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								      本申請特別涉及一種適用于高并行計算的SRAM存內計算電路、方法及存儲器，包括：第一反相器的輸入端分別與第一晶體管的源極、第二晶體管的源極和第二反相器的輸出端相連；第一反相器的輸出端分別與第三晶體管的源極、第四晶體管的源極和第二反相器的輸入端...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開實施例提供的占空比校正電路校準方法、系統和存儲器，包括：獲取DLL電路輸出的內部時鐘信號以及DCC電路輸出的反饋時鐘信號，并根據內部時鐘信號和反饋時鐘信號，確定占空比差值信號；獲取目標采樣時刻DCC電路的第一實際溫度信息和第一實際電壓...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種能降低存儲稀疏度較高的數據時的寫入功耗并能兼顧存儲穩定性和存儲密度的靜態存儲器單元及存儲器架構。所述靜態存儲器單元包括：輸出端電連接至第一存儲節點，輸入端電連接至第二存儲節點，電源端電連接至第一電源的反相器電路；柵極電連接至所...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種23T4M的抗輻射TCAM存儲單元電路，包括預充電模塊、RH讀取電路模塊、可編程邏輯模塊、可重構磁隧道結存儲模塊、放電模塊和輸出模塊；在RH讀取電路模塊中，晶體管N7的柵極連接晶體管N8的漏極，晶體管N8的柵極連接晶體管N7...
								
        
							
        
							
						
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								      一種半導體器件包括可變電阻存儲器單元陣列、電連接到可變電阻存儲器單元陣列的感測放大器和電連接到感測放大器的鉗位電壓生成電路。感測放大器包括放大感測節點處的電壓的放大單元、具有柵極端子被電連接的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的第一鉗位...
								
        
							
        
							
						
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								      磁隨機存取存儲器(MRAM)利用電子的自旋進行信息存儲，不需要待機耗能，是當前取代SRAM與DRAM進行大規模應用的存儲器的最有力的候選。MRAM的存儲單元本身具有抗輻照性，然而其需要CMOS邏輯電路來進行信息的讀寫等操作，所以仍然存在著被...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請案涉及一種具有選擇性可介接的存儲器子系統的存儲器系統。一種存儲器系統可包含可為可配置的以將易失性存儲裝置、非易失性存儲裝置或這兩者提供到主機系統的所述存儲器子系統。所述存儲器子系統可包含多個端口，其各自能夠使用不同接口與所述主機系統通...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開一種磁阻式隨機存取存儲器的電路結構與布局結構，其中該磁阻式隨機存取存儲器電路結構中的存儲單元具有依序串聯的三個晶體管以及四個磁隧穿結，其中第一晶體管與第三晶體管的連接處為第一結點，第二晶體管與第三晶體管的連接處為第二結點，第一晶體...
								
        
							
        
							
						
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								      提供一種半導體存儲器件及其操作方法。一種半導體存儲器件包括：第一儲存邏輯，其被配置成將在參考信號的使能時段期間施加的輸入地址之中的具有不同值的“K”個地址儲存作為第一地址；第二儲存邏輯，其被配置成將輸入地址之中的與參考信號的使能時段結束的時...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及隧道施工技術領域，具體涉及稱重裝置、系統、稱重校核方法、計算機設備和存儲介質。該稱重裝置包括活動下料器、稱重皮帶、輸送帶和校核容器；活動下料器包括殼體和下料嘴，殼體從接料口接收稱重皮帶輸送的土渣并從下料嘴排出，下料嘴在轉載位時，下...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種回轉率控制電路，電路包括回轉率控制單元、電容延遲單元、延遲單元、第一輸出單元、第二輸出單元及第三輸出單元。回轉率控制單元用以接收多個控制信號。電容延遲單元耦接于回轉率控制單元，并接收輸入信號。延遲單元耦接于電容延遲單元。第一...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種路徑切換的STT?MRAM讀電路和工作方法、2bit單元讀電路，通過四組開關調整電路進入不同的等效狀態，在這個過程中部分晶體管不進行工作，動態功耗在一定程度上可以得到降低；通過引入路徑切換操作，兩個讀操作相互獨立，而且，該電...
								
        
							
        
							
						
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								      一種記憶體裝置，包含多個第一解碼線。多個第一解碼線設置于第一金屬化層中并在第一方向上延伸。多個第一解碼線中的每一者各自包含分別耦接至多個第一記憶體單元及多個第二記憶體單元的至少一第一段及一第二段。多個第一解碼線中的每一者的第一段及第二段沿著...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請實施例提供一種測試設備及系統，測試設備包括：數據庫模塊，被配置為存儲期望數據；比較模塊，被配置為對期望數據與測試數據進行比較，以獲得比較結果，期望數據與比較結果對應；數據選擇模塊，被配置為根據期望數據以及期望數據與比較結果的對應關系，...
								
        
							
        
							
						
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								      用于硬盤驅動器裝置的磁盤具有基板、磁記錄層和設置于所述基板與所述磁記錄層之間的隔熱層。通過設置所述隔熱層，即使是耐熱性低的基板，也能夠用作能夠耐受熱處理(高溫退火)的磁盤的基板。
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于機械加工技術領域，特別涉及一種軸類和孔類零部件的精密軸心測量平臺。包括測量平臺底座、軸向掃描機構、掃描框架及掃描測量機構，其中軸向掃描機構設置于測量平臺底座的頂部，軸向掃描機構用于驅動掃描框架沿被測零件軸向移動；掃描框架與軸向掃描...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明題為“存儲器系統中執行地址故障檢測的分層ROM編碼器系統。”本發明公開了用于使用分層ROM編碼系統在存儲器系統中執行地址故障檢測的各種實施方案。在一個實施方案中，分層ROM編碼系統包括兩級ROM編碼器，該兩級ROM編碼器用于檢測地址故...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種EPS包裝成型材料多狀態尺寸檢測臺，包括基座，固定在基座兩側的安裝架，還包括：驅動軸，轉動連接在一側安裝架上，其端部周向固定安裝有多根連接臂，所述連接臂的末端安裝有可翻轉的放置板，所述放置板上嵌裝有轉盤，所述轉盤的兩側表面均設...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及頁緩沖器及其操作方法以及電路。提供了電子裝置。一種頁緩沖器包括至少一個數據鎖存器、感測鎖存器和位線電壓控制器。至少一個數據鎖存器存儲多個編程循環當中的先前編程循環的編程驗證結果以及要存儲在存儲器單元中的編程數據。感測鎖存器存儲多個...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種實心核殼結構的銨根插層的硫化鎳/羥基氧化鎳@二硫化鉬，其化學式為Ni3S2/Ni3O2(OH)4@MoS...
								
        
							
        
							
						
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