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                  		電子電路裝置的制造及其應用技術
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本申請涉及集成電路設計技術領域，特別是涉及一種電壓域轉換電路。所述電壓域轉換電路，包括：共模噪聲消除模塊，與雙高壓脈沖信號產生電路連接，用于在高壓側電壓域的電壓變化值及電壓變化率滿足預定條件時，鉗位雙高壓脈沖信號產生電路的第一高壓脈沖信號輸...
								
        
							
        
							
						
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      • 
							
							
        
					    		
								
        
								      電子器件（1）具備素體（2）和電感器，電感器包括：在多個素體層（7）的層疊方向上延伸的第一導體（10）、第二導體（11）、第三導體（12）、第四導體（13）、第五導體（14）以及第六導體（15）；第一電感器導體（20）、第二電感器導體（21...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種用于提升放大器電源抑制比的偏置產生電路，包括偏置產生單元及頻率選擇性濾波單元，所述頻率選擇性濾波單元與所述偏置產生單元相連；所述偏置產生單元用于產生初始偏置電壓，所述頻率選擇性濾波單元接收所述初始偏置電壓并對所述初始偏置電壓進...
								
        
							
        
							
						
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      • 
							
							
        
					    		
								
        
								      本發明公開了一種應用于前端采集系統的低噪聲高精度可編程增益放大器，涉及集成電路技術領域，包括主體放大電路、直流失調消除電路、斬波電路、RC低通濾波電路和buffer驅動電路；所述主體放大電路的輸入差分信號經過直流失調消除電路、斬波電路RC低...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種模數轉換器校準方法、裝置、設備、存儲介質和程序產品，在對第二模數轉換器的電容陣列進行初始化處理后，通過控制信號向電容陣列的其中一排電容注入電荷，通過第一組電容預置位控制字信號和第二組電容預置位控制字信號依次向電容陣列的另一排電...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了用于IGBT器件的三電平驅動電路，該三電平驅動電路包括連接座、驅動電源電路、溫度檢測電路、T1管驅動電路、T2管驅動電路、T3管驅動電路、T4管驅動電路、T5管驅動電路、T6管驅動電路、第一檢測電路、第二檢測電路、第一驅動鉗位電...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于MOS管驅動電路技術領域，具體涉及一種抑制碳化硅MOSFET橋臂串擾的驅動電路。本發明提供了一種橋臂碳化硅MOSFET串擾抑制電路，在不影響器件開關速度的基礎上，利用三極管共基共集電極結構，兩晶體管基極和集電極電位相等，迫使各自發...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及用于固態開關的多用途智能柵極驅動器。一種多用途固態開關，包括用于接收輸入信號的輸入、多個柵極驅動電路和至少一個開關。多個柵極驅動電路被分別配置有無源和/或有源電氣部件的不同組合。至少一個開關布置在輸入與多個柵極驅動電路中的每個柵極...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種帶有自適應控制電路的鎖相環可編程分頻器，屬于電子電路技術領域，可編程分頻器設置在鎖相環中，可編程分頻器包括自適應控制電路和分頻器，自適應控制電路包括4位二進制輸入編碼，用S3S2S...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及一種應用于智能終端的通信模組及其電平匹配電路。基于三極管的集電極用于連接微控制器的信號接收端，發射極用于連接長期演進模組的信號發送端，基極用于接入高電平，能夠實現長期演進模組的發送信號與微控制器的接收信號的電平匹配；基于第一二極管...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種開關電路。該開關電路接收一輸入電壓及輸出一輸出電壓，并且包含一第一開關電容器電路、一第二開關電容器電路以及一開關。第一開關電容器電路用來接收該輸入電壓以產生一中間電壓。第二開關電容器電路耦接該第一開關電容器電路，用來接收該中...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種抗輻射加固的數控振蕩器、時鐘數據恢復電路及設備，本發明的數控振蕩器在數模轉換器DAC和壓控振蕩器VCO之間連接有抗輻射加固電路單元，抗輻射加固電路單元包括電壓復制單元和多路復用器，電壓復制單元用于對數模轉換器DAC輸出的控制...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型屬于電子電路技術領域，具體涉及一種圖形晶圓缺陷檢測相機行頻鎖相環控制的時鐘裝置，本時鐘裝置包括：編碼電路、二分頻電路、第一濾波電路、信號處理電路、第一分頻電路、第二濾波電路、模擬量峰值調整電路、雙向比較器電平調理電路和鎖相環電路；...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種開關電路，包括：第一電荷泵單元、自舉單元和開關單元；自舉單元包括第一開關管、自舉電容、第二開關管、第一CMOS傳輸門模塊和第二CMOS傳輸門模塊，第一開關管的第二端與第一電壓相連，第一開關管的第一端與自舉電容的第一端相連，自...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及集成電路技術領域，特別涉及流水線ADC。本申請公開了流水線ADC采樣方法、包括如下步驟：a、對輸入電壓ΔVIN進行第一次采樣，輸出采樣電壓ΔVOUT1；b、對采樣電容和反饋電容進行復位操...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種耐高逆向電壓的高端理想二極管，包括電路，所述電路包括PMOS主管V1、比較器電路、保護電路和電源VCC，所述保護電路對PMOS主管V1、比較器電路分壓保護；所述PMOS主管V1的柵極連接至電源VCC，源極連接有輸出端電源Vo...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于失調補償的可調閾值比較器，屬于模擬集成電路技術領域。包括偏置模塊，所述偏置模塊連接有V2I式固有失調產生模塊、兩級放大器和有源箝位電路；所述偏置模塊用于為整個電路提供偏置；所述兩級放大器包括一級全差分折疊式共射共柵放大器...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種晶振校準方法、裝置、設備及存儲介質，可用于精度校準領域。所述方法包括：獲取微處理器MCU的片內頻率和片外頻率，所述MCU中設置有晶振；根據所述片內頻率和所述片外頻率，確定頻率誤差率；根據所述頻率誤差率確定目標倍頻系數和目標分頻...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于三路鑒相和多數投票的1/4速率四級脈沖幅度調制(PAM4)的時鐘與數據恢復電路，涉及高速通信領域，包括：三個1/4速率鑒相器與一個多數投票器，鑒別三路溫度計碼與多相時鐘之間的相位差并判決，降低離散過零點造成的相位抖動，提...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種旨在控制至少一個揚聲器(R44)的高性能音頻放大器(102)，該放大器包括接收輸入信號(S1)的前置放大級(301)、連接到前置放大級(301)的功率放大級(302)以及將輸出信號(3)的圖像遞送到前置放大級(301)的負反饋...
								
        
							
        
							
						
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