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      • 本發明涉及一種鈉離子電池層狀氧化物材料、制備方法及應用。鈉離子電池層狀氧化物材料的化學式為NaxLiaM1bNicMndM2
      • 本申請提供了一種半導體器件及其制備方法和存儲系統,該半導體器件包括半導體層、柵極結構、接觸結構和連接結構。柵極結構位于半導體層的一側,接觸結構位于半導體層靠近柵極結構的一側,且位于柵極結構沿第一方向的一側,第一方向平行于半導體層。連接結構沿...
      • 本發明提供一種驅動背板和顯示面板。該驅動背板包括基底和多個像素電路,多個像素電路位于基底一側,多個像素電路排布呈陣列,像素電路包括多個晶體管;至少一個所述晶體管包括第一晶體管,第一晶體管包括至少三個柵極和至少兩個有源層,柵極和有源層依次交替...
      • 本發明涉及LED顯示領域,特別涉及一種LED顯示屏及拼接屏。一種LED顯示屏包括顯示模組和框架,所述框架的第一側壁設有模組安裝槽,所述顯示模組設于所述模組安裝槽中,且所述模組安裝槽至少部分包裹所述顯示模組的周圍側壁。讓顯示模組的周圍側壁不會...
      • 本申請公開了一種涂布機構、裝置及方法,該涂布機構包括涂布輥,具有連通涂布輥內部和表面的涂料通路;涂料供給組件,用于向涂料通路供給涂料,使得涂料從涂布輥內部流向涂布輥表面,并形成第一涂料層;涂布刮刀,用于使第一涂料層的厚度處于預設范圍內;涂料...
      • 本申請實施例涉及一種壓力輥、轉印設備和太陽能電池,壓力輥,包括:輥本體,設有空腔;加熱器件,設于空腔中,用于發熱以產生紅外線;聚光器件,設于空腔中,聚光器件用于聚合來自加熱器件的至少部分紅外線,并將聚合后的光束投射至部分輥本體,以對輥本體的...
      • 本發明提供一種氣密燒結爐排氣改良裝置,該燒結爐具有一爐膛可供燒制物置入,包括:固態電池或非固態的化學成分(如氫、鋰、酸、堿等)電池等,于爐膛外部包覆有保溫材料,內部上、下皆設置有由多個排列且外覆保護管的發熱體構成的加熱裝置,且周圍壁面上布有...
      • 本申請公開了一種軟件測試方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品,涉及芯片技術領域。該方法包括:獲取第一芯片參數和第二芯片參數,所述第一芯片參數是開發完成的第一芯片的參數,第二芯片參數是待開發的第二芯片的參數,芯片參數用于指示芯片運行驅動軟件時...
      • 本說明書實施例提供任務處理方法、自動問答方法以及圖像處理方法,其中所述任務處理方法包括:獲取目標任務的任務數據和任務描述信息;將任務數據輸入第一任務處理模型,獲得任務數據對應的關鍵文本信息,其中,關鍵文本信息用于描述任務數據中的關鍵信息,第...
      • 本申請提供了一種模型訓練方法和問題數據處理以及相關裝置。本申請實施例可應用于人工智能領域。其中模型訓練方法包括:獲取原始問答對,原始問答對包括原始問題和原始回答;基于行業知識庫,檢索原始問題的第一結果;基于搜索引擎,檢索原始問題的第二結果;...
      • 本申請實施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設備以及存儲介質,用于降低內存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應用于計算機領域、人工智能、車聯網等技術領域。包括:獲取搜索請求;根據搜索請求從第一詞集合中篩選目標關鍵字索引集合,第一詞集合用于...
      • 本申請實施例公開了一種知識庫構建方法及相關裝置,該方法包括:獲取參考問答知識庫中存儲的多個參考問題和多個參考答案;將多個參考問題劃分至多個問題類別;針對每個問題類別,通過語言模型,根據屬于問題類別的參考問題,生成屬于問題類別的泛化問題;針對...
      • 本申請涉及一種發運信息核準方法、裝置、系統、計算機設備和存儲介質。所述方法包括:接收運輸車輛執行發運任務過程中在稱重節點進行稱重操作觸發的稱重讀數指令;讀取稱重節點的當前稱重數據,得到參照稱重數據,并將參照稱重數據記錄在運輸車輛執行發運任務...
      • 本申請提供半導體結構及其形成方法,所述半導體結構包括:半導體襯底,所述半導體襯底包括阱區,所述阱區包括第一區域、第二區域和第三區域;分別位于所述第一區域、第二區域和第三區域的阱區中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片;分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
      • 本申請實施例提供一種芯片及其制作方法、電子設備,涉及半導體技術領域,用于在滿足電子設備的元器件微縮尺寸要求的情況下,改善元器件的性能。該芯片包括多個陣列結構,陣列結構中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
      • 本發明公開一種護套安裝用輔助絕緣擋板,包括支撐組件、絕緣擋板、轉向組件、固定夾組件和定位組件;絕緣擋板安裝在支撐組件的一側;轉向組件安裝在支撐組件遠離絕緣擋板的一側;固定夾組件包括第一夾體和第二夾體;第一夾體安裝在轉向組件上,第二夾體與第一...
      • 本申請提供半導體結構及其形成方法,所述半導體結構包括:半導體襯底,所述半導體襯底表面形成有若干鰭部,所述鰭部包括若干堆疊的溝道層,其中,所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層;鰭內溝槽,位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中;鰭內溝道層,位于所述鰭...
      • 一種半導體結構及其形成方法,半導體結構包括:襯底,襯底包括第一區和第二區,第一區的器件工作電壓小于第二區的器件工作電壓;鰭部,分立于第一區和第二區的襯底上;隔離層,位于襯底上且圍繞鰭部的部分側壁,被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部,第一區的有效...
      • 一種半導體結構及其形成方法,半導體結構包括基底;第一介質層,位于基底上;第一柵極層,凸立于第一介質層上,并使側部的第一介質層被暴露;第二介質層,位于第一柵極層的頂部和側壁、以及第一柵極層側部的第一介質層上;第二柵極層,位于第二介質層上,且位...
      • 本發明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版,圖像傳感器的制作方法包括:在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層,以在第一光阻層上形成多個第一離子注入開口;在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層,以第二光阻層上形成多個第二離子注入...
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