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      首頁(yè) 專(zhuān)利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服務(wù) 國(guó)際服務(wù) 商標(biāo)交易 會(huì)員權(quán)益 需求市場(chǎng) 關(guān)于龍圖騰
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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種鍍膜生產(chǎn)線,能夠?qū)崿F(xiàn)PECVD鍍膜設(shè)備與HWCVD鍍膜設(shè)備的連線,提高產(chǎn)能,降低成本。鍍膜生產(chǎn)線,包括:臥式HWCVD設(shè)備,包括第一腔體、熱絲模塊以及第一水平運(yùn)輸機(jī)構(gòu),第一腔體設(shè)有第一鍍膜腔,且第一腔體的前側(cè)部設(shè)有第一進(jìn)口,...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種金銀線用真空鍍錫裝置,包括設(shè)置于真空鍍錫爐內(nèi)部的蓄液筒、線材和一上一下平行設(shè)置的固定板,所述固定板均設(shè)置于蓄液筒的內(nèi)部,固定板之間安裝有豎板,固定板上均設(shè)有多個(gè)凹槽,凹槽的一側(cè)面上均設(shè)有多個(gè)定位槽,線材的兩端均延伸至定位...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)物線性蒸發(fā)的裝置,包括金屬?lài)郑鼋饘賴(lài)謨?nèi)部設(shè)有油浴加熱區(qū),所述油浴加熱區(qū)內(nèi)部設(shè)有多對(duì)進(jìn)油口和出油口以及兩個(gè)隔絕層,每對(duì)所述進(jìn)油口和出油口端部均連接有輸油泵口,所述油浴加熱區(qū)內(nèi)部設(shè)有蒸發(fā)區(qū),所述蒸發(fā)區(qū)內(nèi)部通過(guò)...
      • 一種濺射方法,包括:提供基板;提供目標(biāo)靶材;按照目標(biāo)比例通入多種惰性氣體的混合氣體作為工作氣體,其中,目標(biāo)比例下混合氣體的平均分子量與目標(biāo)靶材的分子量之差小于預(yù)設(shè)值;采用工作氣體轟擊目標(biāo)靶材進(jìn)行濺射,在基板上形成目標(biāo)膜層。本發(fā)明有利于提高目...
      • 等離子體處理方法包括以下工序:工序(a),使用在腔室內(nèi)從包含含碳?xì)怏w的第一處理氣體生成的第一等離子體,來(lái)在腔室的內(nèi)壁以及在腔室內(nèi)用于支承第一基板的基板支承面形成第一膜;工序(b),在形成有第一膜的基板支承面上載置第一基板;以及工序(c),在...
      • 一種高溫耐磨涂層刀具及其制備方法,包括:基體和涂覆于基體上的高溫耐磨涂層,其由內(nèi)向外依次包含:Nb粘結(jié)層;ε?NbN過(guò)渡層;Nb2N/NbNx功能層,其包含交替沉積的Nb2N...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種具備廢料收集結(jié)構(gòu)的自動(dòng)化鋼絲鍍鋅設(shè)備,涉及鋼絲鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域,該設(shè)備包括鍍鋅池,所述鍍鋅池的內(nèi)部對(duì)稱(chēng)轉(zhuǎn)動(dòng)連接有兩組限位輥,所述鍍鋅池的一端安裝有支撐箱,所述支撐箱的一側(cè)固定連接有排料箱,所述排料箱與鍍鋅池固定連接,所述鍍鋅池上...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N基于MPCVD工藝的氧化鎵薄膜及其制備方法,屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。該方法包括采用MPCVD工藝,往反應(yīng)腔內(nèi)通入鎵源、氧源、生長(zhǎng)氣體,在反應(yīng)腔內(nèi)外延得到氧化鎵薄膜。通過(guò)調(diào)節(jié)工藝參數(shù)得到工藝參數(shù)配方,從而使MPCVD工藝可以應(yīng)用于氧化...
      • 本發(fā)明提供了一種形成組分漸變薄膜的釕鈷合金靶材濺射方法,包括以下步驟:將釕鈷成分比例不同的兩種長(zhǎng)條狀靶材依次交替拼接形成釕鈷合金平面濺射靶材;沿所述釕鈷合金平面濺射靶材的寬度方向布置移動(dòng)磁鐵組,且所述移動(dòng)磁鐵組至少允許沿所述寬度方向移動(dòng);控...
      • 本發(fā)明描述氟化釔組合物,包括含有氟化釔的沉積膜,例如涂層;制備氟化釔組合物和含有氟化釔的沉積膜涂層的方法;以及具有在表面處含有氟化釔的沉積膜涂層的襯底和包括所述襯底的方法和設(shè)備。
      • 本發(fā)明屬于光學(xué)元器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種低應(yīng)力高反射率的光學(xué)復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明包括如下步驟:S1、分別稱(chēng)取SiO蒸發(fā)料和Ge蒸發(fā)料放入蒸發(fā)臺(tái)內(nèi),并抽真空;S2、依次在硅片上沉積
      • 本發(fā)明提供了一種基于PLC的氣相沉積爐控制方法、系統(tǒng)及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),屬于氣相沉積領(lǐng)域;解決了現(xiàn)有氣相沉積技術(shù)存在多變量控制精度不足、故障診斷滯后、工藝運(yùn)行繁瑣等技術(shù)問(wèn)題;為解決該技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是:一種基于PLC的氣相沉積爐控制系統(tǒng),...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性鋯酸鋇光電薄膜及其制備方法和應(yīng)用。該柔性鋯酸鋇光電薄膜的制備方法,包括以下步驟:在襯底上制備水溶性鋁酸鍶犧牲層;采用溶膠凝膠法或射頻磁控濺射法在所述水溶性鋁酸鍶犧牲層上沉積鋯酸鋇,得到生長(zhǎng)在犧牲層上的鋯酸鋇薄膜;將生長(zhǎng)在...
      • 本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種梯度氮化層輔助的工程鋼表面超低摩擦碳薄膜制備方法。該方法通過(guò)多步驟協(xié)同工藝實(shí)現(xiàn):首先將工程鋼置于真空室內(nèi),抽真空至預(yù)定值;依次利用電弧技術(shù)沉積金屬過(guò)渡層與氮化物承載層;隨后通過(guò)磁控濺射制備氮化硅粘結(jié)層;...
      • 本發(fā)明涉及PVD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種平面靶濺射鍍膜機(jī)制備銀灰色工藝方法,包括如下步驟:將基材放置于真空室,通入氬氣,利用離子束對(duì)基材表面進(jìn)行轟擊;開(kāi)啟Cr靶,調(diào)整Cr靶電流與偏壓,在基材表面形成打底層;通入氮?dú)猓_(kāi)啟Si靶,在打底層表面...
      • 一種用于通過(guò)熱蒸氣冷凝形成石墨相氮化碳(g?CN)膜的方法,所述方法包括以下步驟:a)在容器中提供固相硫脲前體和固相三聚氰胺前體;b)用第一基底覆蓋所述容器;以及c)在空氣環(huán)境中從所述固相硫脲前體和所述固相三聚氰胺前體熱產(chǎn)生氣相硫脲源和氣相...
      • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合硬質(zhì)合金涂層及其制備方法和應(yīng)用,屬于硬質(zhì)合金涂層技術(shù)領(lǐng)域,其中,該復(fù)合硬質(zhì)合金涂層,包括依次沉積于硬質(zhì)合金基材表面的TiAlSiN打底層、梯度過(guò)渡層和功能層;功能層包括元素Me或元素Me的氮化物;梯度過(guò)渡層包括TiAlS...
      • 一種耐熱沖擊氧化鋁涂層的制備方法,包括以下步驟:將經(jīng)過(guò)氣體離子源轟擊清洗后的無(wú)氧銅基體送入第一鍍膜工藝腔室內(nèi),采用雙靶材通過(guò)脈沖直流磁控濺射方式進(jìn)行同步濺射,以在無(wú)氧銅基體表面形成從純鎳層過(guò)渡到純鉻層的鎳、鉻復(fù)合梯度過(guò)渡層;將表面沉積鎳、鉻...
      • 本公開(kāi)提出一種雙屏障自潤(rùn)滑防結(jié)焦復(fù)合涂層及其制備方法,屬于鍋爐防結(jié)焦涂層技術(shù)領(lǐng)域。復(fù)合涂層包括:底層和面層,所述底層為多孔結(jié)構(gòu),且所述底層采用合金材料形成;所述面層包括位于所述底層上的包覆層和嵌設(shè)于所述底層多孔結(jié)構(gòu)中的內(nèi)嵌層,所述面層采用微...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種緩沖層輔助的超平二維碲烯相的制備方法,包括以下步驟:以金(100)單晶為基底;通過(guò)調(diào)節(jié)克努森擴(kuò)散爐的設(shè)定溫度,研究在對(duì)應(yīng)溫度下碲在室溫的基底上的沉積量,從而確定克努森擴(kuò)散爐的設(shè)定溫度和碲的蒸發(fā)量的關(guān)系;研究在特定克努森擴(kuò)散爐...
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