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                  		五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明涉及熱鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種熱扎帶鋼連續(xù)熱鍍鋅設(shè)備及其熱鍍鋅方法；包括機(jī)架、傳輸輥和鍍鋅機(jī)構(gòu)；傳輸輥位于帶鋼上下兩側(cè)，傳輸輥使得帶鋼彎曲后呈匚形傳輸；鍍鋅機(jī)構(gòu)位于分別位于帶鋼彎曲前和彎曲后的上方，對帶鋼進(jìn)行熱鍍鋅處理；本發(fā)明的熱...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種焊帶的反向鍍錫裝置及反向鍍錫方法，該裝置包括異形錫爐、助焊劑筒和冷卻組件，異形錫爐的縱截面為“凹”字形，異形錫爐包含右腔體和左腔體，右腔體底部和左腔體底部連通，右腔體上有進(jìn)出氣口，右腔體上表面有進(jìn)線口，右腔體下表面有與進(jìn)線口...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于網(wǎng)布光學(xué)鍍膜制備方法，包括如下步驟：準(zhǔn)備待加工的網(wǎng)布基材；依據(jù)鞋材實(shí)際生產(chǎn)所需將準(zhǔn)好的網(wǎng)布基材裁剪出所需的形狀；將裁剪好的網(wǎng)布基材放置于鍍膜設(shè)備的真空腔室內(nèi)，再將特定的鍍膜原材料放置在蒸發(fā)源中，進(jìn)行光學(xué)鍍膜，在網(wǎng)布基材的表...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種用于改善硅電容深槽底部介質(zhì)層尖角的深槽刻蝕方法，包括如下步驟：采用近室溫高密度等離子體刻蝕法對硅襯底進(jìn)行錐形深槽刻蝕，具體工藝參數(shù)如下：源功率為400?800W，偏置功率為20?40W，蝕刻期間的SF6/...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及濺射靶材技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高純鈷濺射靶材的制備方法、高純鈷濺射靶材及應(yīng)用。所述方法包括以下步驟：(1)基體預(yù)處理：選擇靶材基體，對基體表面進(jìn)行加工處理，控制基體表面粗糙度在0.1μm以下；(2)高純鈷沉積：采用化學(xué)氣相沉積法將...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種薄壁方管的熱鍍鋅裝置，鋅鍋內(nèi)分別設(shè)置入料組件和旋轉(zhuǎn)輪，入料組件用于限定鋼管的位移軌跡，旋轉(zhuǎn)輪用于帶動鋼管運(yùn)動，且鋅鍋內(nèi)填設(shè)鍍料，撥出組件用于將鋼管由鋅鍋導(dǎo)出，入料組件包括第一入料框，第一入料框上設(shè)有用于鋼管導(dǎo)向的第一導(dǎo)向槽，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種寬溫域耐磨自潤滑復(fù)合涂層制備工藝，采用雙陶瓷層結(jié)構(gòu)體系，整體提升涂層與基體、涂層間的匹配性并提升涂層抗氧化及熱循環(huán)性能，減少了涂層使用過程中的剝落；即在金屬基體表面采用超音速噴涂鎳鉻/碳化鉻作為耐磨涂層底層，采用超音速火焰噴...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型涉及一種實(shí)時(shí)監(jiān)測樣品溫度的壓環(huán)裝置，包括承載臺，承載臺上端設(shè)有用于夾持基片的環(huán)向夾持結(jié)構(gòu)，所述承載臺為中空柱狀結(jié)構(gòu)，內(nèi)部具有上下貫通的空腔，承載臺的內(nèi)部設(shè)有用于實(shí)時(shí)監(jiān)測基片溫度的熱成像攝像頭，所述熱成像攝像頭配置有外接主機(jī)，所述熱...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種爐鼻子裙邊內(nèi)部吹渣裝置及其使用方法，包括外接進(jìn)氣口、裙邊外部的吹渣管、裙邊本體，鋁鍋本體和鋁鍋工作液面；鋁鍋本體為基礎(chǔ)容器，盛裝高溫鋁液，是帶鋼熱浸鍍鋁的核心區(qū)域，呈池狀開口向上；裙邊本體屬于爐鼻子設(shè)備的組成部分，位于在鋁鍋...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及不銹鋼氣動缸技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種耐磨損腐蝕的氣動缸用不銹鋼及其制備方法，首先對不銹鋼基體預(yù)處理，提升不銹鋼基體表面與涂層間的結(jié)合性能，接著在基體表面沉積防止基體中的鐵擴(kuò)散的過渡層后，依次沉積增韌的鎳鈷合金層、高硬度的超晶格涂層...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種鍍膜設(shè)備及鍍膜方法。鍍膜設(shè)備包括真空鍍膜室、工件架、靶組機(jī)構(gòu)以及驅(qū)動調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，真空鍍膜室；工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi)；多個(gè)靶組機(jī)構(gòu)環(huán)繞工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi)，靶組機(jī)構(gòu)用于向待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒；驅(qū)動調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)設(shè)置于靶...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管，包括電磁產(chǎn)生裝置、端部冷卻組合管，外周冷卻組合管；外周冷卻組合管整體呈圓環(huán)形的中空管狀結(jié)構(gòu)；其包含有螺旋纏繞的多個(gè)獨(dú)立的冷卻分管；冷卻分管改變制冷劑的流動軌跡，產(chǎn)生二次流增加制冷劑的湍流程度，使...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及粉體鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多級孿生靶粉體外循環(huán)連續(xù)輸送鍍膜設(shè)備，包括支撐架、鍍膜裝置、進(jìn)料裝置、循環(huán)裝置和收集裝置，所述支撐架上安裝有鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用于通過孿生等離子對靶實(shí)現(xiàn)粉體的薄膜沉積實(shí)現(xiàn)對粉體的鍍膜；所述進(jìn)料裝置...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機(jī)，應(yīng)用于金屬薄膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板，殼體一的內(nèi)部設(shè)置有蒸發(fā)車，殼體二的內(nèi)部設(shè)置有卷繞車，蒸發(fā)車和卷繞車均與滑移板為滑動連接，蒸發(fā)車上設(shè)置有蒸發(fā)組件；蒸發(fā)組件...
								
        
							
        
							
						
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								      一種通過原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟：a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度，并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下；b)將形成含硅...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝，包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內(nèi)設(shè)置有安裝腔，堝體設(shè)置于安裝腔內(nèi)，堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設(shè)置于安裝腔內(nèi)，加熱組件包括發(fā)熱元件，發(fā)熱元件環(huán)繞在堝體的外部，發(fā)熱元件沿堝體的軸線方向往復(fù)彎...
								
        
							
        
							
						
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								      一種襯底處理室包括井、設(shè)置在井中的基座以及設(shè)置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側(cè)壁限定。井包括靠近井的底部的多個(gè)排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側(cè)壁和在側(cè)壁上的多組開孔。擋板被配置為引導(dǎo)供應(yīng)到襯底處理室的氣體的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于二維量子隧穿力敏機(jī)制的柔性壓力傳感器，由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成；所述頂部電極為共形碳納米薄膜，所述中間介電層為六方氮化硼（HBN），所述底部電極為單層石墨烯；所述共形碳納米薄膜由具有微結(jié)構(gòu)的石墨烯...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于基板處理的方法，包括：使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中；使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中；測量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度；以及基于測量的溫度來調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術(shù)制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜，在沉積過程中，所述襯底連接電壓源，通過所述電壓源施加偏壓△E，以調(diào)控氧化物薄膜中的有效氧分壓，△E不為0。由此，在采用PL...
								
        
							
        
							
						
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