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      電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種使用金屬鍵合層實(shí)現(xiàn)高性能聲表面波諧振器的方法,利用MOCVD在外延襯底上依次生長(zhǎng)單晶緩沖層和犧牲層;利用PVD在犧牲層上生長(zhǎng)壓電層,再在壓電層上繼續(xù)濺射第一金屬層;將支撐襯底表面處理后通過(guò)PECVD沉積溫度補(bǔ)償層,再在溫度補(bǔ)...
      • 一種彈性波諧振裝置及其形成方法、濾波器,其中諧振裝置包括壓電層;電極結(jié)構(gòu),電極結(jié)構(gòu)與壓電層接觸,電極結(jié)構(gòu)包括第一端口和第二端口;溫感電阻層,溫感電阻層與第一端口和第二端口電連接,溫感電阻層用于當(dāng)溫度高于閾值時(shí)直接導(dǎo)通第一端口和第二端口。當(dāng)器...
      • 本發(fā)明涉及一種體聲波器件及其制作方法,其中體聲波器件的制作方法包括:提供基底,基底具有發(fā)射器件區(qū)與接收器件區(qū);于基底上形成第一功能層,第一功能層至少覆蓋發(fā)射器件區(qū)與接收器件區(qū);于第一功能層上形成刻蝕停止層;于刻蝕停止層上形成第二功能材料層;...
      • 本發(fā)明涉及一種基于耦合濾波結(jié)構(gòu)的GaN工藝拓展連續(xù)F類(lèi)功率放大器,屬于微波電路技術(shù)領(lǐng)域,包括依次連接的輸入端口、輸入匹配模塊、穩(wěn)定模塊、GaN功放晶體管、輸出匹配模塊以及輸出端耦合濾波模塊和輸出端口;在穩(wěn)定性模塊和GaN功放晶體管之間連接有...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種低噪聲超寬帶有源巴倫,采用電流復(fù)用結(jié)構(gòu)的放大器和差分對(duì)有源巴倫串聯(lián)構(gòu)成。本發(fā)明的低噪聲超寬帶有源巴倫通過(guò)電流復(fù)用結(jié)構(gòu)提高電壓增益,減小功耗和噪聲系數(shù),通過(guò)寬帶匹配結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)超寬頻帶內(nèi)50Ω的輸入阻抗匹配;差分對(duì)有源巴倫引入相...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種新型欠采樣最小二乘數(shù)字預(yù)失真方法與系統(tǒng),屬于移動(dòng)通信領(lǐng)域,本方法通過(guò)在接收的模擬側(cè)添加一個(gè)帶通濾波器,然后將得到的反饋信號(hào)分段,并構(gòu)造最小二乘系數(shù)更新方程,再按照不同的反饋信號(hào)進(jìn)行分組,然后使用3次項(xiàng)基底和5次項(xiàng)基底構(gòu)造基底...
      • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種基于CMOS工藝的低噪聲低功耗有源矢量合成移相器,包括單端轉(zhuǎn)差分電路、第一正交網(wǎng)絡(luò)、第二正交網(wǎng)絡(luò)和矢量調(diào)制電路;單端轉(zhuǎn)差分電路的1端作為輸入端,單端轉(zhuǎn)差分電路的2端、3端分別連接第一正交網(wǎng)絡(luò)的1...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陷波濾波器和信號(hào)調(diào)制器。該陷波濾波器包括第一電路和第二電路。第一電路的第一端子用于從混頻器接收第一輸入信號(hào)。第一電路的第二端子與第二電路的第一端子連接,并用于將第一輸出信號(hào)發(fā)送至前置放大器。第二電路的第二端子接地或者連...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種Ka頻段2000W連續(xù)波功率放大器,包括驅(qū)動(dòng)控制模塊、功率分配器、八路功放模塊、功率合成器和監(jiān)控模塊;驅(qū)動(dòng)控制模塊用于對(duì)輸入的小功率信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)放大和電平調(diào)節(jié),輸出初級(jí)功率信號(hào);功率分配器用于將初級(jí)功率信號(hào)分成八路等幅初級(jí)功...
      • 本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低電磁干擾的高精度擴(kuò)頻時(shí)鐘電路。包括:偏置電路,所述偏置電路為振蕩電路提供基準(zhǔn)電流源I1;擴(kuò)頻校正電路,所述擴(kuò)頻校正電路為振蕩電路提供頻率校正電流源I2和擴(kuò)頻電流源I3;所述頻率校正電流源I2和所擴(kuò)頻...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N射頻功率放大器,包括第一放大晶體管、第二放大晶體管、電容網(wǎng)絡(luò)電路和功率合成電路,電容網(wǎng)絡(luò)電路包括第一電容、第二電容和電容單元,第一放大晶體管的輸出端通過(guò)第一電容連接至功率合成電路的第一輸入端,第二放大晶體管的輸出端通過(guò)第二電容...
      • 本公開(kāi)涉及超低功率、實(shí)時(shí)時(shí)鐘發(fā)生器和抖動(dòng)補(bǔ)償方法。在一個(gè)實(shí)施例中,時(shí)鐘發(fā)生器具有可變模量分頻器,該可變模量分頻器接收高頻時(shí)鐘信號(hào),并且輸出分頻時(shí)鐘信號(hào),該分頻時(shí)鐘信號(hào)具有由溫度補(bǔ)償電路所生成的模量控制信號(hào)控制的頻率。抖動(dòng)濾波器耦合到可變模量...
      • 本申請(qǐng)涉及MESA晶片的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高基頻MESA晶片,包括片體,其外周呈矩形,所述片體包括兩側(cè)面刻蝕凹陷形成的振動(dòng)部、與所述振動(dòng)部一體設(shè)置的固定部,其中,定義所述振動(dòng)部距離所述固定部自由端的距離為L(zhǎng)1,所述振動(dòng)部距離所述固定部點(diǎn)...
      • 本發(fā)明涉及無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法,制備方法包括以下步驟:選擇壓電襯底,并在壓電襯底的上表面形成第一溝槽和第二溝槽;由壓電襯底的上表面沉積多晶硅以完全填充溝槽;對(duì)多晶硅進(jìn)行研磨,直至暴露出壓電襯底;對(duì)多晶...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種空間非諧振節(jié)點(diǎn)諧振器、濾波器及射頻通信設(shè)備,由周期性的電容型或者電感型器件加載諧振器構(gòu)成電容型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元或者電感型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元;電容或者電感型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元通過(guò)排布組合,由同一種或兩種空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元混合...
      • 彈性波濾波器(1)具備:串聯(lián)臂諧振器(s1以及s2),由具有IDT電極的彈性波諧振器構(gòu)成;以及并聯(lián)臂諧振器(p1以及p2),IDT電極具有一對(duì)包含多個(gè)電極指和匯流條電極的梳形電極,將上述多個(gè)電極指之中與構(gòu)成一對(duì)梳形電極的任一匯流條電極都不連...
      • 提高彈性波濾波器的性能。彈性波濾波器中的彈性波元件具有:壓電體層;位于所述壓電體層上的IDT電極;聲速比所述壓電體層低的低聲速膜;以及聲速比所述壓電體層高的支撐基板。將由所述IDT電極激發(fā)的彈性波的波長(zhǎng)表示為λ時(shí),所述壓電體層的厚度為λ以下...
      • 一種時(shí)鐘恢復(fù)電路包括頻率跟蹤環(huán)路和相位跟蹤環(huán)路,該頻率跟蹤環(huán)路包括第一電荷泵,該相位跟蹤環(huán)路包括第二電荷泵。電壓控制振蕩器在第一操作模式中響應(yīng)于該頻率跟蹤環(huán)路,并且在第二操作模式中響應(yīng)于該相位跟蹤環(huán)路。鎖定檢測(cè)器輸出指示該時(shí)鐘恢復(fù)電路是否已...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種帶TL?C并聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò)的放大器結(jié)構(gòu),包括放大器嵌入式核心;輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò);輸入串聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò),其輸入端與所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端電氣連接;輸出串聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò),其輸出端與所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端電氣連接;并...
      • 本發(fā)明公開(kāi)的一種基于負(fù)阻技術(shù)的高增益運(yùn)放電路,包括輔助運(yùn)算放大器A、多個(gè)P型MOS管與多個(gè)N型MOS管、電流源IB1與電流源IB2;多個(gè)P型MOS管分別記為PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3;多個(gè)N型MOS管分別記為NMOS管N...
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