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      • 本申請涉及天線技術領域,尤其涉及一種天線與天線罩的安裝結構。包括天線罩和設于天線罩內部的天線,所述天線包括反射板、輻射組件和邊界裝置,所述輻射組件安裝于所述反射板上,所述天線罩的內壁上設有固定機構,所述邊界裝置通過所述固定機構安裝于所述天線...
      • 一種功率分配器包括:包括輸入端、第一輸出端、第二輸出端、第一相位調節部、第二相位調節部及匹配部,其中,所述第一相位調節部串接于所述輸入端與所述第一輸出端之間,用于調整所述第一輸出端輸出的第一輸出信號的相位;所述第二相位調節部串接于所述輸入端...
      • 本申請提供了一種鎖止機構、電池構件、電池組、用電設備及鎖止裝置,屬于電池換電技術領域。其中,鎖止機構包括鎖套、調整件和多個鎖止件。多個鎖止件均可活動地設置于鎖套,鎖止件具有鎖止狀態和解鎖狀態,鎖止件被配置為在處于鎖止狀態時與鎖座卡接,以使鎖...
      • 本申請提供一種電池箱、電池及用電裝置,屬于電池技術領域。電池箱包括箱體和安裝梁。箱體具有容納腔,安裝梁沿第一方向延伸,安裝梁位于箱體的沿第二方向的至少一側,第一方向與第二方向相交。安裝梁與箱體的箱側壁和箱底壁遠離容納腔的一側相連接。安裝梁與...
      • 一種電池和用電裝置。電池包括多個換熱管,至少一個換熱管為第一換熱管,第一換熱管包括第一換熱流道和第二換熱流道,第二換熱流道彎折形成有U型區域,第一換熱流道彎折設置于U型區域內,且與第二換熱流道彎折連接,多個換熱管并聯布置,換熱管包括多個平直...
      • 本申請提供了一種電池組件和裝置。通過控制設置在電池組件中單體電池的殼體一側表面上的吸熱片的尺寸參數、吸熱主材的質量與殼體的尺寸參數、熱失控過程中的相關參數等滿足一定的關系,可保證該吸熱片能充分抑制熱失控電池的熱量向鄰近電池擴散,且不過多影響...
      • 本申請公開了一種換熱結構、電池、儲能裝置及用電裝置,換熱結構包括進液接頭、出液接頭和至少兩個換熱管,至少兩個換熱管并聯于進液接頭和出液接頭之間,進液接頭用于將換熱介質導入至少兩個換熱管內,出液接頭用于將至少兩個換熱管內的換熱介質導出。電池包...
      • 本申請提供了一種二次電池,二次電池包括正極極片,正極極片包括正極集流體以及設置于正極集流體至少一側的正極膜層,正極膜層包括增柔劑,增柔劑包括丙烯酸酯類聚合物。丙烯酸酯類聚合物中包括大量的酯基,酯基與正極活性材料表面具有良好的相容性,有利于實...
      • 本申請涉及一種聚合物凝膠電解質及二次電池、用電裝置。所述聚合物凝膠電解質包括聚合物骨架以及位于所述聚合物骨架間隙的電解液,所述聚合物骨架包含環狀基團。所述聚合物凝膠電解質的離子電導率以及離子遷移數較大,能夠使電池內部電阻(DCR)較小。
      • 本申請提供了一種鈉離子電池、電池包和儲能系統。該鈉離子電池包括正極極片和負極極片,負極極片包括負極集流體和設于負極集流體至少一側表面的內層材料層和設于內層材料層表面的外層材料層;內層材料層和外層材料層中均含有負極活性材料,內層材料層的添加劑...
      • 本公開涉及一種電池儲能系統的控制方法、裝置、設備及電池儲能系統,方法包括:根據電池儲能系統中多個液流電池模組的第一健康度,從多個液流電池模組中確定待處理液流電池模組;獲取待處理液流電池模組的健康度差異程度值,健康度差異程度值用于表征待處理液...
      • 本公開涉及液流電池技術領域,提供一種混液控制方法、裝置、液流電池系統及存儲介質。該混液控制方法應用于與液流電池連接的控制器,液流電池包括正極電解液循環管路、負極電解液循環管路、電堆、電解液儲灌、以及隔板,電解液儲罐包括正極電解液存儲區域和負...
      • 本公開涉及液流電池技術領域,提供一種混液控制方法、裝置、液流電池系統及存儲介質,該混液控制方法應用于與液流電池連接的控制器,液流電池包括正極電解液循環管路、負極電解液循環管路、電堆、電解液灌以及將電解液灌隔斷為正極電解液灌和負極電解液灌的隔...
      • 本申請涉及燃料電池系統的再啟動方法,包括:記錄停機時間并測量陰極和陽極腔室內的氣體溫度和壓力并計算陰極和陽極腔室內的空氣和氫氣的剩余量;基于此空氣和氫氣的剩余量確定停機過程后剩余的氣體是空氣還是氫氣以及剩余的氣體量;記錄再啟動時間并計算停機...
      • 本申請公開了一種正極極片、正極極片的制備方法、電池和用電設備。正極極片包括基層和活性層;活性層位于基層上,活性層包括正極活性材料和補鋰劑,補鋰劑補鋰后產物能夠溶解于電解液中。通過上述方式,本申請能夠補充電池體系中不可逆的鋰離子損耗,提高電池...
      • 本申請提供一種正極極片、二次電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層,所述正極膜層包括正極活性材料和添加劑,所述添加劑包括至少一種式(I)表示的化合物;在所述式(I)中,R1
      • 本發明公開了一種半干法電極及其制備方法。本發明半干法電極制備方法,有別于現有濕法、干法電極制備技術,本發明一方面通過粘結劑與導電劑的混合后霧化分散形成霧化分散后的導電膠液,另一方面將電極材料在氣相介質內分散成懸浮顆粒,然后將所得的霧化分散后...
      • 本公開提供了一種半導體器件及其切割方法、半導體芯片,涉及半導體芯片的技術領域,旨在解決半導體芯片的封裝良率低的技術問題。所述半導體器件包括:襯底,以及位于襯底一側的多個半導體單元和多個測試結構。多個半導體單元陣列分布,多個測試結構中的至少部...
      • 本發明提供一種TSV結構的制備方法,通過第一光刻膠層先對硅襯底進行刻蝕,以在硅襯底中形成開口寬度較大的第一凹槽,在進行去膠和清洗工藝后,在第一凹槽內沉積第二光刻膠層,并以第二光刻膠層作為硅襯底的側壁的保護層,以刻蝕復合膜層制備貫穿第二光刻膠...
      • 本發明提供一種TSV結構的制備方法,通過在硅襯底中先形成開口寬度較大的凹槽,而后在凹槽內沉積氧化硅層,之后通過一步刻蝕形成貫穿氧化硅層、復合膜層且顯露金屬布線的TSV孔,使得位于硅襯底中的凹槽的側壁可具有覆蓋良好的氧化硅層,無需進行關于TS...
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