開(kāi)一種濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級(jí)封裝方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括：濾波器芯片，濾波器芯片的正面具有諧振器工作區(qū)，其邊緣設(shè)有多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)，焊墊結(jié)構(gòu)的外圍設(shè)有支撐圍墻，焊墊結(jié)構(gòu)和支撐圍墻上設(shè)有頂蓋層；焊墊結(jié)構(gòu)包括第一焊墊部和第二焊墊部，第一焊...

2025-08-29
基于信道化技術(shù)的超寬帶低延遲信號(hào)處理方法

本發(fā)明涉及超寬帶信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及基于信道化技術(shù)的超寬帶低延遲信號(hào)處理方法，該方法的步驟包括：獲取輸入數(shù)字信號(hào)，對(duì)輸入數(shù)字信號(hào)進(jìn)行多相分解，得到K個(gè)多相分量；選取原型低通濾波器，并根據(jù)信道總數(shù)和預(yù)設(shè)的內(nèi)插因子從原型低通濾波器的...

2025-08-29
聲表面波諧振器、濾波器和電子設(shè)備

本申請(qǐng)公開(kāi)一種聲表面波諧振器、濾波器和電子設(shè)備，涉及諧振器技術(shù)領(lǐng)域，聲表面波諧振器包括基板組件和叉指換能器，基板組件包括第一壓電層和非壓電層，非壓電層位于第一壓電層的外周，叉指換能器與基板組件沿第一方向?qū)盈B設(shè)置，叉指換能器具有第一激發(fā)段和第...

2025-08-29
蘭姆波諧振器及其制作方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種蘭姆波諧振器及其制作方法，該蘭姆波諧振器包括：一壓電材料層；一第一指狀電極，設(shè)置于所述壓電材料層的一側(cè)，該第一指狀電極包括一第一主干部與復(fù)數(shù)個(gè)第一分支部；一第二指狀電極，設(shè)置于所述壓電材料層的所述一側(cè)，該第二指狀電極包括一第...

2025-08-29
一種基于跨阻放大器的增益自調(diào)節(jié)離子信號(hào)檢測(cè)電路

本實(shí)用新型提供了一種基于跨阻放大器的增益自調(diào)節(jié)離子信號(hào)檢測(cè)電路，包括電子倍增器CEM，電子倍增器CEM將離子信號(hào)轉(zhuǎn)換為電子束，并經(jīng)過(guò)跨阻放大器U1分別傳輸給低增益信號(hào)放大電路和高增益信號(hào)放大電路，輸出幅值識(shí)別及傳輸電路用于判斷低增益信號(hào)放大...

2025-08-29
碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件，涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅器件包括驅(qū)動(dòng)電路、上橋臂和下橋臂，上橋臂和下橋臂均包括功率開(kāi)關(guān)管，每條驅(qū)動(dòng)電路連接一個(gè)功率開(kāi)關(guān)管，被配置為驅(qū)動(dòng)功率開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷，至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)模塊、驅(qū)動(dòng)電...

2025-08-29
一種LC帶通濾波器

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LC帶通濾波器，包括：電路板以及設(shè)置在電路板上的殼體，所述電路板上設(shè)置有電路；所述電路包括對(duì)地串聯(lián)諧振、交叉耦合零點(diǎn)，所述帶通濾波器的輸入端與第一級(jí)耦合電容連接，所述帶通濾波器的輸出端連接與交叉耦合零點(diǎn)輸出端連接。本實(shí)用...

2025-08-29
一種電壓域轉(zhuǎn)換電路

本申請(qǐng)涉及集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電壓域轉(zhuǎn)換電路。所述電壓域轉(zhuǎn)換電路，包括：共模噪聲消除模塊，與雙高壓脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路連接，用于在高壓側(cè)電壓域的電壓變化值及電壓變化率滿足預(yù)定條件時(shí)，鉗位雙高壓脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路的第一高壓脈沖信號(hào)輸...

2025-08-29
電子器件

電子器件（1）具備素體（2）和電感器，電感器包括：在多個(gè)素體層（7）的層疊方向上延伸的第一導(dǎo)體（10）、第二導(dǎo)體（11）、第三導(dǎo)體（12）、第四導(dǎo)體（13）、第五導(dǎo)體（14）以及第六導(dǎo)體（15）；第一電感器導(dǎo)體（20）、第二電感器導(dǎo)體（21...

2025-08-29
一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路

本發(fā)明提供一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路，包括偏置產(chǎn)生單元及頻率選擇性濾波單元，所述頻率選擇性濾波單元與所述偏置產(chǎn)生單元相連；所述偏置產(chǎn)生單元用于產(chǎn)生初始偏置電壓，所述頻率選擇性濾波單元接收所述初始偏置電壓并對(duì)所述初始偏置電壓進(jìn)...

2025-08-29
一種應(yīng)用于前端采集系統(tǒng)的低噪聲高精度可編程增益放大器

本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于前端采集系統(tǒng)的低噪聲高精度可編程增益放大器，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括主體放大電路、直流失調(diào)消除電路、斬波電路、RC低通濾波電路和buffer驅(qū)動(dòng)電路；所述主體放大電路的輸入差分信號(hào)經(jīng)過(guò)直流失調(diào)消除電路、斬波電路RC低...

2025-08-29
模數(shù)轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品

本申請(qǐng)涉及一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品，在對(duì)第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電容陣列進(jìn)行初始化處理后，通過(guò)控制信號(hào)向電容陣列的其中一排電容注入電荷，通過(guò)第一組電容預(yù)置位控制字信號(hào)和第二組電容預(yù)置位控制字信號(hào)依次向電容陣列的另一排電...

2025-08-29
用于IGBT器件的三電平驅(qū)動(dòng)電路

本發(fā)明公開(kāi)了用于IGBT器件的三電平驅(qū)動(dòng)電路，該三電平驅(qū)動(dòng)電路包括連接座、驅(qū)動(dòng)電源電路、溫度檢測(cè)電路、T1管驅(qū)動(dòng)電路、T2管驅(qū)動(dòng)電路、T3管驅(qū)動(dòng)電路、T4管驅(qū)動(dòng)電路、T5管驅(qū)動(dòng)電路、T6管驅(qū)動(dòng)電路、第一檢測(cè)電路、第二檢測(cè)電路、第一驅(qū)動(dòng)鉗位電...

2025-08-29
一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路

本發(fā)明屬于MOS管驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明提供了一種橋臂碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制電路，在不影響器件開(kāi)關(guān)速度的基礎(chǔ)上，利用三極管共基共集電極結(jié)構(gòu)，兩晶體管基極和集電極電位相等，迫使各自發(fā)...

2025-08-29

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