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      電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
      • 本實(shí)用新型提供了一種基于跨阻放大器的增益自調(diào)節(jié)離子信號(hào)檢測電路,包括電子倍增器CEM,電子倍增器CEM將離子信號(hào)轉(zhuǎn)換為電子束,并經(jīng)過跨阻放大器U1分別傳輸給低增益信號(hào)放大電路和高增益信號(hào)放大電路,輸出幅值識(shí)別及傳輸電路用于判斷低增益信號(hào)放大...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件,涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅器件包括驅(qū)動(dòng)電路、上橋臂和下橋臂,上橋臂和下橋臂均包括功率開關(guān)管,每條驅(qū)動(dòng)電路連接一個(gè)功率開關(guān)管,被配置為驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷,至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)模塊、驅(qū)動(dòng)電...
      • 本實(shí)用新型公開了一種LC帶通濾波器,包括:電路板以及設(shè)置在電路板上的殼體,所述電路板上設(shè)置有電路;所述電路包括對地串聯(lián)諧振、交叉耦合零點(diǎn),所述帶通濾波器的輸入端與第一級(jí)耦合電容連接,所述帶通濾波器的輸出端連接與交叉耦合零點(diǎn)輸出端連接。本實(shí)用...
      • 本申請涉及集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電壓域轉(zhuǎn)換電路。所述電壓域轉(zhuǎn)換電路,包括:共模噪聲消除模塊,與雙高壓脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路連接,用于在高壓側(cè)電壓域的電壓變化值及電壓變化率滿足預(yù)定條件時(shí),鉗位雙高壓脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路的第一高壓脈沖信號(hào)輸...
      • 電子器件(1)具備素體(2)和電感器,電感器包括:在多個(gè)素體層(7)的層疊方向上延伸的第一導(dǎo)體(10)、第二導(dǎo)體(11)、第三導(dǎo)體(12)、第四導(dǎo)體(13)、第五導(dǎo)體(14)以及第六導(dǎo)體(15);第一電感器導(dǎo)體(20)、第二電感器導(dǎo)體(21...
      • 本發(fā)明提供一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路,包括偏置產(chǎn)生單元及頻率選擇性濾波單元,所述頻率選擇性濾波單元與所述偏置產(chǎn)生單元相連;所述偏置產(chǎn)生單元用于產(chǎn)生初始偏置電壓,所述頻率選擇性濾波單元接收所述初始偏置電壓并對所述初始偏置電壓進(jìn)...
      • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于前端采集系統(tǒng)的低噪聲高精度可編程增益放大器,涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,包括主體放大電路、直流失調(diào)消除電路、斬波電路、RC低通濾波電路和buffer驅(qū)動(dòng)電路;所述主體放大電路的輸入差分信號(hào)經(jīng)過直流失調(diào)消除電路、斬波電路RC低...
      • 本申請涉及一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品,在對第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電容陣列進(jìn)行初始化處理后,通過控制信號(hào)向電容陣列的其中一排電容注入電荷,通過第一組電容預(yù)置位控制字信號(hào)和第二組電容預(yù)置位控制字信號(hào)依次向電容陣列的另一排電...
      • 本發(fā)明公開了用于IGBT器件的三電平驅(qū)動(dòng)電路,該三電平驅(qū)動(dòng)電路包括連接座、驅(qū)動(dòng)電源電路、溫度檢測電路、T1管驅(qū)動(dòng)電路、T2管驅(qū)動(dòng)電路、T3管驅(qū)動(dòng)電路、T4管驅(qū)動(dòng)電路、T5管驅(qū)動(dòng)電路、T6管驅(qū)動(dòng)電路、第一檢測電路、第二檢測電路、第一驅(qū)動(dòng)鉗位電...
      • 本發(fā)明屬于MOS管驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明提供了一種橋臂碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制電路,在不影響器件開關(guān)速度的基礎(chǔ)上,利用三極管共基共集電極結(jié)構(gòu),兩晶體管基極和集電極電位相等,迫使各自發(fā)...
      • 本公開涉及用于固態(tài)開關(guān)的多用途智能柵極驅(qū)動(dòng)器。一種多用途固態(tài)開關(guān),包括用于接收輸入信號(hào)的輸入、多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路和至少一個(gè)開關(guān)。多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路被分別配置有無源和/或有源電氣部件的不同組合。至少一個(gè)開關(guān)布置在輸入與多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)柵極...
      • 本發(fā)明公開了一種帶有自適應(yīng)控制電路的鎖相環(huán)可編程分頻器,屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域,可編程分頻器設(shè)置在鎖相環(huán)中,可編程分頻器包括自適應(yīng)控制電路和分頻器,自適應(yīng)控制電路包括4位二進(jìn)制輸入編碼,用S3S2S...
      • 本申請涉及一種應(yīng)用于智能終端的通信模組及其電平匹配電路。基于三極管的集電極用于連接微控制器的信號(hào)接收端,發(fā)射極用于連接長期演進(jìn)模組的信號(hào)發(fā)送端,基極用于接入高電平,能夠?qū)崿F(xiàn)長期演進(jìn)模組的發(fā)送信號(hào)與微控制器的接收信號(hào)的電平匹配;基于第一二極管...
      • 本發(fā)明公開了一種開關(guān)電路。該開關(guān)電路接收一輸入電壓及輸出一輸出電壓,并且包含一第一開關(guān)電容器電路、一第二開關(guān)電容器電路以及一開關(guān)。第一開關(guān)電容器電路用來接收該輸入電壓以產(chǎn)生一中間電壓。第二開關(guān)電容器電路耦接該第一開關(guān)電容器電路,用來接收該中...
      • 本發(fā)明公開了一種抗輻射加固的數(shù)控振蕩器、時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路及設(shè)備,本發(fā)明的數(shù)控振蕩器在數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC和壓控振蕩器VCO之間連接有抗輻射加固電路單元,抗輻射加固電路單元包括電壓復(fù)制單元和多路復(fù)用器,電壓復(fù)制單元用于對數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC輸出的控制...
      • 本實(shí)用新型屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種圖形晶圓缺陷檢測相機(jī)行頻鎖相環(huán)控制的時(shí)鐘裝置,本時(shí)鐘裝置包括:編碼電路、二分頻電路、第一濾波電路、信號(hào)處理電路、第一分頻電路、第二濾波電路、模擬量峰值調(diào)整電路、雙向比較器電平調(diào)理電路和鎖相環(huán)電路;...
      • 本發(fā)明公開了一種開關(guān)電路,包括:第一電荷泵單元、自舉單元和開關(guān)單元;自舉單元包括第一開關(guān)管、自舉電容、第二開關(guān)管、第一CMOS傳輸門模塊和第二CMOS傳輸門模塊,第一開關(guān)管的第二端與第一電壓相連,第一開關(guān)管的第一端與自舉電容的第一端相連,自...
      • 本申請涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及流水線ADC。本申請公開了流水線ADC采樣方法、包括如下步驟:a、對輸入電壓ΔVIN進(jìn)行第一次采樣,輸出采樣電壓ΔVOUT1;b、對采樣電容和反饋電容進(jìn)行復(fù)位操...
      • 本發(fā)明公開了一種耐高逆向電壓的高端理想二極管,包括電路,所述電路包括PMOS主管V1、比較器電路、保護(hù)電路和電源VCC,所述保護(hù)電路對PMOS主管V1、比較器電路分壓保護(hù);所述PMOS主管V1的柵極連接至電源VCC,源極連接有輸出端電源Vo...
      • 本發(fā)明公開了一種基于失調(diào)補(bǔ)償?shù)目烧{(diào)閾值比較器,屬于模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域。包括偏置模塊,所述偏置模塊連接有V2I式固有失調(diào)產(chǎn)生模塊、兩級(jí)放大器和有源箝位電路;所述偏置模塊用于為整個(gè)電路提供偏置;所述兩級(jí)放大器包括一級(jí)全差分折疊式共射共柵放大器...
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