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      • 本申請涉及一種電極制備方法及其裝置和太陽能電池,在電池片襯底的表面形成有機(jī)聚合物薄膜,對(duì)有機(jī)聚合物薄膜進(jìn)行刻蝕以形成穿透有機(jī)聚合物薄膜的凹槽,此時(shí)的凹槽寬度能夠做到更小,在凹槽中填充漿料,在去除剩余有機(jī)聚合物薄膜后完成電極的制備。本申請中的...
      • 本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版,圖像傳感器的制作方法包括:在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層,以在第一光阻層上形成多個(gè)第一離子注入開口;在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層,以第二光阻層上形成多個(gè)第二離子注入...
      • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底;第一介質(zhì)層,位于基底上;第一柵極層,凸立于第一介質(zhì)層上,并使側(cè)部的第一介質(zhì)層被暴露;第二介質(zhì)層,位于第一柵極層的頂部和側(cè)壁、以及第一柵極層側(cè)部的第一介質(zhì)層上;第二柵極層,位于第二介質(zhì)層上,且位...
      • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:襯底,襯底包括第一區(qū)和第二區(qū),第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓;鰭部,分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上;隔離層,位于襯底上且圍繞鰭部的部分側(cè)壁,被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部,第一區(qū)的有效...
      • 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底表面形成有若干鰭部,所述鰭部包括若干堆疊的溝道層,其中,所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層;鰭內(nèi)溝槽,位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中;鰭內(nèi)溝道層,位于所述鰭...
      • 本發(fā)明公開一種護(hù)套安裝用輔助絕緣擋板,包括支撐組件、絕緣擋板、轉(zhuǎn)向組件、固定夾組件和定位組件;絕緣擋板安裝在支撐組件的一側(cè);轉(zhuǎn)向組件安裝在支撐組件遠(yuǎn)離絕緣擋板的一側(cè);固定夾組件包括第一夾體和第二夾體;第一夾體安裝在轉(zhuǎn)向組件上,第二夾體與第一...
      • 本申請實(shí)施例提供一種芯片及其制作方法、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于在滿足電子設(shè)備的元器件微縮尺寸要求的情況下,改善元器件的性能。該芯片包括多個(gè)陣列結(jié)構(gòu),陣列結(jié)構(gòu)中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
      • 本申請?zhí)峁┌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括阱區(qū),所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域;分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片;分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
      • 本申請涉及一種發(fā)運(yùn)信息核準(zhǔn)方法、裝置、系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:接收運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)過程中在稱重節(jié)點(diǎn)進(jìn)行稱重操作觸發(fā)的稱重讀數(shù)指令;讀取稱重節(jié)點(diǎn)的當(dāng)前稱重?cái)?shù)據(jù),得到參照稱重?cái)?shù)據(jù),并將參照稱重?cái)?shù)據(jù)記錄在運(yùn)輸車輛執(zhí)行發(fā)運(yùn)任務(wù)...
      • 本申請實(shí)施例公開了一種知識(shí)庫構(gòu)建方法及相關(guān)裝置,該方法包括:獲取參考問答知識(shí)庫中存儲(chǔ)的多個(gè)參考問題和多個(gè)參考答案;將多個(gè)參考問題劃分至多個(gè)問題類別;針對(duì)每個(gè)問題類別,通過語言模型,根據(jù)屬于問題類別的參考問題,生成屬于問題類別的泛化問題;針對(duì)...
      • 本申請實(shí)施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì),用于降低內(nèi)存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應(yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、人工智能、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域。包括:獲取搜索請求;根據(jù)搜索請求從第一詞集合中篩選目標(biāo)關(guān)鍵字索引集合,第一詞集合用于...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N模型訓(xùn)練方法和問題數(shù)據(jù)處理以及相關(guān)裝置。本申請實(shí)施例可應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域。其中模型訓(xùn)練方法包括:獲取原始問答對(duì),原始問答對(duì)包括原始問題和原始回答;基于行業(yè)知識(shí)庫,檢索原始問題的第一結(jié)果;基于搜索引擎,檢索原始問題的第二結(jié)果;...
      • 本說明書實(shí)施例提供任務(wù)處理方法、自動(dòng)問答方法以及圖像處理方法,其中所述任務(wù)處理方法包括:獲取目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)數(shù)據(jù)和任務(wù)描述信息;將任務(wù)數(shù)據(jù)輸入第一任務(wù)處理模型,獲得任務(wù)數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的關(guān)鍵文本信息,其中,關(guān)鍵文本信息用于描述任務(wù)數(shù)據(jù)中的關(guān)鍵信息,第...
      • 本申請公開了一種軟件測試方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品,涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取第一芯片參數(shù)和第二芯片參數(shù),所述第一芯片參數(shù)是開發(fā)完成的第一芯片的參數(shù),第二芯片參數(shù)是待開發(fā)的第二芯片的參數(shù),芯片參數(shù)用于指示芯片運(yùn)行驅(qū)動(dòng)軟件時(shí)...
      • 本發(fā)明提供一種氣密燒結(jié)爐排氣改良裝置,該燒結(jié)爐具有一爐膛可供燒制物置入,包括:固態(tài)電池或非固態(tài)的化學(xué)成分(如氫、鋰、酸、堿等)電池等,于爐膛外部包覆有保溫材料,內(nèi)部上、下皆設(shè)置有由多個(gè)排列且外覆保護(hù)管的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱裝置,且周圍壁面上布有...
      • 本申請實(shí)施例涉及一種壓力輥、轉(zhuǎn)印設(shè)備和太陽能電池,壓力輥,包括:輥本體,設(shè)有空腔;加熱器件,設(shè)于空腔中,用于發(fā)熱以產(chǎn)生紅外線;聚光器件,設(shè)于空腔中,聚光器件用于聚合來自加熱器件的至少部分紅外線,并將聚合后的光束投射至部分輥本體,以對(duì)輥本體的...
      • 本申請公開了一種涂布機(jī)構(gòu)、裝置及方法,該涂布機(jī)構(gòu)包括涂布輥,具有連通涂布輥內(nèi)部和表面的涂料通路;涂料供給組件,用于向涂料通路供給涂料,使得涂料從涂布輥內(nèi)部流向涂布輥表面,并形成第一涂料層;涂布刮刀,用于使第一涂料層的厚度處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi);涂料...
      • 本發(fā)明涉及LED顯示領(lǐng)域,特別涉及一種LED顯示屏及拼接屏。一種LED顯示屏包括顯示模組和框架,所述框架的第一側(cè)壁設(shè)有模組安裝槽,所述顯示模組設(shè)于所述模組安裝槽中,且所述模組安裝槽至少部分包裹所述顯示模組的周圍側(cè)壁。讓顯示模組的周圍側(cè)壁不會(huì)...
      • 本發(fā)明提供一種驅(qū)動(dòng)背板和顯示面板。該驅(qū)動(dòng)背板包括基底和多個(gè)像素電路,多個(gè)像素電路位于基底一側(cè),多個(gè)像素電路排布呈陣列,像素電路包括多個(gè)晶體管;至少一個(gè)所述晶體管包括第一晶體管,第一晶體管包括至少三個(gè)柵極和至少兩個(gè)有源層,柵極和有源層依次交替...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法和存儲(chǔ)系統(tǒng),該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層、柵極結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體層的一側(cè),接觸結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體層靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè),且位于柵極結(jié)構(gòu)沿第一方向的一側(cè),第一方向平行于半導(dǎo)體層。連接結(jié)構(gòu)沿...
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