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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)

碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N碳化硅驅(qū)動(dòng)電路和碳化硅器件，涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域。碳化硅器件包括驅(qū)動(dòng)電路、上橋臂和下橋臂，上橋臂和下橋臂均包括功率開關(guān)管，每條驅(qū)動(dòng)電路連接一個(gè)功率開關(guān)管，被配置為驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷，至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路包括驅(qū)動(dòng)模塊、驅(qū)動(dòng)電...

2025-08-29
一種LC帶通濾波器

本實(shí)用新型公開了一種LC帶通濾波器，包括：電路板以及設(shè)置在電路板上的殼體，所述電路板上設(shè)置有電路；所述電路包括對(duì)地串聯(lián)諧振、交叉耦合零點(diǎn)，所述帶通濾波器的輸入端與第一級(jí)耦合電容連接，所述帶通濾波器的輸出端連接與交叉耦合零點(diǎn)輸出端連接。本實(shí)用...

2025-08-29
電子器件

電子器件（1）具備素體（2）和電感器，電感器包括：在多個(gè)素體層（7）的層疊方向上延伸的第一導(dǎo)體（10）、第二導(dǎo)體（11）、第三導(dǎo)體（12）、第四導(dǎo)體（13）、第五導(dǎo)體（14）以及第六導(dǎo)體（15）；第一電感器導(dǎo)體（20）、第二電感器導(dǎo)體（21...

2025-08-29
一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路

本發(fā)明提供一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產(chǎn)生電路，包括偏置產(chǎn)生單元及頻率選擇性濾波單元，所述頻率選擇性濾波單元與所述偏置產(chǎn)生單元相連；所述偏置產(chǎn)生單元用于產(chǎn)生初始偏置電壓，所述頻率選擇性濾波單元接收所述初始偏置電壓并對(duì)所述初始偏置電壓進(jìn)...

2025-08-29
一種應(yīng)用于前端采集系統(tǒng)的低噪聲高精度可編程增益放大器

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于前端采集系統(tǒng)的低噪聲高精度可編程增益放大器，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，包括主體放大電路、直流失調(diào)消除電路、斬波電路、RC低通濾波電路和buffer驅(qū)動(dòng)電路；所述主體放大電路的輸入差分信號(hào)經(jīng)過直流失調(diào)消除電路、斬波電路RC低...

2025-08-29
模數(shù)轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品

本申請(qǐng)涉及一種模數(shù)轉(zhuǎn)換器校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品，在對(duì)第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的電容陣列進(jìn)行初始化處理后，通過控制信號(hào)向電容陣列的其中一排電容注入電荷，通過第一組電容預(yù)置位控制字信號(hào)和第二組電容預(yù)置位控制字信號(hào)依次向電容陣列的另一排電...

2025-08-29
用于IGBT器件的三電平驅(qū)動(dòng)電路

本發(fā)明公開了用于IGBT器件的三電平驅(qū)動(dòng)電路，該三電平驅(qū)動(dòng)電路包括連接座、驅(qū)動(dòng)電源電路、溫度檢測(cè)電路、T1管驅(qū)動(dòng)電路、T2管驅(qū)動(dòng)電路、T3管驅(qū)動(dòng)電路、T4管驅(qū)動(dòng)電路、T5管驅(qū)動(dòng)電路、T6管驅(qū)動(dòng)電路、第一檢測(cè)電路、第二檢測(cè)電路、第一驅(qū)動(dòng)鉗位電...

2025-08-29
一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路

本發(fā)明屬于MOS管驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串?dāng)_的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明提供了一種橋臂碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制電路，在不影響器件開關(guān)速度的基礎(chǔ)上，利用三極管共基共集電極結(jié)構(gòu)，兩晶體管基極和集電極電位相等，迫使各自發(fā)...

2025-08-29
用于固態(tài)開關(guān)的多用途智能柵極驅(qū)動(dòng)器

本公開涉及用于固態(tài)開關(guān)的多用途智能柵極驅(qū)動(dòng)器。一種多用途固態(tài)開關(guān)，包括用于接收輸入信號(hào)的輸入、多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路和至少一個(gè)開關(guān)。多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路被分別配置有無源和/或有源電氣部件的不同組合。至少一個(gè)開關(guān)布置在輸入與多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)柵極...

2025-08-29
晶振校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N晶振校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，可用于精度校準(zhǔn)領(lǐng)域。所述方法包括：獲取微處理器MCU的片內(nèi)頻率和片外頻率，所述MCU中設(shè)置有晶振；根據(jù)所述片內(nèi)頻率和所述片外頻率，確定頻率誤差率；根據(jù)所述頻率誤差率確定目標(biāo)倍頻系數(shù)和目標(biāo)分頻...

2025-08-29
一種基于三路鑒相和多數(shù)投票的1/4速率PAM4時(shí)鐘與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路

本發(fā)明公開了一種基于三路鑒相和多數(shù)投票的1/4速率四級(jí)脈沖幅度調(diào)制(PAM4)的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)恢復(fù)電路，涉及高速通信領(lǐng)域，包括：三個(gè)1/4速率鑒相器與一個(gè)多數(shù)投票器，鑒別三路溫度計(jì)碼與多相時(shí)鐘之間的相位差并判決，降低離散過零點(diǎn)造成的相位抖動(dòng)，提...

2025-08-29
一種抗輻射加固的數(shù)控振蕩器、時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路及設(shè)備

本發(fā)明公開了一種抗輻射加固的數(shù)控振蕩器、時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路及設(shè)備，本發(fā)明的數(shù)控振蕩器在數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC和壓控振蕩器VCO之間連接有抗輻射加固電路單元，抗輻射加固電路單元包括電壓復(fù)制單元和多路復(fù)用器，電壓復(fù)制單元用于對(duì)數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC輸出的控制...

2025-08-29
一種帶有自適應(yīng)控制電路的鎖相環(huán)可編程分頻器

本發(fā)明公開了一種帶有自適應(yīng)控制電路的鎖相環(huán)可編程分頻器，屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，可編程分頻器設(shè)置在鎖相環(huán)中，可編程分頻器包括自適應(yīng)控制電路和分頻器，自適應(yīng)控制電路包括4位二進(jìn)制輸入編碼，用S₃S₂S...

2025-08-29
應(yīng)用于智能終端的通信模組及其電平匹配電路

本申請(qǐng)涉及一種應(yīng)用于智能終端的通信模組及其電平匹配電路?；谌龢O管的集電極用于連接微控制器的信號(hào)接收端，發(fā)射極用于連接長(zhǎng)期演進(jìn)模組的信號(hào)發(fā)送端，基極用于接入高電平，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)期演進(jìn)模組的發(fā)送信號(hào)與微控制器的接收信號(hào)的電平匹配；基于第一二極管...

2025-08-29
開關(guān)電路

本發(fā)明公開了一種開關(guān)電路。該開關(guān)電路接收一輸入電壓及輸出一輸出電壓，并且包含一第一開關(guān)電容器電路、一第二開關(guān)電容器電路以及一開關(guān)。第一開關(guān)電容器電路用來接收該輸入電壓以產(chǎn)生一中間電壓。第二開關(guān)電容器電路耦接該第一開關(guān)電容器電路，用來接收該中...

2025-08-29
一種圖形晶圓缺陷檢測(cè)相機(jī)行頻鎖相環(huán)控制的時(shí)鐘裝置

本實(shí)用新型屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖形晶圓缺陷檢測(cè)相機(jī)行頻鎖相環(huán)控制的時(shí)鐘裝置，本時(shí)鐘裝置包括：編碼電路、二分頻電路、第一濾波電路、信號(hào)處理電路、第一分頻電路、第二濾波電路、模擬量峰值調(diào)整電路、雙向比較器電平調(diào)理電路和鎖相環(huán)電路；...

2025-08-29
流水線ADC采樣方法、采樣保持電路及流水線ADC

本申請(qǐng)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及流水線ADC。本申請(qǐng)公開了流水線ADC采樣方法、包括如下步驟：a、對(duì)輸入電壓ΔV_IN進(jìn)行第一次采樣，輸出采樣電壓ΔV_OUT1；b、對(duì)采樣電容和反饋電容進(jìn)行復(fù)位操...

2025-08-29
開關(guān)電路

本發(fā)明公開了一種開關(guān)電路，包括：第一電荷泵單元、自舉單元和開關(guān)單元；自舉單元包括第一開關(guān)管、自舉電容、第二開關(guān)管、第一CMOS傳輸門模塊和第二CMOS傳輸門模塊，第一開關(guān)管的第二端與第一電壓相連，第一開關(guān)管的第一端與自舉電容的第一端相連，自...

2025-08-29
一種耐高逆向電壓的高端理想二極管

本發(fā)明公開了一種耐高逆向電壓的高端理想二極管，包括電路，所述電路包括PMOS主管V1、比較器電路、保護(hù)電路和電源VCC，所述保護(hù)電路對(duì)PMOS主管V1、比較器電路分壓保護(hù)；所述PMOS主管V1的柵極連接至電源VCC，源極連接有輸出端電源Vo...

2025-08-29
一種基于失調(diào)補(bǔ)償?shù)目烧{(diào)閾值比較器

$一種基于失調(diào)補(bǔ)償?shù)目烧{(diào)閾值比較器_西安微電子技術(shù)研究所_202510605322.7$

本發(fā)明公開了一種基于失調(diào)補(bǔ)償?shù)目烧{(diào)閾值比較器，屬于模擬集成電路技術(shù)領(lǐng)域。包括偏置模塊，所述偏置模塊連接有V2I式固有失調(diào)產(chǎn)生模塊、兩級(jí)放大器和有源箝位電路；所述偏置模塊用于為整個(gè)電路提供偏置；所述兩級(jí)放大器包括一級(jí)全差分折疊式共射共柵放大器...

2025-08-29

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