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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明公開了一種電子霧化裝置及其輻射控制方法，電子霧化裝置包括用于將射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成微波信號(hào)并向負(fù)載介質(zhì)進(jìn)行輻射的天線單元。該輻射控制方法包括：獲取所述負(fù)載介質(zhì)的負(fù)載溫度，并根據(jù)所述負(fù)載溫度確定功率控制信號(hào)；根據(jù)所述功率控制信號(hào)，控制向所述天...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種用于霧化裝置的霧化芯浸潤的方法，其中，霧化芯內(nèi)部設(shè)置有霧化通道，霧化通道的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有加熱件。該方法的步驟如下：提供靜電產(chǎn)生裝置，導(dǎo)電體和注油件。使導(dǎo)電體的一端的至少部分延伸至霧化通道內(nèi)，并抵設(shè)于加熱件，將導(dǎo)電體的另一端連接...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及燕麥麩提取物的制備方法和由此獲得的提取物，其用于開發(fā)多種健康相關(guān)方案。該工藝包括以下步驟：(1)選用優(yōu)質(zhì)燕麥麩；(2)用高速攪拌器在低于85℃的溫度下研磨清潔的燕麥麩以獲得研磨粉末；(3)研磨粉末過篩后獲得粒徑在90μm～150μ...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于提供一種具備高成分均勻性的濺射靶材。一種由貴金屬合金組成的濺射靶材，其中貴金屬合金由5種或更多種貴金屬元素組成，并且X射線衍射圖譜中的在衍射角2θ位于38?44°范圍內(nèi)觀測到的峰數(shù)為1個(gè)。
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種具有高結(jié)晶性且成分均勻性優(yōu)異的貴金屬合金成型體和燒制體。一種由合金粉末和樹脂組成的成型體，其中所述合金粉末是由5種或更多種貴金屬元素的合金組成的貴金屬合金粉末，且平均粒徑為0.1～100μm，微晶尺寸大于或等于60nm，X射線...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級(jí)封裝方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括：濾波器芯片，濾波器芯片的正面具有諧振器工作區(qū)，其邊緣設(shè)有多個(gè)焊墊結(jié)構(gòu)，焊墊結(jié)構(gòu)的外圍設(shè)有支撐圍墻，焊墊結(jié)構(gòu)和支撐圍墻上設(shè)有頂蓋層；焊墊結(jié)構(gòu)包括第一焊墊部和第二焊墊部，第一焊...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種電子傳輸材料、太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置，該電子傳輸材料用于太陽能電池的電子傳輸層，電子傳輸材料包括第一富勒烯衍生物和第二富勒烯衍生物，第一富勒烯衍生物具有給電子基團(tuán)，第二富勒烯衍生物具有吸電子基團(tuán)，其中第二富勒烯衍生物...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供了一種顯示面板及制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示面板包括：顯示基板，具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括顯示端子和觸控端子，顯示區(qū)的顯示走線延伸至顯示端子的綁定區(qū)；觸控層，位于顯示基板的出光側(cè)，觸控層的觸控走線延伸至觸控...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種大面積薄膜太陽能電池組件。其包括依次串聯(lián)的多個(gè)子電池；子電池包括電池單元、柵線電極，以及串聯(lián)電路；柵線電極包括多根金屬柵線，多根金屬柵線分布于電池單元的整面并延伸至一側(cè)邊，串聯(lián)電路設(shè)置于該側(cè)邊并與多根金屬柵線電連接，且串聯(lián)電...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于負(fù)性光敏材料制備的復(fù)合柵線電極及其應(yīng)用。復(fù)合柵線電極包括：負(fù)性光敏材料層，具有沿第一方向方向背對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，柵線電極層，嵌設(shè)在負(fù)性光敏材料層內(nèi)，柵線電極層的頂端面自負(fù)性光敏材料層的第一表面露出，柵線電極層的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種透明導(dǎo)電的柵線電極、其制作方法及應(yīng)用。所述制作方法包括：提供透明基底；在透明基底表面構(gòu)建多根柵線；覆設(shè)負(fù)性光敏材料層，覆蓋所述柵線以及多根柵線之間的非柵線區(qū)；透過透明基底，對(duì)處于非柵線區(qū)的部分負(fù)性光敏材料層進(jìn)行曝光處理，處于...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種柵線復(fù)合電極、其制備方法及應(yīng)用。所述制備方法包括：提供透明基底，并且透明基體表面形成有透明導(dǎo)電層和金屬柵線；連續(xù)覆設(shè)正性光敏材料層且完整包裹金屬柵線；透過透明基底和透明導(dǎo)電層，利用金屬柵線作為掩模，對(duì)正性光敏材料層進(jìn)行圖案化...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備及發(fā)電設(shè)備，其中太陽能電池的光吸收層包括鈣鈦礦主體以及分散于鈣鈦礦主體中的添加劑，添加劑中的陰離子包括如下結(jié)構(gòu)：
							  2025-09-15
							
        
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備和發(fā)電設(shè)備，該鈣鈦礦太陽能電池的隧穿層和電子傳輸層均為無機(jī)氧化物，穩(wěn)定性好，隧穿層位于鈣鈦礦層和電子傳輸層之間，可以使鈣鈦礦層產(chǎn)生的電子通過、且阻擋空穴，因此，使得鈣鈦礦太陽能電池具有長...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、芯片、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用以解決如何改進(jìn)形成柵極的工藝的問題。該半導(dǎo)體器件包括多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)、多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)、多個(gè)外延部、隔離結(jié)構(gòu)及多個(gè)刻蝕停止部。鰭結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸，且多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)沿第二方向排布...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底包括溝道區(qū)域以及位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源漏區(qū)域；絕緣層，位于所述溝道區(qū)域的基底頂部；溝道結(jié)構(gòu)層，懸置于所述絕緣層的頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個(gè)或多個(gè)在縱向上間隔設(shè)置的溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，基底包括襯底以及凸立于所述襯底上的鰭部；第一功函數(shù)層，位于所述襯底頂部，且覆蓋所述鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁，所述鰭部頂部的第一功函數(shù)層的厚度小于所述鰭部側(cè)壁的第一功函數(shù)層的厚度；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于...
								
        
							
        
							
						
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								      一種存儲(chǔ)器的制備方法，包括：提供襯底，形成疊層結(jié)構(gòu)；對(duì)疊層結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕形成在垂直襯底方向貫穿疊層結(jié)構(gòu)的溝道孔；在溝道孔內(nèi)沉積電荷存儲(chǔ)層，電荷存儲(chǔ)層位于溝道孔的側(cè)壁表面；在疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的表面以及溝道孔內(nèi)沉積第一金屬層；去除第一金屬層，并通...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備。該半導(dǎo)體器件的制備方法包括：提供一襯底并交替形成第一絕緣層和功能層；接著進(jìn)行第一次圖形化處理，形成第一子功能層和第二子功能層、第三子功能層和第四子功能層；接著進(jìn)行第二次圖形化，形成第一初始溝...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N嵌入式存儲(chǔ)器及其制備方法、芯片和電子設(shè)備，嵌入式存儲(chǔ)器可以設(shè)置垂直晶體管和電容，且垂直晶體管和電容可以層疊設(shè)置，能夠大幅度減小存儲(chǔ)單元的面積，進(jìn)而提高嵌入式存儲(chǔ)器的集成度和存儲(chǔ)密度。嵌入式存儲(chǔ)器可以包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元。其中...
								
        
							
        
							
						
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