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五金工具產品及配附件制造技術

一種熱扎帶鋼連續熱鍍鋅設備及其熱鍍鋅方法

本發明涉及熱鍍鋅技術領域，具體的說是一種熱扎帶鋼連續熱鍍鋅設備及其熱鍍鋅方法；包括機架、傳輸輥和鍍鋅機構；傳輸輥位于帶鋼上下兩側，傳輸輥使得帶鋼彎曲后呈匚形傳輸；鍍鋅機構位于分別位于帶鋼彎曲前和彎曲后的上方，對帶鋼進行熱鍍鋅處理；本發明的熱...

2025-09-10
一種等離子噴涂Mo/Y₂O₃復合涂層激光強化的方法

一種等離子噴涂Mo/Y₂O₃復合涂層激光強化的方法，包括以下步驟：(1)：將高純石墨棒料加工成模具坩堝；(2)：將完成工序(1)的模具坩堝放入超高溫真空電阻爐進行除氣；(3)：將完成工序(2)的待...

2025-09-10
一種焊帶的反向鍍錫裝置及反向鍍錫方法

本發明公開了一種焊帶的反向鍍錫裝置及反向鍍錫方法，該裝置包括異形錫爐、助焊劑筒和冷卻組件，異形錫爐的縱截面為“凹”字形，異形錫爐包含右腔體和左腔體，右腔體底部和左腔體底部連通，右腔體上有進出氣口，右腔體上表面有進線口，右腔體下表面有與進線口...

2025-09-10
一種光學鍍膜彩色網布及其制備方法

本發明涉及一種用于網布光學鍍膜制備方法，包括如下步驟：準備待加工的網布基材；依據鞋材實際生產所需將準好的網布基材裁剪出所需的形狀；將裁剪好的網布基材放置于鍍膜設備的真空腔室內，再將特定的鍍膜原材料放置在蒸發源中，進行光學鍍膜，在網布基材的表...

2025-09-10
一種用于改善硅電容深槽底部介質層尖角的深槽刻蝕方法

本發明提供一種用于改善硅電容深槽底部介質層尖角的深槽刻蝕方法，包括如下步驟：采用近室溫高密度等離子體刻蝕法對硅襯底進行錐形深槽刻蝕，具體工藝參數如下：源功率為400?800W，偏置功率為20?40W，蝕刻期間的SF₆/...

2025-09-10
薄壁方管的熱鍍鋅裝置

本發明提供了一種薄壁方管的熱鍍鋅裝置，鋅鍋內分別設置入料組件和旋轉輪，入料組件用于限定鋼管的位移軌跡，旋轉輪用于帶動鋼管運動，且鋅鍋內填設鍍料，撥出組件用于將鋼管由鋅鍋導出，入料組件包括第一入料框，第一入料框上設有用于鋼管導向的第一導向槽，...

2025-09-10
一種高純鈷濺射靶材的制備方法、高純鈷濺射靶材及應用

本發明涉及濺射靶材技術領域，具體涉及一種高純鈷濺射靶材的制備方法、高純鈷濺射靶材及應用。所述方法包括以下步驟：(1)基體預處理：選擇靶材基體，對基體表面進行加工處理，控制基體表面粗糙度在0.1μm以下；(2)高純鈷沉積：采用化學氣相沉積法將...

2025-09-10
一種寬溫域耐磨自潤滑復合涂層制備工藝

本發明提供了一種寬溫域耐磨自潤滑復合涂層制備工藝，采用雙陶瓷層結構體系，整體提升涂層與基體、涂層間的匹配性并提升涂層抗氧化及熱循環性能，減少了涂層使用過程中的剝落；即在金屬基體表面采用超音速噴涂鎳鉻/碳化鉻作為耐磨涂層底層，采用超音速火焰噴...

2025-09-10
一種實時監測樣品溫度的壓環裝置

本實用新型涉及一種實時監測樣品溫度的壓環裝置，包括承載臺，承載臺上端設有用于夾持基片的環向夾持結構，所述承載臺為中空柱狀結構，內部具有上下貫通的空腔，承載臺的內部設有用于實時監測基片溫度的熱成像攝像頭，所述熱成像攝像頭配置有外接主機，所述熱...

2025-09-10
鍍膜設備及鍍膜方法

本申請涉及一種鍍膜設備及鍍膜方法。鍍膜設備包括真空鍍膜室、工件架、靶組機構以及驅動調節機構，真空鍍膜室；工件架設置于真空鍍膜室內；多個靶組機構環繞工件架設置于真空鍍膜室內，靶組機構用于向待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒；驅動調節機構設置于靶...

2025-09-10
一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管

本發明公開了一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管，包括電磁產生裝置、端部冷卻組合管，外周冷卻組合管；外周冷卻組合管整體呈圓環形的中空管狀結構；其包含有螺旋纏繞的多個獨立的冷卻分管；冷卻分管改變制冷劑的流動軌跡，產生二次流增加制冷劑的湍流程度，使...

2025-09-10
一種多級孿生靶粉體外循環連續輸送鍍膜設備

本發明涉及粉體鍍膜技術領域，具體涉及一種多級孿生靶粉體外循環連續輸送鍍膜設備，包括支撐架、鍍膜裝置、進料裝置、循環裝置和收集裝置，所述支撐架上安裝有鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用于通過孿生等離子對靶實現粉體的薄膜沉積實現對粉體的鍍膜；所述進料裝置...

2025-09-10
一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機

本發明公開了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機，應用于金屬薄膜真空鍍膜技術領域，其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板，殼體一的內部設置有蒸發車，殼體二的內部設置有卷繞車，蒸發車和卷繞車均與滑移板為滑動連接，蒸發車上設置有蒸發組件；蒸發組件...

2025-09-10
由氯硅烷和氨基硅烷反應沉積的低溫含硅膜

一種通過原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟：a)將至少一個襯底提供到反應器中和將反應器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個溫度，并任選地將反應器保持在約100托或更低的壓力下；b)將形成含硅...

2025-09-10
應用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝

本實用新型公開了一種應用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝，包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內設置有安裝腔，堝體設置于安裝腔內，堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設置于安裝腔內，加熱組件包括發熱元件，發熱元件環繞在堝體的外部，發熱元件沿堝體的軸線方向往復彎...

2025-09-10
用于在襯底上和基座周圍提供均勻工藝氣體流的擋板

一種襯底處理室包括井、設置在井中的基座以及設置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側壁限定。井包括靠近井的底部的多個排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側壁和在側壁上的多組開孔。擋板被配置為引導供應到襯底處理室的氣體的...

2025-09-10
基于二維量子隧穿力敏機制的柔性壓力傳感器及制備方法

本發明公開了一種基于二維量子隧穿力敏機制的柔性壓力傳感器，由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成；所述頂部電極為共形碳納米薄膜，所述中間介電層為六方氮化硼（HBN），所述底部電極為單層石墨烯；所述共形碳納米薄膜由具有微結構的石墨烯...

2025-09-10
用于控制多層級外延工藝中的層間厚度的方法

一種用于基板處理的方法，包括：使一種或多種工藝反應性氣體流入處理腔室的上容積中；使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中；測量該處理腔室的該下容積的內表面的溫度；以及基于測量的溫度來調整該處理腔室的該下容積的該內表面的溫度。

2025-09-10
利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜

本申請公開了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜，在沉積過程中，所述襯底連接電壓源，通過所述電壓源施加偏壓△E，以調控氧化物薄膜中的有效氧分壓，△E不為0。由此，在采用PL...

2025-09-10
一種爐鼻子裙邊內部吹渣裝置及其使用方法

本發明公開了一種爐鼻子裙邊內部吹渣裝置及其使用方法，包括外接進氣口、裙邊外部的吹渣管、裙邊本體，鋁鍋本體和鋁鍋工作液面；鋁鍋本體為基礎容器，盛裝高溫鋁液，是帶鋼熱浸鍍鋁的核心區域，呈池狀開口向上；裙邊本體屬于爐鼻子設備的組成部分，位于在鋁鍋...

2025-09-10

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