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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N正極極片、二次電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設(shè)置在所述正極集流體的至少一個(gè)表面上的正極膜層，所述正極膜層包括正極活性材料和添加劑，所述添加劑包括至少一種式(I)表示的化合物；在所述式(I)中，R1
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種半干法電極及其制備方法。本發(fā)明半干法電極制備方法，有別于現(xiàn)有濕法、干法電極制備技術(shù)，本發(fā)明一方面通過(guò)粘結(jié)劑與導(dǎo)電劑的混合后霧化分散形成霧化分散后的導(dǎo)電膠液，另一方面將電極材料在氣相介質(zhì)內(nèi)分散成懸浮顆粒，然后將所得的霧化分散后...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件及其切割方法、半導(dǎo)體芯片，涉及半導(dǎo)體芯片的技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決半導(dǎo)體芯片的封裝良率低的技術(shù)問(wèn)題。所述半導(dǎo)體器件包括：襯底，以及位于襯底一側(cè)的多個(gè)半導(dǎo)體單元和多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)。多個(gè)半導(dǎo)體單元陣列分布，多個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中的至少部...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種TSV結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)第一光刻膠層先對(duì)硅襯底進(jìn)行刻蝕，以在硅襯底中形成開(kāi)口寬度較大的第一凹槽，在進(jìn)行去膠和清洗工藝后，在第一凹槽內(nèi)沉積第二光刻膠層，并以第二光刻膠層作為硅襯底的側(cè)壁的保護(hù)層，以刻蝕復(fù)合膜層制備貫穿第二光刻膠...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種TSV結(jié)構(gòu)的制備方法，通過(guò)在硅襯底中先形成開(kāi)口寬度較大的凹槽，而后在凹槽內(nèi)沉積氧化硅層，之后通過(guò)一步刻蝕形成貫穿氧化硅層、復(fù)合膜層且顯露金屬布線的TSV孔，使得位于硅襯底中的凹槽的側(cè)壁可具有覆蓋良好的氧化硅層，無(wú)需進(jìn)行關(guān)于TS...
								
        
							
        
							
						
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								      一種封裝結(jié)構(gòu)與其形成方法，封裝結(jié)構(gòu)的形成方法包含以下步驟：形成多個(gè)開(kāi)槽于一導(dǎo)線架的一表面，其中導(dǎo)線架包含多個(gè)引腳，且開(kāi)槽設(shè)置于每一引腳的一側(cè)；設(shè)置一金屬膏體于開(kāi)槽中；加熱金屬膏體以形成一可焊部于每一開(kāi)槽中；以及切割導(dǎo)線架的多個(gè)切割道以形成一...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種接觸器及實(shí)現(xiàn)切換電池組串并聯(lián)的裝置，該接觸器包括轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)設(shè)有具有靜觸頭的靜觸件和具有動(dòng)觸頭的動(dòng)觸件，靜觸件和動(dòng)觸件的總數(shù)量為四個(gè)或五個(gè)，動(dòng)觸件的數(shù)量不少于兩個(gè)且相互連接，動(dòng)觸件中的至少一個(gè)動(dòng)觸件配置為至少...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了稀土摻雜的鐵氧體磁粉及制備方法、注射鐵氧體及應(yīng)用，所述鐵氧體磁粉的化學(xué)式為Sr1?xLaxFe12?yCoyO19，其...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種在鋁線蝕刻機(jī)臺(tái)蝕刻薄膜電阻的方法，其包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上依次形成SiON介質(zhì)層、TiN掩膜和SiCr介電層；根據(jù)要形成的柵極圖案對(duì)半導(dǎo)體襯底上的各層進(jìn)行蝕刻；在對(duì)硅鉻介電層進(jìn)行蝕刻時(shí)，增加偏置射頻功率源并調(diào)整通入氣體...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種電纜芯拉擠設(shè)備及應(yīng)用該設(shè)備制作的電纜芯，該拉擠設(shè)備至少包括：第一固化模具，其將經(jīng)浸膠后沿軸向延伸的碳纖維紗線進(jìn)行預(yù)固化，形成電纜芯內(nèi)層；第二固化模具，其將經(jīng)浸膠且導(dǎo)紗后沿軸向延伸的玻纖紗線覆蓋在所述電纜芯內(nèi)層外部，并對(duì)內(nèi)、外...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明具體提供了一種在役核電站模擬堆芯裝置及方法，該模擬裝置包括：底板和組件，所述底板上表面安裝有下定位銷，用于定位、安裝組件；所述組件底部開(kāi)設(shè)有導(dǎo)向孔，能夠與所述下定位銷相適配，所述組件頂部開(kāi)設(shè)有定位孔和導(dǎo)向孔，分別與裝卸料機(jī)抓具的定位銷...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N疾病風(fēng)險(xiǎn)信息監(jiān)控方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及醫(yī)療健康及大數(shù)據(jù)技術(shù)領(lǐng)域，其中，方法包括：獲取用戶的體檢指標(biāo)，體檢指標(biāo)中包括異常體檢指標(biāo)；基于體檢指標(biāo)，在預(yù)設(shè)題目集合中選取與異常體檢指標(biāo)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)題目，其中，預(yù)設(shè)題目集合中...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種疾病風(fēng)險(xiǎn)定位模組與方法，且疾病風(fēng)險(xiǎn)定位模組主要是透過(guò)分群算法針對(duì)搜集到的復(fù)數(shù)個(gè)用戶的生理資料所形成的樣本資料集進(jìn)行多次分群與迭代，并在分群結(jié)果符合收斂條件時(shí)，生成疾病風(fēng)險(xiǎn)分級(jí)表，其中此疾病風(fēng)險(xiǎn)分級(jí)表可以用于后續(xù)的用戶的疾病風(fēng)險(xiǎn)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N多相體系的化學(xué)形態(tài)和化學(xué)反應(yīng)的預(yù)測(cè)方法及裝置，其中，該方法包括：獲取多相體系對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵條件，所述關(guān)鍵條件包括：溫度、壓強(qiáng)、多種元素類型及其各自的含量；通過(guò)吉布斯自由能最小化方法，預(yù)測(cè)得到所述關(guān)鍵條件下的化學(xué)形態(tài)信息，該化學(xué)形...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于甲基化芯片測(cè)序的年齡估算方法，具體地，本發(fā)明涉及一種DNA甲基化水平數(shù)據(jù)集、建立數(shù)據(jù)集的方法、年齡估算模型的訓(xùn)練方法、年齡估算方法、年齡估算模型或裝置、電子設(shè)備、非易失性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及其用途。通過(guò)篩選與時(shí)序年齡和/或...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種存儲(chǔ)器的編程方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)，應(yīng)用于芯片存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)器的編程方法包括：接收寫(xiě)入指令，寫(xiě)入指令用于指示向多個(gè)存儲(chǔ)單元中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元寫(xiě)入待寫(xiě)入數(shù)據(jù)。待寫(xiě)入數(shù)據(jù)包括N個(gè)比特位。根據(jù)寫(xiě)入指令，在第一編程階段：對(duì)待寫(xiě)入...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種相變存儲(chǔ)器的電壓控制與數(shù)據(jù)讀取方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品。在該方法中，可獲取應(yīng)用對(duì)PCM進(jìn)行數(shù)據(jù)先寫(xiě)后讀操作時(shí)的寫(xiě)讀間隔描述信息，根據(jù)該描述信息確定從PCM的存儲(chǔ)單元中讀數(shù)據(jù)時(shí)所需的初始電壓檔位和檔位切換策略，基于初...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開(kāi)實(shí)施例公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)和電子設(shè)備，該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元；外圍電路，耦接存儲(chǔ)單元陣列，外圍電路被配置為：在編程驗(yàn)證之前，將選定的字線從第一電壓放電至第二電壓；其中，選定的字線耦接...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)的實(shí)施例公開(kāi)了音頻數(shù)據(jù)處理方法、裝置、設(shè)備及可讀介質(zhì)，該方法包括：在語(yǔ)音會(huì)話過(guò)程中，獲取所產(chǎn)生的會(huì)話音頻數(shù)據(jù)；針對(duì)會(huì)話音頻數(shù)據(jù)中的每一個(gè)音頻幀，對(duì)音頻幀進(jìn)行音頻分析得到分析結(jié)果；若分析結(jié)果表征音頻幀中未含有聲音信息，則對(duì)音頻幀進(jìn)行丟棄...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種語(yǔ)音交互方法、系統(tǒng)及相關(guān)裝置，方法應(yīng)用于穿戴設(shè)備，穿戴設(shè)備包括信號(hào)發(fā)射器；當(dāng)用戶佩戴穿戴設(shè)備時(shí)，信號(hào)發(fā)射器的朝向?yàn)榈谝环较?，第一方向與第二方向之間的夾角為第一值，第二方向?yàn)橛脩舻拿娌砍?；方法包括：檢測(cè)到用戶佩戴穿戴設(shè)備，且...
								
        
							
        
							
						
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