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								      本發明公開了一種零衰減多諧振回路帶內紋波可調諧均衡器及調節方法，具體涉及集成電路技術領域；要點為：均衡器包括依次連接的輸入隔離單元、放大單元、多個電可調諧振單元以及輸出隔離單元；相鄰兩個電可調諧振單元之間均連接有諧振隔離單元；多個電可調諧振...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條、金屬凸塊以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供了一種薄膜表面聲波(SAW)射頻濾波器器件，包括：具有第一面和第二面的薄膜壓電層；設置于所述薄膜壓電層第一面的叉指換能器(IDT)金屬結構；具有第一面和第二面的支撐晶圓；在所述支撐晶圓第一面形成的聲速層堆疊結構，其配置包括：形成于...
								
        
							
        
							
						
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								      提供了一種體聲學諧振器、包括該體聲學諧振器的濾波器設備、以及包括該濾波器設備的射頻模塊。體聲學諧振器包括：壓電層；以及在壓電層的表面上方的IDT。IDT包括第一多個交錯指狀物和第二多個交錯指狀物。第二多個交錯指狀物的一對子部分在IDT的長度...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及凹陷，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現更大的聲速...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種TF?SAW諧振器及其制備方法、濾波器，涉及半導體技術領域。叉指電極包括活塞結構、子匯流條以及金屬凸塊，活塞結構位于聲學部分的兩端，可以理解的是電極指條上聲學部分的末端區域設置有活塞結構，通過改變該末端區域的聲速來實現更大的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種聲表面波濾波器封裝結構及其制備方法、及相關設備，涉及半導體技術領域。在第一方向上叉指電極與承載基板之間具有的間隔區域即聲表面波濾波器的空腔區域；焊盤結構在第一方向上分別與襯底以及承載基板接觸，叉指電極以及焊盤主體結構位于第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及體聲波濾波器技術領域，特別涉及一種新結構的橫向激勵薄膜體聲波諧振器及其制備方法，橫向激勵薄膜體聲波諧振器包括：基片以及依次設置于基片上的介質層、壓電薄膜、電極、調頻層；橫向激勵薄膜體聲波諧振器還設置有背腔，背腔穿透基片和部分介質層...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種帶巴倫反饋的X頻段低相噪低駐波信號發生裝置及方法，屬于信息技術領域。本發明方法采用帶巴倫反饋的放大器，輸出通路從巴倫端口輸出，將功率放大器的前后用巴倫隔開，這樣降低信號反射對前級通路的影響，而且巴倫是一種幾乎沒有功率損耗的耦...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種模數轉換器、電量檢測電路以及電池管理系統，模數轉換器包括調制器、數字濾波模塊、信號檢測器以及選擇電路；調制器用于對輸入信號進行量化，以輸出量化信號；數字濾波模塊連接于調制器，且用于對量化信號進行濾波；其中數字濾波模塊包...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種MCU芯片的智能復位電路，涉及復位技術領域，包括信號產生模塊，用于產生偏置電流和電壓檢測；整形處理模塊，用于信號整形和反相處理；信號鎖存模塊，用于產生上電復位信號；手動復位模塊，用于手動復位控制；RC濾波模塊，用于信號濾波和...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種應用于大規模MIMO獨立本振配置的本振功分電路，包括參考低頻本振源、多個鎖相環模塊、功率分配模塊、多個IQ混頻器和射頻處理模塊，參考低頻本振源的輸出端輸出多路低頻參考信號，參考低頻本振源的輸出端分別與多個鎖相環模塊相連，每個鎖...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于NMOS管的高壓電子開關電路，涉及電子技術領域，包括：低壓側驅動電路用于將來自外部的第一開關控制信號轉換為第二開關控制信號和第三開關控制信號；高壓側基本驅動電路用于在第二開關控制信號的控制下，為低邊電子開關電路中所有NM...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種功率放大器開關及電子設備，通過合理的模塊化和復用策略，能夠有效解決現有功率放大器開關存在的輸出功率和功率附加效率下降、以及尺寸大和生產成本高的問題。該分布式功效開關中，N個具有放大功能的晶體管的復用，使得M個晶體管不僅用...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種基于Marchand巴倫的負載調制推挽式功率放大器及其設計方法，包括正交耦合器、輔功放電路和推挽式主功放電路。其中正交耦合器負責將射頻輸入信號分為幅度相同，相位相差90°的兩路信號，分別輸入輔功放電路和推挽式主功放電路。輔功...
								
        
							
        
							
						
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								      集成電路裝置和振蕩器。提供能夠降低所輸入的基準時鐘信號與輸出時鐘信號經由端子而發生干擾的可能性的集成電路裝置。集成電路裝置具備：時鐘輸入端子，其沿所述第1邊配置，用于輸入基準時鐘信號；第1電源電壓輸入端子，其沿所述第1邊配置，用于輸入第1電...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于聲音掩蔽效應的音頻功放開機爆音抑制方法，屬于功放技術領域，該方法包括：步驟S1：預設用于音頻檢測的電壓參考基準值；步驟S2：根據輸入電壓值與電壓參考基準值的對比，對應輸出抑制信號或工作信號；步驟S3：生成PWM信號，通過...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及半導體器件生產領域，特別是涉及一種溫度補償聲表面波器件及其制造方法，通過第一電極光刻在壓電襯底的第一表面上設置圖形化的第一電極層；所述第一電極層包括電極連接層；在所述第一電極層上設置第一介質層；在所述第一介質層上沉積鈍化層；在所述...
								
        
							
        
							
						
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      • 
							
							
        
					    		
								
        
								      本發明提出一種提高編碼孔徑相關全息成像系統光譜分辨率的方法，涉及計算光學成像領域。該方法復用貝塞爾光束和透鏡相位掩膜，將物體的空間和光譜信息編碼為全息圖，并通過與對應波長的點擴散全息圖互相關進行重建，實現多波長條件下的精確成像。本發明通過使...
								
        
							
        
							
						
        • 
					
						
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								      本發明屬于異步電路領域，公開了一種自帶匹配延遲的異步MouseTrap握手單元及系統，所述握手單元包括：延遲鎖存器、自時鐘生成器和輸出反相器；所述自時鐘生成器的使能輸出端與延遲鎖存器的使能輸入端連接，所述延遲鎖存器的輸出端分別與自時鐘生成器...
								
        
							
        
							
						
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