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                  		五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本實(shí)用新型涉及一種電弧離子鍍膜裝置，屬于電弧離子鍍膜領(lǐng)域，包括底座以及固定連接于底座上表面的鍍膜室，所述底座的上表面設(shè)有用于輔助鍍膜的輔助結(jié)構(gòu)，所述輔助結(jié)構(gòu)包括開設(shè)于底座上表面的安裝槽、固定連接于安裝槽內(nèi)底壁的伺服電機(jī)、固定連接于伺服電機(jī)輸...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鎢硅合金靶材的鍍鎳方法，所述鍍鎳方法包括以下步驟：(1)將鎢硅合金靶材依次進(jìn)行第一清洗處理、活化處理、第一浸泡熱處理和第二浸泡熱處理，得到預(yù)處理后的靶材；(2)將步驟(1)得到的所述預(yù)處理后的靶材浸泡在鍍鎳液中進(jìn)行鍍鎳處理，然...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種酸性水性組合物，其不含或基本上不含氟陰離子和鎳陽離子兩者，并且至少包含彼此不同的組分a1)至a5)，即作為a1)的磷酸根陰離子、作為a2)的硝酸根陰離子、作為a3)的鋅陽離子、作為a4)的銅陽離子以及作為a5)的鎂陽離子；一種...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型涉及化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高磷化學(xué)鎳制備裝置，包括：混合桶以及攪拌機(jī)構(gòu)，所述混合桶上端設(shè)置有進(jìn)料口且下端設(shè)置有下料管，所述攪拌機(jī)構(gòu)包括攪拌電機(jī)以及攪拌軸組件，所述攪拌軸組件包括攪拌軸以及攪拌葉片和清潔刮板，所述清潔刮板遠(yuǎn)離...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種在將鎢膜作為微細(xì)結(jié)晶膜的同時(shí)，還能根據(jù)膜厚調(diào)整膜應(yīng)力的硬掩模的制造方法。其包括：以鎢材質(zhì)的靶材作為靶，在真空氣氛的處理室內(nèi)導(dǎo)入稀有氣體和氮?dú)猓ㄟ^反應(yīng)性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序；以及，以鎢材質(zhì)的靶...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種用于熱鍍鋅機(jī)組沉沒輥的位置調(diào)整裝置，本裝置的支撐底座跨設(shè)于熱鍍鋅機(jī)組的氣刀底座上，升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括由電機(jī)驅(qū)動(dòng)的升降機(jī)，升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)于支撐底座，升降導(dǎo)柱設(shè)于升降機(jī)，橫移底座設(shè)于升降導(dǎo)柱，橫移底座內(nèi)設(shè)有套筒，橫移導(dǎo)柱設(shè)于套...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種外置磁場(chǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)及磁控濺射設(shè)備，外置磁場(chǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括固定組件、轉(zhuǎn)動(dòng)組件和磁性件，固定組件用于連接磁控濺射設(shè)備的陰極，并設(shè)置在陰極的外部，轉(zhuǎn)動(dòng)組件與固定組件連接，可相對(duì)于固定組件轉(zhuǎn)動(dòng)，磁性件設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)組件上，與轉(zhuǎn)動(dòng)組件共同相對(duì)...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型涉及真空鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種可對(duì)活塞環(huán)均勻鍍膜的真空鍍膜機(jī)，底板的底部設(shè)置有固定塊，底板的頂部設(shè)置有真空鍍膜機(jī)構(gòu)，真空鍍膜機(jī)構(gòu)的內(nèi)部設(shè)置有均勻轉(zhuǎn)動(dòng)固定機(jī)構(gòu)，固定塊的底部設(shè)置有支撐底板，均勻轉(zhuǎn)動(dòng)固定機(jī)構(gòu)包括均勻轉(zhuǎn)動(dòng)組件與固定...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型提供一種用于優(yōu)化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，涉及超導(dǎo)量子計(jì)算技術(shù)領(lǐng)域。一種用于優(yōu)化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，包括真空腔室、控制電腦、遙控手柄和樣品臺(tái)，所述真空腔室的內(nèi)部固定連接有電子束蒸發(fā)設(shè)備、速率晶振和膜厚晶振，所述樣品臺(tái)和真...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種新型離子注入功能的鍍膜機(jī)，涉及鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括鍍膜機(jī)主體，所述鍍膜機(jī)主體左側(cè)和右側(cè)均固定連接有噴射座，所述噴射座遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)主體的一側(cè)固定連接有進(jìn)料管，所述噴射座上方設(shè)置有固定塊，所述固定塊頂部固定連接有電動(dòng)...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型提供了一種氣相沉積設(shè)備及半導(dǎo)體加工系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，氣相沉積設(shè)備包括基座、中心遮擋部、至少一遮蔽環(huán)和驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，基座用于承載襯底，中心遮擋部設(shè)置于基座的上方，用于遮擋襯底的中部，遮蔽環(huán)用于嵌套于中心遮擋部的邊緣，與中心遮...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于真空鍍膜在線檢測(cè)電機(jī)控厚裝置包括位于外殼內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)板和多個(gè)并排設(shè)置的控厚組件，所述控厚組件包括依次連接的直線電機(jī)、連桿、連接塊和補(bǔ)正板，所述驅(qū)動(dòng)板通過直線電機(jī)控制補(bǔ)正板接近或者遠(yuǎn)離離子膜發(fā)射柱，所述連桿穿過外殼的前面板，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種噴淋板、一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備以及一種半導(dǎo)體器件的加工方法。所述噴淋板包括：頂板，設(shè)于所述噴淋板的頂部，其中心區(qū)域設(shè)有第一進(jìn)氣口，用于獲取反應(yīng)氣體；噴淋頭，設(shè)于所述噴淋板的底部，配合所述頂板形成混氣腔，并經(jīng)由設(shè)于所述噴淋頭...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種兼容于集成電路后道工藝的石墨烯薄膜的制備方法，其包括如下步驟：S1，提供厚度為10nm?50nm的金屬薄膜襯底，該金屬薄膜襯底選自銅，鈷，釕或鎳薄膜襯底中的一種；S2，在活性碳原子濃度增強(qiáng)場(chǎng)中，350℃?400℃下，通入碳源氣...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型公開了一種碳化硅基板定位裝置，包括底座，所述底座的一側(cè)設(shè)置有定位結(jié)構(gòu),底座的上端面安裝有至少一個(gè)支撐座，支撐座上安裝有定位座，定位座向底座上設(shè)置有定位結(jié)構(gòu)的一側(cè)伸出，定位座上設(shè)置有定位缺口。使用時(shí)，通過底座上的定位結(jié)構(gòu)對(duì)碳化硅基板...
								
        
							
        
							
						
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								      本實(shí)用新型提供了一種可調(diào)控氣流的鍍膜裝置，所述鍍膜裝置包括若干個(gè)泵組件、鍍膜室和連接所述泵組件與鍍膜室的連接件；所述連接件上設(shè)置有氣流比例閥，所述氣流比例閥用于控制氣路的流量；所述氣流比例閥包括閥體、閥芯和磁流體；所述閥體的上方設(shè)置有磁流體...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種軟硬相間耐磨強(qiáng)化層的制備方法，涉及表面處理領(lǐng)域，包括：步驟一、基體預(yù)處理；步驟二、稀土鹽浴氮化處理：首先制備三氧化二鉍納米晶須、稀土β?二酮配合物與雙（三氟甲烷磺酰）亞胺三丁基甲基季鏻鹽的分散膠體，依次加入氮源、碳酸鈉、硫代硫...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中公開了多弧及磁控復(fù)合濺射陰極，包括安裝架、升降裝置、陰極磁板和靶面板；所述升降裝置包括安裝板、聯(lián)軸器、升降軸和升降頭；所述安裝板設(shè)置在所述安裝架的底部；所述聯(lián)軸器設(shè)置在所述安裝板的底部；所述升降軸與所述聯(lián)軸器傳...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請(qǐng)公開軋輥，所述軋輥包括形成于所述軋輥表面的鋼鐵材料表面氧化膜，其中所述鋼鐵材料表面氧化膜通過以下方法制成：在需要形成Fe3O4氧化膜的鋼鐵材料的表面涂覆活化液，以在鋼鐵材料的表面形成一層活化...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種ALD鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法，涉及ALD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔體、至少一個(gè)檢測(cè)腔體、至少兩個(gè)第一進(jìn)料源、切換裝置、第二進(jìn)料源；將一個(gè)第一進(jìn)料源僅與反應(yīng)腔體導(dǎo)通，并與第二進(jìn)料源交替進(jìn)料，剩余的第一進(jìn)料源僅與檢測(cè)腔體導(dǎo)通，同...
								
        
							
        
							
						
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