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								      本申請?zhí)岢鲆环N疾病風險信息監(jiān)控方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，涉及醫(yī)療健康及大數(shù)據(jù)技術(shù)領(lǐng)域，其中，方法包括：獲取用戶的體檢指標，體檢指標中包括異常體檢指標；基于體檢指標，在預設(shè)題目集合中選取與異常體檢指標對應的目標題目，其中，預設(shè)題目集合中...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明具體提供了一種在役核電站模擬堆芯裝置及方法，該模擬裝置包括：底板和組件，所述底板上表面安裝有下定位銷，用于定位、安裝組件；所述組件底部開設(shè)有導向孔，能夠與所述下定位銷相適配，所述組件頂部開設(shè)有定位孔和導向孔，分別與裝卸料機抓具的定位銷...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電纜芯拉擠設(shè)備及應用該設(shè)備制作的電纜芯，該拉擠設(shè)備至少包括：第一固化模具，其將經(jīng)浸膠后沿軸向延伸的碳纖維紗線進行預固化，形成電纜芯內(nèi)層；第二固化模具，其將經(jīng)浸膠且導紗后沿軸向延伸的玻纖紗線覆蓋在所述電纜芯內(nèi)層外部，并對內(nèi)、外...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種在鋁線蝕刻機臺蝕刻薄膜電阻的方法，其包括以下步驟：在半導體襯底上依次形成SiON介質(zhì)層、TiN掩膜和SiCr介電層；根據(jù)要形成的柵極圖案對半導體襯底上的各層進行蝕刻；在對硅鉻介電層進行蝕刻時，增加偏置射頻功率源并調(diào)整通入氣體...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了稀土摻雜的鐵氧體磁粉及制備方法、注射鐵氧體及應用，所述鐵氧體磁粉的化學式為Sr1?xLaxFe12?yCoyO19，其...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種接觸器及實現(xiàn)切換電池組串并聯(lián)的裝置，該接觸器包括轉(zhuǎn)換機構(gòu)和驅(qū)動機構(gòu)，轉(zhuǎn)換機構(gòu)設(shè)有具有靜觸頭的靜觸件和具有動觸頭的動觸件，靜觸件和動觸件的總數(shù)量為四個或五個，動觸件的數(shù)量不少于兩個且相互連接，動觸件中的至少一個動觸件配置為至少...
								
        
							
        
							
						
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								      一種封裝結(jié)構(gòu)與其形成方法，封裝結(jié)構(gòu)的形成方法包含以下步驟：形成多個開槽于一導線架的一表面，其中導線架包含多個引腳，且開槽設(shè)置于每一引腳的一側(cè)；設(shè)置一金屬膏體于開槽中；加熱金屬膏體以形成一可焊部于每一開槽中；以及切割導線架的多個切割道以形成一...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種TSV結(jié)構(gòu)的制備方法，通過在硅襯底中先形成開口寬度較大的凹槽，而后在凹槽內(nèi)沉積氧化硅層，之后通過一步刻蝕形成貫穿氧化硅層、復合膜層且顯露金屬布線的TSV孔，使得位于硅襯底中的凹槽的側(cè)壁可具有覆蓋良好的氧化硅層，無需進行關(guān)于TS...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種TSV結(jié)構(gòu)的制備方法，通過第一光刻膠層先對硅襯底進行刻蝕，以在硅襯底中形成開口寬度較大的第一凹槽，在進行去膠和清洗工藝后，在第一凹槽內(nèi)沉積第二光刻膠層，并以第二光刻膠層作為硅襯底的側(cè)壁的保護層，以刻蝕復合膜層制備貫穿第二光刻膠...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供了一種半導體器件及其切割方法、半導體芯片，涉及半導體芯片的技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決半導體芯片的封裝良率低的技術(shù)問題。所述半導體器件包括：襯底，以及位于襯底一側(cè)的多個半導體單元和多個測試結(jié)構(gòu)。多個半導體單元陣列分布，多個測試結(jié)構(gòu)中的至少部...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種半干法電極及其制備方法。本發(fā)明半干法電極制備方法，有別于現(xiàn)有濕法、干法電極制備技術(shù)，本發(fā)明一方面通過粘結(jié)劑與導電劑的混合后霧化分散形成霧化分散后的導電膠液，另一方面將電極材料在氣相介質(zhì)內(nèi)分散成懸浮顆粒，然后將所得的霧化分散后...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N正極極片、二次電池和用電裝置。該正極極片包括正極集流體和設(shè)置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層，所述正極膜層包括正極活性材料和添加劑，所述添加劑包括至少一種式(I)表示的化合物；在所述式(I)中，R1
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種正極極片、正極極片的制備方法、電池和用電設(shè)備。正極極片包括基層和活性層；活性層位于基層上，活性層包括正極活性材料和補鋰劑，補鋰劑補鋰后產(chǎn)物能夠溶解于電解液中。通過上述方式，本申請能夠補充電池體系中不可逆的鋰離子損耗，提高電池...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及燃料電池系統(tǒng)的再啟動方法，包括：記錄停機時間并測量陰極和陽極腔室內(nèi)的氣體溫度和壓力并計算陰極和陽極腔室內(nèi)的空氣和氫氣的剩余量；基于此空氣和氫氣的剩余量確定停機過程后剩余的氣體是空氣還是氫氣以及剩余的氣體量；記錄再啟動時間并計算停機...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及液流電池技術(shù)領(lǐng)域，提供一種混液控制方法、裝置、液流電池系統(tǒng)及存儲介質(zhì)，該混液控制方法應用于與液流電池連接的控制器，液流電池包括正極電解液循環(huán)管路、負極電解液循環(huán)管路、電堆、電解液灌以及將電解液灌隔斷為正極電解液灌和負極電解液灌的隔...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及液流電池技術(shù)領(lǐng)域，提供一種混液控制方法、裝置、液流電池系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。該混液控制方法應用于與液流電池連接的控制器，液流電池包括正極電解液循環(huán)管路、負極電解液循環(huán)管路、電堆、電解液儲灌、以及隔板，電解液儲罐包括正極電解液存儲區(qū)域和負...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及一種電池儲能系統(tǒng)的控制方法、裝置、設(shè)備及電池儲能系統(tǒng)，方法包括：根據(jù)電池儲能系統(tǒng)中多個液流電池模組的第一健康度，從多個液流電池模組中確定待處理液流電池模組；獲取待處理液流電池模組的健康度差異程度值，健康度差異程度值用于表征待處理液...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鈉離子電池、電池包和儲能系統(tǒng)。該鈉離子電池包括正極極片和負極極片，負極極片包括負極集流體和設(shè)于負極集流體至少一側(cè)表面的內(nèi)層材料層和設(shè)于內(nèi)層材料層表面的外層材料層；內(nèi)層材料層和外層材料層中均含有負極活性材料，內(nèi)層材料層的添加劑...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種聚合物凝膠電解質(zhì)及二次電池、用電裝置。所述聚合物凝膠電解質(zhì)包括聚合物骨架以及位于所述聚合物骨架間隙的電解液，所述聚合物骨架包含環(huán)狀基團。所述聚合物凝膠電解質(zhì)的離子電導率以及離子遷移數(shù)較大，能夠使電池內(nèi)部電阻(DCR)較小。
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池，二次電池包括正極極片，正極極片包括正極集流體以及設(shè)置于正極集流體至少一側(cè)的正極膜層，正極膜層包括增柔劑，增柔劑包括丙烯酸酯類聚合物。丙烯酸酯類聚合物中包括大量的酯基，酯基與正極活性材料表面具有良好的相容性，有利于實...
								
        
							
        
							
						
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