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      電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
      • 本發(fā)明公開了一種使用金屬鍵合層實(shí)現(xiàn)高性能聲表面波諧振器的方法,利用MOCVD在外延襯底上依次生長(zhǎng)單晶緩沖層和犧牲層;利用PVD在犧牲層上生長(zhǎng)壓電層,再在壓電層上繼續(xù)濺射第一金屬層;將支撐襯底表面處理后通過PECVD沉積溫度補(bǔ)償層,再在溫度補(bǔ)...
      • 本發(fā)明涉及一種基于耦合濾波結(jié)構(gòu)的GaN工藝拓展連續(xù)F類功率放大器,屬于微波電路技術(shù)領(lǐng)域,包括依次連接的輸入端口、輸入匹配模塊、穩(wěn)定模塊、GaN功放晶體管、輸出匹配模塊以及輸出端耦合濾波模塊和輸出端口;在穩(wěn)定性模塊和GaN功放晶體管之間連接有...
      • 本發(fā)明涉及一種體聲波器件及其制作方法,其中體聲波器件的制作方法包括:提供基底,基底具有發(fā)射器件區(qū)與接收器件區(qū);于基底上形成第一功能層,第一功能層至少覆蓋發(fā)射器件區(qū)與接收器件區(qū);于第一功能層上形成刻蝕停止層;于刻蝕停止層上形成第二功能材料層;...
      • 本發(fā)明公開了一種低噪聲超寬帶有源巴倫,采用電流復(fù)用結(jié)構(gòu)的放大器和差分對(duì)有源巴倫串聯(lián)構(gòu)成。本發(fā)明的低噪聲超寬帶有源巴倫通過電流復(fù)用結(jié)構(gòu)提高電壓增益,減小功耗和噪聲系數(shù),通過寬帶匹配結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)超寬頻帶內(nèi)50Ω的輸入阻抗匹配;差分對(duì)有源巴倫引入相...
      • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種基于CMOS工藝的低噪聲低功耗有源矢量合成移相器,包括單端轉(zhuǎn)差分電路、第一正交網(wǎng)絡(luò)、第二正交網(wǎng)絡(luò)和矢量調(diào)制電路;單端轉(zhuǎn)差分電路的1端作為輸入端,單端轉(zhuǎn)差分電路的2端、3端分別連接第一正交網(wǎng)絡(luò)的1...
      • 本發(fā)明公開了一種新型欠采樣最小二乘數(shù)字預(yù)失真方法與系統(tǒng),屬于移動(dòng)通信領(lǐng)域,本方法通過在接收的模擬側(cè)添加一個(gè)帶通濾波器,然后將得到的反饋信號(hào)分段,并構(gòu)造最小二乘系數(shù)更新方程,再按照不同的反饋信號(hào)進(jìn)行分組,然后使用3次項(xiàng)基底和5次項(xiàng)基底構(gòu)造基底...
      • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陷波濾波器和信號(hào)調(diào)制器。該陷波濾波器包括第一電路和第二電路。第一電路的第一端子用于從混頻器接收第一輸入信號(hào)。第一電路的第二端子與第二電路的第一端子連接,并用于將第一輸出信號(hào)發(fā)送至前置放大器。第二電路的第二端子接地或者連...
      • 本發(fā)明公開了一種Ka頻段2000W連續(xù)波功率放大器,包括驅(qū)動(dòng)控制模塊、功率分配器、八路功放模塊、功率合成器和監(jiān)控模塊;驅(qū)動(dòng)控制模塊用于對(duì)輸入的小功率信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)放大和電平調(diào)節(jié),輸出初級(jí)功率信號(hào);功率分配器用于將初級(jí)功率信號(hào)分成八路等幅初級(jí)功...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N信號(hào)調(diào)節(jié)電路和通訊裝置,其中信號(hào)調(diào)節(jié)電路包括:電壓控制振蕩器以及緩沖電路;所述緩沖電路包括至少兩級(jí)低噪聲功率放大器;第一級(jí)低噪聲功率放大器的輸入端連接所述電壓控制振蕩器的輸出端,所述第一級(jí)低噪聲功率放大器的輸出端連接下一級(jí)低...
      • 本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低電磁干擾的高精度擴(kuò)頻時(shí)鐘電路。包括:偏置電路,所述偏置電路為振蕩電路提供基準(zhǔn)電流源I1;擴(kuò)頻校正電路,所述擴(kuò)頻校正電路為振蕩電路提供頻率校正電流源I2和擴(kuò)頻電流源I3;所述頻率校正電流源I2和所擴(kuò)頻...
      • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N射頻功率放大器,包括第一放大晶體管、第二放大晶體管、電容網(wǎng)絡(luò)電路和功率合成電路,電容網(wǎng)絡(luò)電路包括第一電容、第二電容和電容單元,第一放大晶體管的輸出端通過第一電容連接至功率合成電路的第一輸入端,第二放大晶體管的輸出端通過第二電容...
      • 本公開涉及超低功率、實(shí)時(shí)時(shí)鐘發(fā)生器和抖動(dòng)補(bǔ)償方法。在一個(gè)實(shí)施例中,時(shí)鐘發(fā)生器具有可變模量分頻器,該可變模量分頻器接收高頻時(shí)鐘信號(hào),并且輸出分頻時(shí)鐘信號(hào),該分頻時(shí)鐘信號(hào)具有由溫度補(bǔ)償電路所生成的模量控制信號(hào)控制的頻率。抖動(dòng)濾波器耦合到可變模量...
      • 電子器件具備:第一主體,其包含第一元件;第二主體,其包含第二元件;以及電路,其包含第一元件和第二元件。第一主體還包含與接地件連接的第一柱狀導(dǎo)體。第一元件是包含電容器導(dǎo)體層的電容器。電容器導(dǎo)體層配置于第二元件與第一柱狀導(dǎo)體之間。
      • 本申請(qǐng)涉及MESA晶片的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高基頻MESA晶片,包括片體,其外周呈矩形,所述片體包括兩側(cè)面刻蝕凹陷形成的振動(dòng)部、與所述振動(dòng)部一體設(shè)置的固定部,其中,定義所述振動(dòng)部距離所述固定部自由端的距離為L(zhǎng)1,所述振動(dòng)部距離所述固定部點(diǎn)...
      • 本發(fā)明涉及無線通訊技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種恒溫式聲表面波濾波器及其制備方法,制備方法包括以下步驟:選擇壓電襯底,并在壓電襯底的上表面形成第一溝槽和第二溝槽;由壓電襯底的上表面沉積多晶硅以完全填充溝槽;對(duì)多晶硅進(jìn)行研磨,直至暴露出壓電襯底;對(duì)多晶...
      • 本發(fā)明公開了一種空間非諧振節(jié)點(diǎn)諧振器、濾波器及射頻通信設(shè)備,由周期性的電容型或者電感型器件加載諧振器構(gòu)成電容型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元或者電感型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元;電容或者電感型空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元通過排布組合,由同一種或兩種空間非諧振節(jié)點(diǎn)單元混合...
      • 彈性波濾波器(1)具備:串聯(lián)臂諧振器(s1以及s2),由具有IDT電極的彈性波諧振器構(gòu)成;以及并聯(lián)臂諧振器(p1以及p2),IDT電極具有一對(duì)包含多個(gè)電極指和匯流條電極的梳形電極,將上述多個(gè)電極指之中與構(gòu)成一對(duì)梳形電極的任一匯流條電極都不連...
      • 提高彈性波濾波器的性能。彈性波濾波器中的彈性波元件具有:壓電體層;位于所述壓電體層上的IDT電極;聲速比所述壓電體層低的低聲速膜;以及聲速比所述壓電體層高的支撐基板。將由所述IDT電極激發(fā)的彈性波的波長(zhǎng)表示為λ時(shí),所述壓電體層的厚度為λ以下...
      • 一種時(shí)鐘恢復(fù)電路包括頻率跟蹤環(huán)路和相位跟蹤環(huán)路,該頻率跟蹤環(huán)路包括第一電荷泵,該相位跟蹤環(huán)路包括第二電荷泵。電壓控制振蕩器在第一操作模式中響應(yīng)于該頻率跟蹤環(huán)路,并且在第二操作模式中響應(yīng)于該相位跟蹤環(huán)路。鎖定檢測(cè)器輸出指示該時(shí)鐘恢復(fù)電路是否已...
      • 本發(fā)明公開了一種帶TL?C并聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò)的放大器結(jié)構(gòu),包括放大器嵌入式核心;輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò);輸入串聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò),其輸入端與所述輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端電氣連接;輸出串聯(lián)型嵌入式網(wǎng)絡(luò),其輸出端與所述輸出匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端電氣連接;并...
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