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阻抗匹配電路、等離子體處理供應(yīng)系統(tǒng)以及等離子體處理系統(tǒng)

本發(fā)明涉及用于等離子體處理供應(yīng)系統(tǒng)和等離子體處理系統(tǒng)的阻抗匹配電路(1)，該阻抗匹配電路被設(shè)計用于≥500W的功率和在2MHz至100MHz的范圍內(nèi)的頻率，其包括：a)匹配單元(2， 2a至2f)，該匹配單元具有一個或更多個電抗(C4...

2025-10-20
具有改善的平整度和電導(dǎo)率的摻雜多晶碳化硅晶片及其制造方法

本發(fā)明涉及一種晶片，該晶片由具有擇優(yōu)晶體取向的多晶SiC制成，該晶片的特征在于在其面的每個面均滿足：(i)其織構(gòu)系數(shù)C422小于40％，且(ii)其織構(gòu)系數(shù)C220+C200+C400大于50％，優(yōu)選大于80％。該晶片可以通過CVD...

2025-10-20
形成氮化鎵膜的方法

根據(jù)本公開的實(shí)施例的形成氮化鎵(GaN)膜的方法為一種在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的方法，并且可以包括在基板上形成氮化鎵(GaN)膜的步驟、將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氧(O2)的等離子體的步驟以及將氮化鎵(GaN)膜暴露于包含氫(H...

2025-10-20
基板處理裝置及基板處理方法

本發(fā)明提供一種對主面形成有抗蝕膜的基板進(jìn)行處理的方法。本方法包含：噴嘴配置工序，將復(fù)數(shù)流體噴嘴朝向基板的主面配置；供給工序，向復(fù)數(shù)流體噴嘴供給水蒸氣、臭氧氣體及硫酸；及混合流體供給工序，從復(fù)數(shù)流體噴嘴向上述基板的主面供給水蒸氣、臭氧氣...

2025-10-20
帶樹脂層的半導(dǎo)體芯片的制造方法及基板層疊體的制造方法

一種帶樹脂層的半導(dǎo)體芯片(20A)的制造方法，其包括：準(zhǔn)備包含半導(dǎo)體基板(21)和層疊于半導(dǎo)體基板上的樹脂層(23)的層疊體(20)的工序；將層疊體以樹脂層露出的方式與切割帶(42)貼合的工序；在層疊體的樹脂層上形成保護(hù)層(33)的工序；...

2025-10-20
基板處理裝置以及基板處理方法

該基板處理裝置及基板處理方法一邊向旋轉(zhuǎn)的基板(W)的上表面供給處理液，一邊利用照相機(jī)(84)拍攝基板(W)的周緣部。由此，能夠拍攝基板(W)的周緣部的處理的狀態(tài)。照相機(jī)(84)配置于腔室(30)的外部。因此，能夠抑制在腔室(30)內(nèi)的...

2025-10-20
基板處理方法、基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體制造裝置

提供一種基板處理方法、基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體制造裝置，能夠通過抑制或者減少發(fā)生膜缺陷而在短時間內(nèi)高效地將致密性以及保護(hù)性能優(yōu)異的自組裝單分子膜成膜于基板的表面。本發(fā)明的基板處理方法包含：分散液生成工序S101，生成...

2025-10-20
電路基板的制造方法、電路基板以及電源模塊

一種電路基板的制造方法，其包括：制備多個復(fù)合體的工序，其中，復(fù)合體具備氮化硅板、銅板以及粘結(jié)氮化硅板和銅板的釬焊層；以及在一對復(fù)合體之間配置間隔物以制備層壓體的工序；以及將層壓體在370～420℃的溫度范圍內(nèi)加熱3.5小時以上，以對...

2025-10-20
等離子體處理系統(tǒng)和環(huán)狀構(gòu)件的高度的估計方法

一種等離子體處理系統(tǒng)，具備：等離子體處理裝置；減壓搬送裝置，其與所述等離子體處理裝置連接，并且具有搬送基板的搬送機(jī)器人；以及控制裝置，其中，所述等離子體處理裝置具有：處理容器，其構(gòu)成為能夠減壓；基板支承臺，其設(shè)置于所述處理容器...

2025-10-20
差分基板背側(cè)冷卻

一種靜電吸盤(ESC)，所述靜電吸盤具有陶瓷主體，所述陶瓷主體包括嵌入電極并且具有第一直徑。三個或更多個區(qū)域被限定在表面上并同心地布置在所述表面上，每個區(qū)域包括布置在所述表面上并限定所述區(qū)域的外邊緣的保持環(huán)以及布置在所述表面上并在所述...

2025-10-20
光子集成電路封裝及其制造方法

公開了光子集成電路封裝和制造方法。示例集成電路封裝包括：半導(dǎo)體管芯；封裝襯底，其支撐所述半導(dǎo)體管芯，所述封裝襯底包括玻璃芯，所述玻璃芯包括在所述玻璃芯的相對的第一表面與第二表面之間延伸的貫穿玻璃過孔，所述玻璃芯包括與所述貫穿玻璃過孔...

2025-10-20
半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有電路基板，該電路基板具有朝向第一側(cè)的第一面以及朝向第一側(cè)的相反側(cè)的第二側(cè)的第二面。具有安裝于第一面的芯片。具有經(jīng)由第一接合層而與第二面接合的導(dǎo)熱部件。具有經(jīng)由第二接合層而與導(dǎo)熱部件的朝向第二側(cè)的面接合的散熱部件。第...

2025-10-20
功率模塊、逆變器以及機(jī)電裝置

本發(fā)明公開了功率模塊、逆變器以及機(jī)電裝置。所述功率模塊包括：具有電路層的基板，其具有彼此相對的第一側(cè)和第二側(cè)，以及位于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)之間且包含石墨烯聚合物合金材料的至少一個中間層；半導(dǎo)體器件，其設(shè)置在所述第一側(cè)并與所述電路層形...

2025-10-20
蓄電元件用正極、蓄電元件和蓄電裝置

本發(fā)明的一個方面所涉及的蓄電元件用正極具有含有正極活性物質(zhì)和導(dǎo)電助劑的正極活性物質(zhì)層，上述導(dǎo)電助劑包含碳納米管，上述正極活性物質(zhì)層中的上述導(dǎo)電助劑的含量為3.0質(zhì)量％以下，上述正極活性物質(zhì)層的BET比表面積為1.00m2/g～3.00...

2025-10-20
柱形二次電池和電子裝置

本申請?zhí)峁┝艘环N柱形二次電池和電子裝置，包括電極組件，所述電極組件包括負(fù)極極片，所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體和位于所述負(fù)極集流體至少一個表面上的負(fù)極材料層，基于所述電極組件的體積，所述負(fù)極集流體的體積占比為D％，所述負(fù)極材料層的體...

2025-10-20
鋰二次電池

本發(fā)明提供一種鋰二次電池，其包括正極、負(fù)極、置于正極和負(fù)極之間的隔膜、以及非水電解質(zhì)，其中正極包括正極活性材料和第一添加劑，非水電解質(zhì)包括鋰鹽、有機(jī)溶劑和第二添加劑，第一添加劑包括選自由式1?1和式1?2表示的化合物組成的組中的至少...

2025-10-20
堿性干電池

公開的堿性干電池(10)包括：有底圓筒形的電池殼體(1)；負(fù)極端子板(7)和墊片(5)；以及收納于電池殼體(1)的正極(2)、負(fù)極(3)、分隔件(4)、電解液和樹脂片(11)。正極(2)具有圓筒狀的形狀，具有負(fù)極端子板側(cè)的第一端面(2a)...

2025-10-20
分隔件的制造方法

根據(jù)本公開的一個方面的分隔件的制造方法是一種包括用于產(chǎn)生電能的氣體的流路和頂部設(shè)置有襯墊的凸圈的分隔件的制造方法，該方法包括：通過實(shí)施壓模成型在平板狀基材中形成與流路對應(yīng)的第一凸部的工序，在形成有第一凸部的基材的表面上形成表層的工序， ...

2025-10-20
具有催化燃燒器的能量產(chǎn)生系統(tǒng)

一種能量產(chǎn)生系統(tǒng)(1)包括：用于產(chǎn)生熱能的催化燃燒器(40)；隔熱容器(32)，其中所述隔熱容器(32)包圍所述催化燃燒器(40)；和燃料電池，其中來自所述燃料電池的廢熱可以提供給所述催化燃燒器(40)和/或所述隔熱容器(32)；其中所...

2025-10-20
用于為使用氫燃料電池單元的混合動力電動車輛的電動馬達(dá)供電的系統(tǒng)

本發(fā)明涉及一種用于為混合動力電動車輛的電動馬達(dá)(82)供應(yīng)電力的系統(tǒng)(100)，該電力供應(yīng)系統(tǒng)(100)包括氫燃料電池單元(26)、能夠向氫燃料電池單元(26)供應(yīng)的氫罐(160)、以及在氫燃料電池單元(26)的輸出端處的升壓器(740)...

2025-10-20

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