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一種口腔溶解膜制劑、其用途及其制備方法

本發(fā)明公開一種口腔溶解膜制劑、其制備方法及其用途。所述口腔溶解膜制劑包含活性成分、矯味劑、任選存在的額外的活性成分、成膜劑，其中所述矯味劑包覆所述活性成分以及任選存在的額外的活性成分，所述口腔溶解膜制劑通過噴霧干燥工藝與熱熔擠出工藝相結合的...

2025-09-08
VOC吸附裝置的制造方法

本發(fā)明制造一種具備處理對象氣體還容易到達內部的吸附材料的VOC吸附裝置。VOC吸附裝置的制造方法包含：工序（S1），對能夠吸附VOC的吸附材料、溶劑、粘合劑以及樹脂珠進行混合從而制作漿料；工序（S2），將所述漿料涂敷于基體；以及工序（S3）...

2025-09-08
包含未被化學改性的萊賽爾纖維的用于吸煙制品的過濾嘴及包括其的吸煙制品

提供一種包含未被化學改性的萊賽爾纖維的用于吸煙制品的過濾嘴及包括其的吸煙制品。上述包含未被化學改性的萊賽爾纖維的用于吸煙制品的過濾嘴包括：萊賽爾絲束，包含多根萊賽爾纖維，及功能性添加劑，分散在上述萊賽爾絲束；上述多根萊賽爾纖維中的至少一部分...

2025-09-08
顯示面板的制備方法、顯示面板以及顯示裝置

本申請公開了一種顯示面板的制備方法、顯示面板以及顯示裝置，該方法包括：在第一基板的第一側制備驅動電路層以及發(fā)光元件，驅動電路層設有背離第一基板的第一連接端子，發(fā)光元件設有背離第一基板的第二連接端子，發(fā)光元件朝向第一基板發(fā)光；在第二基板的第一...

2025-09-08
LED顯示基板和LED顯示設備

本申請公開了LED顯示基板和LED顯示設備，該LED顯示基板包括發(fā)光外延層、第一介質包層、反射層和多個反射電極，發(fā)光外延層包括第一半導體層、有源層和第二半導體層，第一半導體層形成第一主凹陷區(qū)和多個第一凸臺結構；第一介質包層設于第一主凹陷區(qū)內...

2025-09-08
一種電池片優(yōu)化裝置

本申請?zhí)峁┝艘环N電池片優(yōu)化裝置，包括正面上電機構、承載機構、電源模塊及激光處理機構。正面上電機構包括安裝框及若干金屬絲，若干金屬絲并排間隔設置在安裝框上。承載機構包括承載臺，承載臺上設有導電片，承載臺用于承載電池片，電池片背面上的柵線與導電...

2025-09-08
電極制備方法及其裝置和太陽能電池

本申請涉及一種電極制備方法及其裝置和太陽能電池，在電池片襯底的表面形成有機聚合物薄膜，對有機聚合物薄膜進行刻蝕以形成穿透有機聚合物薄膜的凹槽，此時的凹槽寬度能夠做到更小，在凹槽中填充漿料，在去除剩余有機聚合物薄膜后完成電極的制備。本申請中的...

2025-09-08
圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版

本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版，圖像傳感器的制作方法包括：在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層，以在第一光阻層上形成多個第一離子注入開口；在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層，以第二光阻層上形成多個第二離子注入...

2025-09-08
半導體結構及其形成方法

一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括基底；第一介質層，位于基底上；第一柵極層，凸立于第一介質層上，并使側部的第一介質層被暴露；第二介質層，位于第一柵極層的頂部和側壁、以及第一柵極層側部的第一介質層上；第二柵極層，位于第二介質層上，且位...

2025-09-08
半導體結構及其形成方法

一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓；鰭部，分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上；隔離層，位于襯底上且圍繞鰭部的部分側壁，被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部，第一區(qū)的有效...

2025-09-08
半導體結構及其形成方法

本申請?zhí)峁┌雽w結構及其形成方法，所述半導體結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有若干鰭部，所述鰭部包括若干堆疊的溝道層，其中，所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層；鰭內溝槽，位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中；鰭內溝道層，位于所述鰭...

2025-09-08
一種護套安裝用輔助絕緣擋板

本發(fā)明公開一種護套安裝用輔助絕緣擋板，包括支撐組件、絕緣擋板、轉向組件、固定夾組件和定位組件；絕緣擋板安裝在支撐組件的一側；轉向組件安裝在支撐組件遠離絕緣擋板的一側；固定夾組件包括第一夾體和第二夾體；第一夾體安裝在轉向組件上，第二夾體與第一...

2025-09-08
一種芯片及其制作方法、電子設備

本申請實施例提供一種芯片及其制作方法、電子設備，涉及半導體技術領域，用于在滿足電子設備的元器件微縮尺寸要求的情況下，改善元器件的性能。該芯片包括多個陣列結構，陣列結構中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...

2025-09-08
半導體結構及其形成方法

本申請?zhí)峁┌雽w結構及其形成方法，所述半導體結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括阱區(qū)，所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片；分別位于所述第一鰭片、第二鰭...

2025-09-08
發(fā)運信息核準方法、裝置、系統(tǒng)和計算機設備

本申請涉及一種發(fā)運信息核準方法、裝置、系統(tǒng)、計算機設備和存儲介質。所述方法包括：接收運輸車輛執(zhí)行發(fā)運任務過程中在稱重節(jié)點進行稱重操作觸發(fā)的稱重讀數(shù)指令；讀取稱重節(jié)點的當前稱重數(shù)據(jù)，得到參照稱重數(shù)據(jù)，并將參照稱重數(shù)據(jù)記錄在運輸車輛執(zhí)行發(fā)運任務...

2025-09-08
一種知識庫構建方法及相關裝置

本申請實施例公開了一種知識庫構建方法及相關裝置，該方法包括：獲取參考問答知識庫中存儲的多個參考問題和多個參考答案；將多個參考問題劃分至多個問題類別；針對每個問題類別，通過語言模型，根據(jù)屬于問題類別的參考問題，生成屬于問題類別的泛化問題；針對...

2025-09-08
一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設備以及存儲介質

本申請實施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設備以及存儲介質，用于降低內存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應用于計算機領域、人工智能、車聯(lián)網等技術領域。包括：獲取搜索請求；根據(jù)搜索請求從第一詞集合中篩選目標關鍵字索引集合，第一詞集合用于...

2025-09-08
一種模型訓練方法和問題數(shù)據(jù)處理方法及相關裝置

本申請?zhí)峁┝艘环N模型訓練方法和問題數(shù)據(jù)處理以及相關裝置。本申請實施例可應用于人工智能領域。其中模型訓練方法包括：獲取原始問答對，原始問答對包括原始問題和原始回答；基于行業(yè)知識庫，檢索原始問題的第一結果；基于搜索引擎，檢索原始問題的第二結果；...

2025-09-08
任務處理方法、自動問答方法以及圖像處理方法

本說明書實施例提供任務處理方法、自動問答方法以及圖像處理方法，其中所述任務處理方法包括：獲取目標任務的任務數(shù)據(jù)和任務描述信息；將任務數(shù)據(jù)輸入第一任務處理模型，獲得任務數(shù)據(jù)對應的關鍵文本信息，其中，關鍵文本信息用于描述任務數(shù)據(jù)中的關鍵信息，第...

2025-09-08
軟件測試方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品

本申請公開了一種軟件測試方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品，涉及芯片技術領域。該方法包括：獲取第一芯片參數(shù)和第二芯片參數(shù)，所述第一芯片參數(shù)是開發(fā)完成的第一芯片的參數(shù)，第二芯片參數(shù)是待開發(fā)的第二芯片的參數(shù)，芯片參數(shù)用于指示芯片運行驅動軟件時...

2025-09-08

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