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信息存儲應用技術

提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用

本公開的各實施例涉及提高低電源電壓環境下SRAM穩定性的字線欠驅動的脈沖應用。耦合到存儲器單元的字線與在存儲器單元處執行讀/寫操作相關地被選擇。在所選擇的字線上斷言字線信號。字線信號的斷言具有前沿和后沿，并且在前沿和后沿之間具有一系列字線欠...

2025-08-18
DRAM工藝中的可編程混合存儲器和電容設備

一種用于生產半導體管芯的DRAM制造工藝，該半導體管芯適于具有作為混合存儲器和電源電容兩者的能力。半導體管芯上的DRAM陣列可被單獨地選擇以用作存儲器或用作為呈三維有源對有源（AoA）堆疊半導體管芯封裝配置的一個或多個半導體管芯上的電路服務...

2025-08-18
增加寫入存儲器的吞吐量

一種用于對存儲器進行寫入操作的方法，該方法包括：開始用于在同一行中寫入n個字的寫入操作，包括在第一時鐘周期期間加載該n個字中的第一個字，其中n是大于1的整數；加載該n個字中的一個或多個附加字，該一個或多個附加字各自在對應的一個或多個附加時鐘...

2025-08-18
數據選通信號的處理電路、控制器和數據讀取系統

本公開提供了一種數據選通信號的處理電路、控制器和數據讀取系統，該處理電路包括邏輯單元、選擇單元和若干級聯設置的延時單元；第一級的延時單元用于接收初始數據選通信號和使能信號以進行延時處理，得到對應的初始延時信號；后一級的延時單元用于接收初始數...

2025-08-18
一種降低圖像傳感器中SRAM功耗的讀寫控制方法

本發明提供一種通過調整圖像傳感器中SRAM的位線的預充電時機以及減少字線的開啟次數。具體的，將多次讀取中的多次字線開啟和多次預充電開啟減少到一次字線開啟和一次預充電，進而減少字線單元和比特單元的充電功耗，以及字線翻轉時相關邏輯電路的翻轉動態...

2025-08-18
一種基于10T-SRAM的存內計算電路及存內計算方法

本發明公開了一種基于10T?SRAM的存內計算電路及存內計算方法。該存內計算電路包括由多行多列的存儲計算單元構成的存內計算陣列，每個單元包括存儲部分和計算部分。存儲部分包括NMOS管N1～N4和PMOS管P1、P2。N1、N2、P1、P2反...

2025-08-18
靜態隨機存取存儲器中的提高吞吐量讀取

本公開涉及靜態隨機存取存儲器中的提高吞吐量讀取。一種用于存儲器的讀取電路系統包括：列讀出多路復用器(MUX)，該列讀出MUX耦接到存儲器的一組列，其中列讀出MUX從控制電路接收列選擇信號，以從一組列中輸出對應的列輸出；和單個感測放大器，該單...

2025-08-18
半導體裝置、存儲器系統及其操作方法

本發明提供一種半導體裝置、存儲器系統及其操作方法。于一方面中，半導體裝置包括關聯于識別符的邏輯單元。邏輯單元包括控制邏輯及耦接至控制邏輯的反饋單元。半導體裝置同樣包括耦接至反饋單元的控制接口。控制邏輯被配置以：從控制接口接收于迭代中的列舉命...

2025-08-18
記憶體裝置及其操作方法

本揭示文件提供一種記憶體裝置及其操作方法。操作方法包含：將位元線充電至讀取電壓位準；將位元線耦接至記憶體部件；以及根據儲存于記憶體部件中的數據位元，將位元線的電壓位準自讀取電壓位準開始調整。讀取電壓位準小于記憶體部件的矯頑電壓位準。

2025-08-18
存儲器電路及其操作方法

本發明的實施例提供了一種存儲器電路，包括可通過第一存取線和第二存取線操作存取的第一存儲器單元；分別耦接到第一存取線和第二存取線的第一讀取傳輸門晶體管和第二讀取傳輸門晶體管；第一感測放大器，其耦接到所述第一存取線和所述第二存取線；第一讀取使能...

2025-08-18
具有模式寄存器的半導體裝置

本申請的實施例涉及具有模式寄存器的半導體裝置。一種實例設備包含：命令解碼器，其經配置以供應包含第一模式參數的多個模式參數；主模式寄存器，其包含各自經配置以存儲所述多個模式參數中的相關聯者的多個單位寄存器；第一局部模式寄存器，其經配置以存儲所...

2025-08-18
存儲系統

本發明涉及一種存儲系統。所述存儲系統，包括：正常存儲區域，該正常存儲區域適于儲存正常數據；安全存儲區域，該安全存儲區域適于儲存安全數據；第一行錘擊檢測電路，該第一行錘擊檢測電路適于對正常存儲區域中被激活的部分行進行采樣并且計數以選擇第一需要...

2025-08-18
一種球狀Co₃O₄@Cu₃Mo₂O₉納米薄膜電極材料及其制備方法與應用

本發明公開一種球狀Co₃O₄@Cu₃Mo₂O₉納米薄膜電極材料的制備方法，屬于電極材料技術領域。本發明先以泡沫鎳為模板，通過水熱反...

2025-08-18
一種高體積比容量鈉離子電容器碳正極材料及其制備方法和應用

本發明涉及一種高體積比容量鈉離子電容器碳正極材料的制備方法，該方法包括以下步驟：將玫瑰紅酸二鈉鹽與三聚氰胺混合，在保護氣體氛圍中升溫至碳化溫度進行反應，得到碳化產物；將稀鹽酸加入所述碳化產物中進行酸洗，然后固液分離，去離子水洗滌固體至中性，...

2025-08-18
一種使用光筆測量修船替換管法蘭姿態的方法

本發明公開了一種使用光筆測量修船替換管法蘭姿態的方法。該方法首先拆除擬替換管兩端法蘭上各一個固定螺栓，再采用光筆測量擬替換管兩端法蘭上各九個點的坐標，即法蘭背面上的三個點、法蘭外輪廓上的三個點、以及螺孔內壁上的三個點，將測量坐標導入電腦中，...

2025-08-18
在非易失性存儲器中生成偏置電壓的設備和方法

實施例提供了在非易失性存儲器中生成偏置電壓的設備和方法。本公開涉及一種包括非易失性存儲器(NVM)的集成電路。該集成電路包括偏置生成器，該偏置生成器產生用于NVM的可靠讀取操作的穩定字線電壓和位線電壓。本公開涉及存儲器讀取、擦除驗證和編程驗...

2025-08-18
存入支出貨幣裝置及存儲介質

本發明公開了一種存入支出貨幣裝置及存儲介質，能夠根據使用環境來切換顯示部上顯示的內容。在包括顯示面向操作者的信息的顯示設備，接受貨幣的存入，并將存入的貨幣收納在收納部中，從所述收納部支出貨幣的存入支出貨幣裝置中，包括顯示控制部，所述顯示控制...

2025-08-18
(Co, Cu, M₁)₉S₈納米顆粒誘導復合富空位O_v-CoCuM₁-LDH電極材料的制備方法及其應用于混合超級電容器

本發明屬于復合電極材料技術領域，涉及一種(Co,Cu,M₁)₉S₈納米顆粒誘導復合富空位O_v?CoCuM₁?LDH電極材料的制備方...

2025-08-18
用于移動設備的擴容式移動存儲器

本實用新型公開了用于移動設備的擴容式移動存儲器，涉及存儲器技術領域，包括第一外殼、第二外殼，第一外殼上設置有安裝槽，第一外殼與第二外殼圍合形成有電氣連接室、擴容室；擴容室內設置有隔板組件，隔板組件將擴容室隔設成內存擴容室、電量擴容室，以及位...

2025-08-18
一種用于分接開關保護的防爆和壓力釋放一體裝置

本申請涉及一種用于分接開關保護的防爆和壓力釋放一體裝置，其包括用特殊材料合金鋼制成的外殼、壓力釋放機構、防爆機構、回流防止機構和輔助釋放機構；其中外殼安裝在分接開關上，壓力釋放機構安裝在外殼的內部，壓力釋放機構與分接開關內部空間連通，防爆機...

2025-08-18

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