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								      本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制作方法、圖形化掩膜版，圖像傳感器的制作方法包括：在基底的第一表面上形成圖案化的第一光阻層，以在第一光阻層上形成多個第一離子注入開口；在基底的第一表面上形成圖案化的第二光阻層，以第二光阻層上形成多個第二離子注入...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導體結(jié)構(gòu)包括基底；第一介質(zhì)層，位于基底上；第一柵極層，凸立于第一介質(zhì)層上，并使側(cè)部的第一介質(zhì)層被暴露；第二介質(zhì)層，位于第一柵極層的頂部和側(cè)壁、以及第一柵極層側(cè)部的第一介質(zhì)層上；第二柵極層，位于第二介質(zhì)層上，且位...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導體結(jié)構(gòu)包括：襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)的器件工作電壓小于第二區(qū)的器件工作電壓；鰭部，分立于第一區(qū)和第二區(qū)的襯底上；隔離層，位于襯底上且圍繞鰭部的部分側(cè)壁，被隔離層暴露的鰭部作為有效鰭部，第一區(qū)的有效...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┌雽w結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導體結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有若干鰭部，所述鰭部包括若干堆疊的溝道層，其中，所述鰭部的起始層和終止層均為溝道層；鰭內(nèi)溝槽，位于所述鰭部中且延伸至所述起始層中；鰭內(nèi)溝道層，位于所述鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種護套安裝用輔助絕緣擋板，包括支撐組件、絕緣擋板、轉(zhuǎn)向組件、固定夾組件和定位組件；絕緣擋板安裝在支撐組件的一側(cè)；轉(zhuǎn)向組件安裝在支撐組件遠離絕緣擋板的一側(cè)；固定夾組件包括第一夾體和第二夾體；第一夾體安裝在轉(zhuǎn)向組件上，第二夾體與第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供一種芯片及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，用于在滿足電子設(shè)備的元器件微縮尺寸要求的情況下，改善元器件的性能。該芯片包括多個陣列結(jié)構(gòu)，陣列結(jié)構(gòu)中第一隔離擋墻位于第一晶體管列和第二晶體管列之間。第一晶體管列和第二晶體管...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┌雽w結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導體結(jié)構(gòu)包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括阱區(qū)，所述阱區(qū)包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；分別位于所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的阱區(qū)中的第一鰭片、第二鰭片和第三鰭片；分別位于所述第一鰭片、第二鰭...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種發(fā)運信息核準方法、裝置、系統(tǒng)、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：接收運輸車輛執(zhí)行發(fā)運任務(wù)過程中在稱重節(jié)點進行稱重操作觸發(fā)的稱重讀數(shù)指令；讀取稱重節(jié)點的當前稱重數(shù)據(jù)，得到參照稱重數(shù)據(jù)，并將參照稱重數(shù)據(jù)記錄在運輸車輛執(zhí)行發(fā)運任務(wù)...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例公開了一種知識庫構(gòu)建方法及相關(guān)裝置，該方法包括：獲取參考問答知識庫中存儲的多個參考問題和多個參考答案；將多個參考問題劃分至多個問題類別；針對每個問題類別，通過語言模型，根據(jù)屬于問題類別的參考問題，生成屬于問題類別的泛化問題；針對...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供了一種搜索詞條的推薦方法、裝置、設(shè)備以及存儲介質(zhì)，用于降低內(nèi)存占用且不減少搜索詞條推薦性能。可應(yīng)用于計算機領(lǐng)域、人工智能、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)領(lǐng)域。包括：獲取搜索請求；根據(jù)搜索請求從第一詞集合中篩選目標關(guān)鍵字索引集合，第一詞集合用于...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N模型訓練方法和問題數(shù)據(jù)處理以及相關(guān)裝置。本申請實施例可應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域。其中模型訓練方法包括：獲取原始問答對，原始問答對包括原始問題和原始回答；基于行業(yè)知識庫，檢索原始問題的第一結(jié)果；基于搜索引擎，檢索原始問題的第二結(jié)果；...
								
        
							
        
							
						
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								      本說明書實施例提供任務(wù)處理方法、自動問答方法以及圖像處理方法，其中所述任務(wù)處理方法包括：獲取目標任務(wù)的任務(wù)數(shù)據(jù)和任務(wù)描述信息；將任務(wù)數(shù)據(jù)輸入第一任務(wù)處理模型，獲得任務(wù)數(shù)據(jù)對應(yīng)的關(guān)鍵文本信息，其中，關(guān)鍵文本信息用于描述任務(wù)數(shù)據(jù)中的關(guān)鍵信息，第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種軟件測試方法、裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一芯片參數(shù)和第二芯片參數(shù)，所述第一芯片參數(shù)是開發(fā)完成的第一芯片的參數(shù)，第二芯片參數(shù)是待開發(fā)的第二芯片的參數(shù)，芯片參數(shù)用于指示芯片運行驅(qū)動軟件時...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種氣密燒結(jié)爐排氣改良裝置，該燒結(jié)爐具有一爐膛可供燒制物置入，包括：固態(tài)電池或非固態(tài)的化學成分（如氫、鋰、酸、堿等）電池等，于爐膛外部包覆有保溫材料，內(nèi)部上、下皆設(shè)置有由多個排列且外覆保護管的發(fā)熱體構(gòu)成的加熱裝置，且周圍壁面上布有...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例涉及一種壓力輥、轉(zhuǎn)印設(shè)備和太陽能電池，壓力輥，包括：輥本體，設(shè)有空腔；加熱器件，設(shè)于空腔中，用于發(fā)熱以產(chǎn)生紅外線；聚光器件，設(shè)于空腔中，聚光器件用于聚合來自加熱器件的至少部分紅外線，并將聚合后的光束投射至部分輥本體，以對輥本體的...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種涂布機構(gòu)、裝置及方法，該涂布機構(gòu)包括涂布輥，具有連通涂布輥內(nèi)部和表面的涂料通路；涂料供給組件，用于向涂料通路供給涂料，使得涂料從涂布輥內(nèi)部流向涂布輥表面，并形成第一涂料層；涂布刮刀，用于使第一涂料層的厚度處于預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；涂料...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及LED顯示領(lǐng)域，特別涉及一種LED顯示屏及拼接屏。一種LED顯示屏包括顯示模組和框架，所述框架的第一側(cè)壁設(shè)有模組安裝槽，所述顯示模組設(shè)于所述模組安裝槽中，且所述模組安裝槽至少部分包裹所述顯示模組的周圍側(cè)壁。讓顯示模組的周圍側(cè)壁不會...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種驅(qū)動背板和顯示面板。該驅(qū)動背板包括基底和多個像素電路，多個像素電路位于基底一側(cè)，多個像素電路排布呈陣列，像素電路包括多個晶體管；至少一個所述晶體管包括第一晶體管，第一晶體管包括至少三個柵極和至少兩個有源層，柵極和有源層依次交替...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法和存儲系統(tǒng)，該半導體器件包括半導體層、柵極結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)。柵極結(jié)構(gòu)位于半導體層的一側(cè)，接觸結(jié)構(gòu)位于半導體層靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)，且位于柵極結(jié)構(gòu)沿第一方向的一側(cè)，第一方向平行于半導體層。連接結(jié)構(gòu)沿...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鈉離子電池層狀氧化物材料、制備方法及應(yīng)用。鈉離子電池層狀氧化物材料的化學式為NaxLiaM1bNicMndM2
							
        
							
						
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