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								      本發(fā)明提供了一種制冷設(shè)備及其安裝方法。其中制冷設(shè)備的注水管穿過冷凍/變溫內(nèi)膽壁的第一開口、預(yù)埋架的連接孔、發(fā)泡空間、冷藏內(nèi)膽壁的第二開口，注水管出水端置于冷凍/變溫室內(nèi)的制冰室內(nèi)并用于向制冰機(jī)注水，注水管進(jìn)水端置于冷藏室內(nèi)并連接于供水組件，...
								
        
							
        
							
						
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								      在本發(fā)明的制冷設(shè)備中，包括箱體、設(shè)于所述箱體內(nèi)的制冷間室，制冷間室內(nèi)設(shè)有集成制冷系統(tǒng)，集成制冷系統(tǒng)包括連接于所述箱體上的蒸發(fā)器蓋板，通過蒸發(fā)器蓋板圍設(shè)形成蒸發(fā)腔室，在蒸發(fā)腔室內(nèi)安裝有蒸發(fā)器、風(fēng)機(jī)和風(fēng)道組件，所述風(fēng)道組件連通所述蒸發(fā)腔室和所述...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種制冷設(shè)備，包括制冰室、安裝于所述制冰室內(nèi)的制冰機(jī)，所述制冰室內(nèi)安裝有制冰制冷模組，用于向所述制冰室供應(yīng)冷氣，所述制冰制冷模組包括安裝于所述制冰室內(nèi)的制冷殼體，所述制冷殼體包括第一殼體和與所述第一殼體連接的第二殼體，所述第一殼體...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及制冷設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，公開一種冰箱，冰箱包括：箱體；內(nèi)膽，設(shè)于箱體內(nèi)，限定出儲(chǔ)物腔室；制冷組件，設(shè)于箱體與內(nèi)膽之間，設(shè)置在儲(chǔ)物腔室的左側(cè)和右側(cè)；風(fēng)道，設(shè)置在儲(chǔ)物腔室的左側(cè)和右側(cè)，包括進(jìn)風(fēng)部和出風(fēng)部，進(jìn)風(fēng)部與制冷組件相連通，出風(fēng)部與儲(chǔ)物...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種彈性固定裝置，包括一基座及一定位件。該基座用以固定于主板上。該定位件設(shè)置于該基座上，并相對(duì)該基座在一第一方向與一第二方向旋轉(zhuǎn)，該第一方向與該第二方向相反。其中，當(dāng)該定位件往該第一方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，該定位件產(chǎn)生彈力。其中，該定位件的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種鋼用復(fù)合鍍層，該復(fù)合鍍層包括沿鍍層厚度方向依次設(shè)置的第一鍍層與第二鍍層，第一鍍層與鋼基板直接接觸，且第一鍍層包括Mo和/或Cr，第二鍍層為鋅基鍍層。本發(fā)明還公開了該復(fù)合鍍層的涂鍍方法，以及包含該鍍層的鋼板，和包含鋼板的點(diǎn)焊接...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種有機(jī)長(zhǎng)余輝材料及其制備方法和應(yīng)用，所述有機(jī)長(zhǎng)余輝材料，其包括給體分子、受體分子和多重共振分子；所述多重共振分子為N7,N7,N13,N13
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種磷酸氫錳前驅(qū)體、磷酸錳鐵鋰、其制備方法、以及包含其的正極極片、電池及用電裝置，本申請(qǐng)首先使可溶性錳鹽與沉淀劑一次沉淀反應(yīng)制備氫氧化錳，然后再使氫氧化錳與磷酸二次沉淀反應(yīng)制備磷酸氫錳前驅(qū)體。本申請(qǐng)通過二次沉淀反應(yīng)制備了低雜質(zhì)離...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種分注蓋，包括一主體，其具有一形成于其內(nèi)的第一凹孔、一端口及一位于第一凹孔內(nèi)的導(dǎo)管。該分注蓋具有一蓋子，以可旋轉(zhuǎn)方式和該主體接合，并有一形成于蓋子內(nèi)的第二凹孔。該蓋子可從該蓋子的一閉合位置轉(zhuǎn)到該蓋子的一開啟位置，在該閉合位置時(shí)，...
								
        
							
        
							
						
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								      一種觸控膜制造方法，適用于一玻璃熱轉(zhuǎn)印設(shè)備。玻璃熱轉(zhuǎn)印設(shè)備包含一輸送裝置、一放卷裝置以及一熱轉(zhuǎn)印滾輪。此觸控膜制造方法包含：將多個(gè)玻璃基板以一預(yù)設(shè)間隙排列于輸送裝置；將轉(zhuǎn)印薄膜設(shè)置于放卷裝置，其中，此轉(zhuǎn)印薄膜包含一基底膜、一離型層、一顏色層...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種激光刻蝕方法、太陽(yáng)電池的制備方法及太陽(yáng)電池。本申請(qǐng)的激光刻蝕方法包括如下步驟：提供一襯底，襯底的表面上設(shè)置有第一硅材料層，第一硅材料層的遠(yuǎn)離襯底的表面上設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層遠(yuǎn)離襯底的表面上具有預(yù)設(shè)區(qū)域。沿第一方向在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)進(jìn)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及無機(jī)物合成、催化劑載體材料制備領(lǐng)域，公開了一種氧化鋁的制備裝置以及制備方法、制備得到的氧化鋁，所述制備裝置包括碳化法反應(yīng)釜、堿性鋁酸鹽溶液原料罐、原料氣瓶、中和反應(yīng)釜、酸性鋁鹽溶液原料罐、堿性溶液原料罐、中間反應(yīng)釜、老化反應(yīng)釜、相...
								
        
							
        
							
						
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								      一種風(fēng)險(xiǎn)確定方法，包括：接收與項(xiàng)目相關(guān)聯(lián)的事件信息，事件信息包括關(guān)于在項(xiàng)目中檢測(cè)到的異常行為的信息或關(guān)于在項(xiàng)目中檢測(cè)到的漏洞的信息；至少部分地基于所接收到的事件信息，識(shí)別一條或更多條攻擊路徑的一個(gè)或更多個(gè)攻擊步驟，一條或更多條攻擊路徑中的每...
								
        
							
        
							
						
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								      提供再循環(huán)性優(yōu)異的粘合片。[1]本發(fā)明的實(shí)施方式的粘合片依次具備粘合劑層、分離層和基材，該分離層由醇溶性樹脂或水溶性樹脂構(gòu)成。[2]上述[1]所述的粘合片中，前述粘合片的錨固力A可以為1N/20mm以上。[3]上述[1]或[2]的粘合片中，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供式(1)所示的化合物的晶體及其制造方法。該晶體滿足下述中的至少一者：通過差示掃描量熱分析得到的熔融吸熱最大溫度為177℃~181℃；以及，在使用Cu?Kα射線的粉末X射線衍射圖案中，在衍射角2θ=7.6±0.2°、8.7±0.2°...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池的空穴傳輸層及其制備方法和鈣鈦礦/晶硅兩端疊層電池，屬于疊層電池技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法的步驟(1)在制備隧穿層時(shí)控制氧分壓在合適范圍內(nèi)，且利用步驟(2)對(duì)隧穿層進(jìn)行表面處理，兩者共同提高了隧穿層表面的...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示基板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)光組件包括多個(gè)發(fā)光單元，驅(qū)動(dòng)單元以及色轉(zhuǎn)部。其中，發(fā)光單元的第一半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)單元的第一電極連接，發(fā)光單元的第二半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)單元的第二電極連接，由此可以使得驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種用于太陽(yáng)能電池增強(qiáng)接觸的熱極化方法及裝置。一方面提供了一種熱極化方法，其包括：將導(dǎo)電漿料涂覆于一個(gè)或多個(gè)鈍化膜硅片的鈍化膜表面上，然后對(duì)所述鈍化膜硅片進(jìn)行燒結(jié)處理以形成一個(gè)或多個(gè)太陽(yáng)能電板；及將所述一個(gè)或多個(gè)太陽(yáng)能電板置于電場(chǎng)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種西格瑪溝槽及其半導(dǎo)體器件的制作方法，所述西格瑪溝槽的制作方法包括：提供襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成有源漏區(qū)；進(jìn)行各向異性干法刻蝕，在源漏區(qū)內(nèi)形成第一溝槽；進(jìn)行各向同性化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束之后升高溫度使得反...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，可以在不影響柵控能力的基礎(chǔ)上，利用第一柵介質(zhì)層抑制閾值電壓的正向漂移分量，從而提高晶體管的BTI。該芯片包括晶體管，晶體管包括依次層疊設(shè)置的溝道層、第一柵介質(zhì)層、第二柵介質(zhì)層、以...
								
        
							
        
							
						
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